存储行业专题研究报告：“供给出清+国产替代加速”，国内存储厂商迎来历史性机遇

证券研究报告 “供给出清+国产替代加速”，国内存储厂商迎来历史性机遇 ——存储行业专题研究报告 西部证券研发中心 2025年05月21日 分析师|郑宏达S0800524020001邮箱地址zhenghongda@research.xbmail.com.cn 联系人|王修远邮箱地址wangxiuyuan@research.xbmail.com.cn 投资建议 【主要逻辑】 “供给收缩+技术升级”驱动国产替代加速，国内存储厂商迎来历史性机遇 •海外大厂退出中低端市场叠加贸易壁垒影响，国内终端客户供应链国产化述求越发强烈，各大云服务厂商和数据中心纷纷开始导入国产品牌，为国内存储厂商向高端化发展打开了通道。 •在供需关系不断改善下国产替代进程有望加速，国内存储厂商或将迎来历史性机遇，有望在下一轮产业上行周期中实现“周期+成长”的超越行业贝塔的反弹。 【投资建议】 存储模组：建议关注德明利、江波龙在企业级存储方面的布局；推荐天山电子，关注其在模组业务方面的进展。 存储芯片：建议关注国内芯片龙头兆易创新、北京君正；以及普冉股份终端产品高端化趋势。 内存接口等配套芯片：建议关注澜起科技、聚辰股份在存储产业技术变革（DDR5升级）中的机会，包括澜起科技在PCIeRetimer、CXL等“运 力”芯片方面的进展。 风险提示：1）贸易摩擦及政策变动风险；2）市场竞争加剧风险；3）技术迭代风险。 请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明3 01 录 ENTS 目录 CONTENTS 02 03 04 存储产业周期或见底，AI应用驱动需求持续向上云服务厂商资本支出加码，企业级存储率先放量 AI+推动端侧存储产品量价齐升 国产替代加速或为国内存储厂商带来新一轮成长机遇 存储市场主要产品分类 半导体存储器 按保存数据时间长短 SRAM 易失性存储器（数据断电消失） 按是否需要刷新电路 DRAM ROM 非易失性存储器（数据断电不消失） 按数据擦除效率 Flash （速度更快、成本更高） （密度更高、单位成本更低） （擦除效率低、可擦除次数少） （擦除效率高、可擦除次数多） 按是否支持芯片内执行 同步 SRAM （速度快、成本高） 异步 SRAM （速度相对慢） 同步 DRAM 异步 DRAM （少见） 可编程ROM （偶尔擦除） OTPROM 掩膜ROM （不可擦除） NANDFlash （大容量、写入快、成本低） NORFlash （读取快、成本高、支持芯片内执行） 按代际 、性能更高 、速度更快 SDR （速度慢，淘汰） 擦除更容易 （只能被 新型存储器 MRAM （磁性存储器） FRAM （铁电存储器） ReRAM （阻变存储器） 根据不同材质 、原理 PCM （相变存储器） uMCP eMCP EEPROM DDR1~5 LPDDR （低功率） UVPROM 普通DDR 编程一次） GDDR （GPU专用） HBM （3D堆叠DDR，性能最高） 当前主流产品 按模组性能 eMMC 速度更快 UFS 与LPDDR合封、容量更大 SSD 、成本更高 按存储单元类型速度更快 SPINOR （体积小、成本低，主流） 密度更高、寿命更低、成本更低 SLCMLCTLCQLCPLC 按物理架构 2D/3DNAND 、功耗更高 CFINOR 、成本更高 DRAM和NANDFlash是存储市场的两大核心产品 •根据贝哲斯咨询2025年发布的最新产业资讯，2024年全球存储市场规模接近1720亿美元，预计2032年可增长至3549亿美元， CAGR约9.5%；另根据中商产业研究院统计，中国2024年存储市场规模接近770亿美元，占比约45%。 存储芯片类别 产品 特点 主要应用 全球龙头 中国大陆及台湾厂商 市场规模（2024， 亿美元） 占比 易失性存储 DRAM 高密度、价格低，速度相对慢、功耗高，适合大容量应用 PC、服务器、手机等内存模块 三星、美光、海力士 长鑫存储、兆易创新、南亚（包 969 含模组、HBM） 56% SRAM 速度快、功耗低，低密度、价格贵，适合小容量高速应用 CPU缓存、高速缓存 赛普拉斯、英飞凌、瑞萨 兆易创新、华邦 7 ＜1% HBM 3D封装DRAM，带宽高、功耗低、成本高，适用于高性能计算 HPC、GPU、数据中心 三星、美光、海力士 南亚、长鑫存储（初步布局） 180 10% 非易失性存储 NANDFlash 读取慢、写入快，高密度、低成本，适合频繁读写和大容量应用 SSD、U盘、存储卡、手机、嵌入式 三星、美光、海力士、铠侠、西部数据 长江存储、兆易创新、华邦 848（包含模组） 49% NORFlash 读取快、写入慢、可靠性高、低密度，适合快速读取应用 主板固件、网通设备、物联网系统 赛普拉斯、美光、华邦 兆易创新、华邦、旺宏 27 2% EEPROM 非易失性、寿命长、容量小、速度慢、成本低，适合不需要高频写入的小容量应用 存储不需要经常更改的系统程序、软件驱动 赛普拉斯、意法半导体、美光 兆易创新、聚辰股份、华邦、旺宏 10 ＜1% Flash模组 eMMC NAND+简单主控，读写速度慢、功耗低、成本低 中低端手机、平板、嵌入式设备 三星、美光、铠侠 长江存储、兆易创新、旺宏 60 3% UFS NAND+高级主控，读写速度快、功耗中等、成本中等 高端智能手机、平板、高性能存储设备 三星、美光、海力士 长江存储、兆易创新、旺宏 60 3% SSD NAND+高级主控+DRAM缓存，读写速度最快、寿命长、功耗高、成本高 PC、服务器等大容量存储 三星、西部数据、铠侠、美光、海力士 长江存储、群联、江波龙、德明利 370 22% 表：全球存储市场产品分类及规模占比情况 注：由于模组产品中可能同时集成多种类别存储芯片，无法详细拆分具体金额，且不同口径统计数据存在一定差异，导致以上各细分市场规模可能存在重复计算问题，合计金额大于1720亿美元，此处 占比以1720亿美元为基础计算，导致合计占比略大于100%。 DDR5和HBM是当前各大DRAM芯片厂商主要扩产方向 • DDR5逐步取代DDR4/DDR3成为主流应用。DRAM广泛用 表：各类DRAM产品性能及主要应用对比 类型 速率(MT/s) 预取(bit) 最低电压(V) 主要应用 DDR3 1066~1600 8 1.5 旧PC/服务器 DDR4 2133~3200 8 1.2 服务器/高端PC DDR5 3200~6400 16 1.1 AI计算/云计算 LPDDR4X 3200~4267 16 0.6 智能手机 LPDDR5 5500~6400 16 0.5 AI手机/车载 HBM2 256~460GB/s - 1.2 AI服务器/GPU HBM3 665~1075GB/s - 1.1 AI/超级计算 GDDR6 14~24Gbps - 1.35 显卡/AI计算 于计算机、服务器、智能设备等领域，具体产品分为标准DDR、LPDDR、GDDR及HBM等，AI应用对存储性能要求不断提升下，最新的DDR5产品逐步成为主流。 •HBM具备高带宽、低功耗优势，配套AI芯片需求旺盛。HBM作为3D堆叠的DRAM，在AI计算中目前仍供不应求，是各家DRAM厂商当前主要扩产方向之一。 图：典型的DDR5内存模组结构图：DDR5渗透率趋势 企业级和消费级SSD是目前NANDFlash主要应用领域 • NANDFlash广泛用于固态硬盘（SSD）、智能手机、存储 表：NANDFlash的分类和特点 分类维度 类型 存储密度 速度 耐久性（擦 写寿命） 单位成本 主要应用 按存储单元 架构 SLC 低 最快 10万次 高 高端SSD、军 工、工业存储 MLC 中 较快 3K~5K次 中 企业级SSD、U盘 TLC 高 中等 1K~3K次 低 消费级SSD、智能手机、存储卡 QLC 更高 较慢 150次 更低 数据中心等大容量存储 按堆叠技术 2DNAND 低 一般 一般 低 逐渐被淘汰 3DNAND 高 更快 更高 更低 当前主流，SSD、手机存储 按产品形态 eMMC（嵌入式多媒体卡） 中 适中 适中 低 中低端手机、IoT、车载 UFS（通用闪存存储） 高 较快（UFS3.1:2.9GB/s） 适中 中 高端手机、 AIoT、车载 SSD （固态硬盘） 高 最快（PCIe5.0:14GB/s） 高 中 PC、数据中心、企业级存储 卡、嵌入式系统等，适用于大容量存储。 •企业级SSD是新技术NAND的主要应用方向。当前主流技术为3DNAND，在AI应用推动下，企业级和消费级SSD需求持续提升，美光推出最新的PCIe6.0SSD，将率先在AI服务 器平台使用。UFS在手机、车载等移动领域也有较多需求。 图：典型的NANDFlash芯片及模组 NORFlash用于低容量存储领域，以中国台湾和大陆厂商为主 •NORFlash定位低容量应用需求。NORFlash具备随机存储、图：NORFlash广泛应用于智能手机、可穿戴和物联网等领域 读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点，其主要功能是数据的存储和读取，同时实现开机启动等固定运行的程序。 •中国台湾和大陆厂商把控NORFlash市场。NORFlash厂商目前以中国台湾的华邦、旺宏，大陆的兆易创新三家占据主要份额，总体竞争格局相对主流存储更为分散。 表：NORFlash玩家较为分散，以中国台湾和大陆厂商为主 厂商 国家/地区 产品容量范围 华邦 中国台湾 512Kb~2Gb 旺宏 中国台湾 512Kb~2Gb 兆易创新 中国大陆 512Kb~2Gb 赛普拉斯 美国 256Mb~1Gb 美光 美国 128Mb~2Gb 厂商营收占比（2021） 20.8% 25.2% 4.2% 10.9% 22.7% 16.2% 华邦旺宏 兆易创新 赛普拉斯美光 其他 •相变存储（PCM）是一种独特的非易失性存储技术，具有等比微缩能力、集成度高、读写速度快、循环寿命长、可实现多值 存储等优点，可提供效能介于DRAM和SSD之间的存储介质，填补两者间效能落差。在存储及内存、AI等领域有广阔应用前景。 •相变存储器是目前产业化、商业化进展最快的新型存储器。英特尔与美光早在2015年就共同研发PCM技术并成功量产首款商业化的3DXpoint芯片，技术发展相对其他新型存储器更为成熟。国内存储厂商也积极布局，包括紫光国微、纳思达、聚辰股份、兆易创新、新存科技等均有涉及PCM产品的研发。 图：相变存储器规模预计将迎来快速发展阶段 图：新存科技2024年9月推出的相变存储器芯片 相变存储：商业化进展最快的新型存储器 7.54 0.71 1.08 0.07 云服务数据量持续增长驱动存储需求提升 •预计2028年全球数据总量将突破393ZB（1ZB=1024EB），23~28年CAGR超过20%。在AI的广泛应用推动下，2023至2028年 企业数据占比预计从64%增长至81%；其中云服务数据占比将显著提升，预计2028年37%的数据将在云端直接产生，超过60%的数据会最终存储在云上，未来数据中心和企业级应用将是存储场需求持续提升的主要驱动力。 图：全球数据量23~28年维持超过20%的复合增速 细分市场中数据中心是核心增长点 •移动终端（智能手机、平板、眼镜等）在AI加持下有望迎来复苏。AI手机需要更高的存储带宽（UFS4.0/LPDDR5X）、更大的缓存（16GB以上 DRAM）、更大的内存（eMMC/UFS），若端侧AI应用带来换机需求爆发，移动终端对存储的需求仍有持续提升的趋势。 •服务器市场是存储厂商的核心增长点。AI大模型的推动下，数据中心存储需求向高速和高密度发展，尤其对企业级存储的需求显著提升。数据中心是目前头部存储厂商业绩主要增长点，其中企业级SSD预计2024~2030年行业复合