存储行业深度报告：电子行业：AI驱动叠加自主可控，看好国产存储产业链

一、AI需求爆发驱动存储行业“超级周期”

• AI训练和推理对算力需求快速增长，推动存储需求从“容量驱动”转变为“容量+带宽+延迟”等性能驱动。
• AI服务器出货量持续增长，引发对存储的需求进一步扩张。
• AI推理驱动基础设施发展，云厂商资本开支提升，存储需求大增引发涨价潮。
• HBM/高端SSD成为“核心资产”，高端化挤压传统市场。
• 存储结构创新将围绕AI架构进行创新，传统的“计算-存储分离”架构已经无法满足AI大模型的需求。

二、结构性供应紧张驱动存储价格延续上涨

• DRAM：
  • 海外存储厂商产能向更先进制程倾斜，供给偏紧格局延续，DDR4持续上涨。
  • AI训练与推理加大对大容量DDR5、HBM需求，预计DDR5涨价趋势将延续。
  • HBM几乎成为高端AI芯片“标配”，收入贡献整体提升。
  • 海外存储原厂产能向HBM、DDR5等高利润产品倾斜。
• NAND：
  • 数据中心、AI算力驱动，驱动NAND需求提升。
  • 下游需求强劲，NAND价格上行延续。
  • 冷数据转温，AI驱动下数据分层结构逐步转变，推动存储从HDD转向SSD/DRAM。
  • HDD供给受限与过长交付周期，驱动SDD加速渗透。
  • AI服务器成为企业级SSD市场的重要增长来源。

三、国产化提速，看好国产存储产业链

• 自主可控+景气周期确定，大陆存储扩产动力充足：
  • 存储芯片供给紧张，国产替代、自主可控是科技领域的长期趋势，“两存”（长鑫存储、长江存储）扩产动力充足以提升市占率。
  • 长鑫科技启动IPO，资本化提速利好后续扩产。
  • 技术迭代方面，长鑫科技正在向DDR5、LPDDR5转移，长江存储重点推进3D NAND芯片产能爬坡。
• 产业链：涨价周期叠加扩产周期共振，关键环节有望受益：
  • 设计：海外大厂转向先进制程，利基存储补位市场需求，国产生态构建与技术突破协同推进，设计环节高毛利相对稳健。
  • 设备：存储产业资本投资重心逐步转向高附加价值产品，有助于存储设备向高性能、高能量方向升级，3D NAND 有望推动核心工艺设备量价齐升，AI驱动存储需求增长，国产设备厂商有望深度受益。
  • 模组：周期涨价+库存红利，模组厂商毛利有望持续修复，AI与高端应用需求提升驱动产品结构升级，加速国产替代进程。
  • 封测：先进封装需求激增，产能紧张，多重周期驱动订单需求增长，先进封装升级驱动溢价提升，国产替代加速，绑定国产核心客户助力市场份额提升。

四、投资建议

• 2025Q4存储价格延续上涨，DDR4因供给收缩从而价格上涨，DDR5、HBM等大容量、低延迟存储芯片受AI服务器、数据中心建设需求驱动，开启本轮存储涨价和技术升级周期。
• 展望2026年，存储产能紧张趋势有望延续，以“两存”为代表的国产厂商扩产动力充足，我们看好国产存储厂商扩产带来的产能增量以及先进工艺技术进步带来的价值量提升。
• 建议关注相关ETF如国联安半导体ETF、华夏国证半导体芯片ETF、嘉实上证科创板芯片ETF、华夏上证科创板50成份ETF、中韩芯片、广发中证半导体材料设备ETF、天弘中证电子ETF。

五、风险提示

• AI服务器出货量不及预期风险。
• 国产化进程不及预期。
• 存储价格大幅波动风险。
• 存货跌价准备大幅增加风险。