电子行业深度报告：部分存储涨价，AI和国产化驱动行业增长

行业研究|深度报告 看好（维持） 部分存储涨价，AI和国产化驱动行业增长 电子行业 国家/地区中国 行业电子行业 报告发布日期2025年06月21日 核心观点 AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔。存储需求回暖，5月份存储器半导体 DRAM和NAND闪存的月平均价格连续两个月上涨，价格上涨趋势有望持续到第三季度：NANDFlash方面，二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑；DRAM方面，受原厂停产计划影响补货需求，DDR4系列有望大幅上涨。AI已成为存储需求增长的关键动力，据PrecedenceResearch研究报告，全球AI驱动存储市场预计将从2024年的287亿美元，激增至2034年的2552亿美元，年复合增长率达24.4%。中国存储产业链有望受益于AI自主可控政策双重驱动，国内存储IC公司在利基DRAM、NAND和NORFlash领域持续开拓，国产化前景广阔。 DRAM：利基市场格局重塑中，3DDRAM走向产业。利基DRAM领域，原厂产能转向DDR5和HBM带来供应收缩，而消费电子市场和行业市场对DDR4仍保持可 观需求，供需不平衡下利基DRAM价格持续高企，Tier2厂商有望快速提升市场份额和盈利能力。另一方面，为满足高速高带宽存储需要，堆叠DRAM成为新趋势，在各大原厂持续迭代的HBM（高带宽存储）技术外，依托混合键合等先进封装技术，3DDRAM产业化进程加速。定制化存储在提升存储性能同时，可实现更低功耗、更高集成度和更强散热能力，为端侧AI提供具有适配性更强的存储方案，市场规模有望随端侧AI渗透率提升快速成长。 Flash：AI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速。AI技术发展促使Flash市场容量和总需求显著上升，企业级市场尤为突出。在NANDFlash领域，数据中心和服务器对存储性能和容量的需求激增，驱动企业级SSD市场快速增长，国内存 储模组厂市场份额有望提升。受益于物联网、汽车电子、5G等新兴领域的发展和端侧AI的拉动，NORFlash市场有望保持增长。国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇进入市场，不断升级产品容量和工艺制程，逐渐形成各自的竞争优势。 投资建议与投资标 存储需求回暖，AI服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，建议关注存储产业链： 存储IC设计：兆易创新、北京君正、东芯股份、复旦微电、紫光国微、普冉股份、聚辰股份、恒烁股份等； 存储互联、控制等芯片：澜起科技、联芸科技； 存储模组：德明利、佰维存储、朗科科技、江波龙、万润科技；封测：深科技； 系统级解决方案：同有科技等。 风险提示 国际形势变化影响存储行情；下游需求增长不及预期；AI产业发展不及预期。 蒯剑021-63325888*8514 kuaijian@orientsec.com.cn 执业证书编号：S0860514050005香港证监会牌照：BPT856 韩潇锐hanxiaorui@orientsec.com.cn 执业证书编号：S0860523080004 薛宏伟xuehongwei@orientsec.com.cn 执业证书编号：S0860524110001 朱茜zhuqian@orientsec.com.cn 存储需求回暖，NANDFlash和DRAM价格上涨持续 2025-06-02 AI算力浪涌，PCB加速升级 2025-04-01 国产芯驱动Deepseek一体机，AI加速赋 2025-03-06 能各行各业 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 目录 1.AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔4 1.1存储需求回暖，价格上涨趋势持续4 1.2AI浪潮已成为存储市场增长的强劲动力5 1.3存储行业国产化前景广阔7 2.DRAM：利基市场格局重塑中，3DDRAM走向产业9 2.1利基DRAM：原厂计划逐步停产，供需平衡重建机会多10 2.2堆叠DRAM：各大原厂持续迭代HBM，3DDRAM走向产业12 3.Flash：AI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速16 3.1NAND：数据中心和服务器需求驱动企业级SSD市场增长16 3.2NOR：端侧AI带动NORFlash扩容和总需求增长18 投资建议19 风险提示19 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 图表目录 图1：DDR4/5价格走势（美元）4 图2：LPDDR4价格走势（美元）4 图3：NANDFlash价格走势（美元）4 图4：大型数据中心部署中的存储系统6 图5：2024-2034年AI驱动的存储市场规模预测（十亿美元）7 图6：全球及中国DRAM市场规模（以销售收入计，十亿元）9 图7：美光DRAM技术路线图10 图8：DDR3（4Gb（512Mx8），1600MHz）现货平均价变动的回溯（美元）11 图9：DDR4现货平均价变动的回溯（美元）12 图10：HBM示意图13 图11：HBM持续迭代，带宽、速率提升13 图12：DRAM制程演进14 图13：华邦电子CUBE方案15 图14：紫光国芯嵌入式DRAM（SeDRAM™）技术示意图15 图15：紫光国芯多层阵列SeDRAM技术15 图16：力积存储高带宽3D堆叠式内存芯片设计方案16 图17：力积存储混合堆叠内存HSM设计方案16 图18：NAND市场营收（亿美元）17 图19：中国企业级SSD市场规模及预测18 图20：中国企业级SSD主要厂商市场份额（2024）18 图21：兆易创新基于GDSPINORFlash的TWS耳机方案18 表1：存储产业链主要上市公司7 表2：国内主要存储IC相关上市公司业务梳理8 表3：国内主要独立存储器公司产品覆盖9 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 1.AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔 1.1存储需求回暖，价格上涨趋势持续 存储需求回暖，5月份存储器半导体DRAM和NAND闪存的月平均价格连续两个月上涨。据市场调查公司DRAMeXchange报道，NANDFlash方面，5月份用于存储卡和USB驱动器的NAND闪存通用产品（128Gb16Gx8MLC）平均固定交易价格为2.92美元，环比上涨约5％。NAND价格从去年9月份开始连续4个月呈现下跌趋势，1月份出现反弹（约5%），已连续5个月上涨。DRAM方面，5月份PCDRAM普通产品（DDR48Gb1Gx8）固定交易均价为2.1美元，较上月大幅上涨27%，继4月份上涨22%后，连续两个月涨幅超过20%。 图1：DDR4/5价格走势（美元）图2：LPDDR4价格走势（美元） DDR416Gb3200DDR416GbeTT DDR48Gb3200DDR48GbeTT DDR44GbeTTDDR524GbMajor DDR516GbMajorDDR516GbeTT 8 6 4 2 0 LPDDR4X96GbLPDDR4X64Gb LPDDR4X48GbLPDDR4X32GbLPDDR4X16Gb 30 25 20 15 10 5 0 数据来源：CFM闪存市场，东方证券研究所数据来源：CFM闪存市场，东方证券研究所 图3：NANDFlash价格走势（美元） 现货平均价:NANDFlash(32Gb4Gx8MLC)现货平均价:NANDFlash(64Gb8Gx8MLC) 6 5 4 3 2 1 数据来源：DRAMeXchange，东方证券研究所 25年上半年，多家原厂已实施DRAM价格上调。美光、闪迪等此前宣布于今年4月1日开始对渠道和消费类产品实施全面涨价；SK海力士已上调消费类DRAM芯片价格，涨幅达到了12%。据TrendForce此前消息，三星电子5月初已与主要客户敲定了提高DRAM供应价格的方案，DDR4DRAM的平均增长率为两位数，DDR5DRAM的平均增长率为个位数。 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 DRAM和NAND价格上涨有望持续到第三季度： NANDFlash方面，二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑。据TrendForce报告，四月初国际形势变化影响第二季市场的价格走势变量，预计NANDFlash价格季增3%到8%。以北美大厂为主的CSP持续加强AI投资，预期将带动企业级SSD需求于2025年第三季显著成长；在成品库存水位偏低的背景下，预期EnterpriseSSD市场将转为供应吃紧，将支撑NANDFlash价格出现上涨，季增幅度有望达到10%。 DRAM方面，受原厂停产计划影响补货需求，DDR4系列有望大幅上涨。依据TrendForce，全球三大DRAM供应商宣布即将停产DDR3与DDR4DRAM，停产消息在一定程度上推动补货需求增长；此外，美国对等关税政策和90天的暂停期等政策下，PCDRAM模块领域，买家囤货热情 提升。2025年第二季度和第三季度，DRAM有望连续上涨，其中ServerDDR4module、 ConsumerDDR4颗粒的涨幅显著。 1.2AI浪潮已成为存储市场增长的强劲动力 全球DRAM市场规模及HBM规模预计保持增长。据力积存储港股上市申请资料，随着AI应用的快速发展、消费电子的扩张以及技术创新将在长期内持续推动DRAM市场增长，市场规模有望从2024年的6979亿元增长到2029年的8934亿元，2024年至2029年的复合年增长率达5.1%。AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。根据TrendForce数据，产能方面，2025年HBM占DRAM总产能占比预估将超过 10%；产值方面，2025年HBM之于DRAM总产值有机会逾三成。TrendForce集邦咨询预估， 2025年HBM需求位元可望在2024年基础上再翻倍。 MRDIMM新型内存模组有望缓解AI时代“内存墙”问题。在AI时代，数据驱动的工作负载需求不断增长，传统内存RDIMM传输带宽的线性增长与CPU核心数量的指数级增长不相匹配，“内存墙”问题凸显。MRDIMM借助DDR5规范，采用特殊多路复用技术，可在单一时钟周期内对两个Rank执行读写操作，有效提升带宽与内存运算效能。MRDIMM容量大、成本低、扩展方便，能直接兼容现有DDR5插槽，在科学计算、大语言模型推理等场景性能提升显著。目前，SK海力士、美光科技、三星、英特尔等内存厂商积极支持该技术，澜起科技等可提供关键MRCD/MDB芯片套片。随着技术成熟，预计更多服务器CPU将支持MRDIMM，推动AI基础设施建设中终端市场对其的需求增长。 CXL技术凭借其内存池化、缓存一致性和低延迟特性，有望成为重构算力基础设施的关键，市场规模有望快速增长。CXL技术是一种高速互联技术，旨在改善计算系统内部各个组件之间的通信效率。它提供了一种高带宽、低延迟的通信通道，使内存、加速器和其他计算资源能够直接连接，从而大幅提升了数据传输速度和系统整体性能。市场调研机构ABIResearch表示，CXL技术通过内存池化和共享内存资源，显著提高了内存利用率。例如，与传统方案相比，CXL内存扩展可以将每GB内存的成本降低约52%。据市场咨询机构Yole预测，到2028年，CXL市场新增规模将达到近160亿美元。中国市场规模预计将占1/2，达80亿美元。 在AI技术迅猛发展的背景下，存储容量和性能的提升显得尤为重要。随着数据的爆炸式增长，生成式AI应用走