存储行业报告的整合将由我完成,报告结构已初步敲定。报告的核心框架已敲定,首先会梳理存储行业的市场景气度相关数据,覆盖全球及国内市场的供需变化,接下来将讲解产业链构成与竞争格局的相关内容。存储行业全球竞争格局已从美日韩垄断转向多极竞争,国内玩家正推动全球垄断格局松动。
存储领域技术研发与产业化进展已梳理完成:国际主流存储技术持续迭代,国内各细分赛道均实现突破,部分产品进入高端供应链;同时国内存储产业获政策扶持,国产替代全产业链生态逐步完善,渗透速度加快。
我已梳理完存储行业下游需求的新增长机会,明确了数据中心、AI端侧等四大核心增长方向及对应关键数据,同时完成行业整体景气度、市场规模及增长特征的核心内容整理。
我补充了各机构对存储市场的增长预期,以及2025年四季度企业级SSD价格上涨印证行业进入新一轮高景气周期。
国内存储行业正处于快速上升通道,受益于下游场景扩容与国产替代趋势强化,已成为全球存储市场的关键一极。存储行业拥有完整产业链,当前全球市场集中度高,正从美日韩三极垄断向多极协同竞争转变,行业竞争正从价格转向技术、品牌、生态的综合竞争。分产品来看,DRAM行业集中度极高,SK海力士一季度营收超越三星居首,NAND行业同样由国际头部大厂主导。
国内存储产业近年快速崛起,国产厂商逐步提升产能、推出先进制程产品,打破部分垄断,推动全球存储格局松动。
当前存储产业的技术迭代与产业化进程正持续推进,各细分领域的国内厂商均已取得阶段性突破,新型存储技术处于早期培育阶段,同时我国出台多项扶持政策为存储产业发展提供充足红利。
目前国产存储替代成效显著,产业链生态持续完善,已形成成熟制程产能成本、政策与市场双轮驱动两大核心优势,下游需求升级带来多维度增长机遇,数据中心、AI端侧等核心赛道景气度高位运行。
传统消费电子AI化带动存储需求升级,叠加国产替代红利,国内存储厂商迎来长期发展机遇,内容已核对无误。
当前全球存储行业正处于高景气上行通道,兼具成长属性与周期回暖特征,整体市场长期呈现确定性上行趋势。从规模数据来看,2020年全球存储市场规模为1499亿美元,2020-2024年的年复合增长率为6.5%,2024年市场规模达到1928亿美元 【7】 ,其中2024年存储市场迎来爆发式增长,同比增速高达81%,是当年全球半导体市场增长的核心驱动力 【4】 。不同机构对后续增长均给出乐观预期,测算显示2025年全球存储芯片市场规模约为1894.07亿美元,同比增长13.4% 【8】 ,另有统计预计2025-2029年全球存储市场年复合增长率为11.5%,到2029年将达到4071亿美元 【7】 ,在AI驱动的更乐观预测中,2030年全球存储芯片市场规模有望突破7700亿美元。2025年第四季度企业级SSD市场价格上涨,已经标志着存储行业进入新一轮高景气周期 【2】 。国内存储行业同样处于快速上升通道,一方面受益于全球AI服务器、智能终端、车载存储等下游场景扩容的红利,另一方面国产替代趋势持续强化,国内存储企业已经成为全球存储市场的关键一极 【5】 ,2021-2025年国内存储行业供给、需求两端同步扩张,AI算力、PC市场企稳、智能手机触底回升、车载存储用量提升等多重因素共同拉动市场持续走高 【11】 。
存储行业拥有覆盖全链路的完整产业链,上游核心支撑环节包含存储相关的材料、生产设备、晶圆制造、先进封装,以及主控芯片设计、固件算法开发等核心技术领域 【38】 【39】 ;中游制造环节以DRAM、NAND Flash两大核心主流存储产品为核心,头部大厂普遍采用垂直整合模式覆盖从存储芯片设计、生产到封装的全流程 【30】 ;下游则延伸至存储模组制造,面向消费电子、AI服务器、智能汽车等终端场景落地,最终触达各类终端用户。当前全球存储市场长期保持高集中度,正从传统“美日韩三极垄断”向“多极协同竞争”的新阶段转变,国际头部IDM厂商占据绝对主导,行业竞争正逐步从价格竞争转向技术、品牌、生态的综合竞争 【31】 。分产品来看,DRAM领域三星、SK海力士、美光三家合计市占率超过93%,2025年第一季度SK海力士凭借HBM等高价值产品的领先优势,首次在季度DRAM营收上超越三星成为全球第一 【32】 【34】 ;NAND Flash领域三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据五大厂商合计份额接近95%,仍由国际大厂主导 【30】 【34】 。国内存储产业近年快速崛起,制造端长鑫存储2025年第一季度DRAM晶圆平均月产能达20万片/月,预计2026年将提升至30万片/月,长江存储已成功量产294层NAND闪存,正逐步打破国际厂商垄断格局 【39】 ,部分国内厂商正从传统存储模组厂向综合型半导体存储品牌企业转型,搭建起全链条核心能力,推动全球长期高度集中的存储垄断格局出现明显松动 【35】 【31】 【34】 。
技术研发与产业化层面,主流存储产品迭代速度持续加快:DRAM领域国际头部厂商已推进到1xnm、1anm、1znm等先进节点,2025年Q3全球DRAM市场CR3占比超过90% 【18】 ,国内厂商合肥长鑫已经完成四代工艺技术平台量产,实现全系列主流产品覆盖,核心工艺达到国际先进水平,产品逐步导入通用服务器场景,市场渗透率持续提升 【21】 【17】 ;NAND Flash领域国际大厂的3D NAND堆叠层数已经迭代到300层级,2024-2025年先后落地290L、321L等更高堆叠的产品 【25】 ,国内长江存储依托自研Xtacking架构实现差异化突破,产品已经进入国产服务器、行业数据中心供应链,带动本土SSD全产业链成熟 【17】 【23】 ;SSD领域国内佰维存储、江波龙等本土厂商已经实现搭载国产NAND/DRAM的SSD产品规模化落地,广泛覆盖消费级、企业级等多元场景 【17】 【27】 。新型存储技术方面,国内多家企业和科研机构已经提前布局MRAM、ReRAM、PCM等多条路线,目前正面向高要求细分场景开展技术验证和小范围落地,整体处于早期培育阶段 【17】 。
政策层面,我国将半导体存储列为集成电路关键分支、新质生产力重点扶持领域,从顶层设计明确产业发展导向 【1】 ,叠加集成电路生产企业税收优惠、核心技术研发专项扶持等普惠性政策,为存储企业的技术攻关和产能建设提供了充足红利 【2】 。当前国产替代推进已经取得显著成效,核心制造环节长江存储、长鑫存储的技术突破正逐步缩小与国际领先水平的差距 【3】 ,全产业链生态持续完善,兆易创新、北京君正等细分赛道厂商形成差异化竞争力,主控芯片、固件算法等板块也不断取得突破 【3】 。国产存储已经形成两大核心优势:一是成熟制程的产能与成本优势,在消费级、低端工业级存储领域形成份额壁垒,依托本土下游产业链实现高效供需联动;二是政策与市场双轮驱动的发展环境,庞大的本土刚需市场为国产存储提供了技术迭代的宝贵窗口期 【3】 ,叠加电信、政府、金融等重要领域的数据安全需求,国产存储的渗透速度正在不断加快 【4】 。
下游场景的需求升级也为存储行业带来了多维度的全新增长机会:数据中心侧成为核心高景气赛道,生成式AI需求带动HBM3E、DDR5、企业级SSD等产品需求走高,预计2024~2030年企业级SSD行业复合增速可达10% 【1】 ,2029年服务器领域对应的存储市场规模将达到1458亿美元,2026年数据中心存储需求占比将首次超过存储行业总需求的50%,成为绝对的需求主力 【2】 【3】 ,其中HBM赛道供需紧平衡预计将持续到2026年以后,中长期景气度维持高位 【4】 。AI端侧场景成为增速领跑的新增量市场,2024年AI端侧存储市场规模已达179亿美元,2025-2029年的预计复合年均增速高达36.4%,是所有下游应用领域里增速最高的板块 【3】 。传统消费电子在AI加持下迎来存量复苏机会,AI手机、AIPC等产品将拉动更高规格存储的需求升级,高阶自动驾驶也将大幅拉动车载存储芯片的需求增长 【5】 。叠加国产替代长期红利持续释放,国内本土存储厂商将迎来长期的专属发展机遇 【6】 。
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