一、半导体设备行业概况
- 行业地位与增长：半导体设备是半导体产业链上游的核心支撑产业，位于产业链的基石地位。根据SEMI数据，2025年上半年，中国大陆仍保持全球最大单一市场地位，份额为33.2%。2025年前三季度，国内八家半导体设备龙头公司合计营收同增37.3%，归母净利润同增23.9%。
- 行业影响因素：半导体设备行业受行业政策、行业周期及国内厂商技术进度等多重因素影响。地缘政治紧张导致的出口管制政策持续收紧，倒逼下游晶圆厂加速验证导入本土设备，推动国产化进程。国内半导体产业政策环境持续优化，本土设备厂商技术持续突破，核心竞争力显著增强。
- 行业竞争格局：全球半导体前后道设备市场均增长强劲。2025年全球前道设备销售额预计同比增长6.2%至1108亿美元，2026年有望进一步增长10.2%，突破1221亿美元。逻辑与存储芯片相关设备需求增加推动前道设备销售额增长。存储端资本开支弹性凸显，NAND设备市场在经历调整后迎来强劲复苏，预计2025年将大幅增长42.5%至137亿美元。DRAM设备受HBM投资热潮拉动，预计未来两年仍将维持稳健增长。晶圆制造设备占据半导体设备行业绝对主导，三大前道核心工艺价值量显著，分别为薄膜沉积、刻蚀与光刻，三者合计占据了前道晶圆制造设备价值量61%。当前国产化进程呈现显著的结构性分化特征，核心前道环节替代潜力巨大。国产设备在28nm及以上成熟制程已实现基本覆盖，国产化率超过80%，但在14nm以下先进制程领域渗透率仅约10%，国产替代空间广阔。从环节维度看，去胶与热处理环节的设备国产化率较高，但高价值量的刻蚀、薄膜沉积、光刻等设备国产化率仍较低，刻蚀、薄膜沉积设备处于10%至30%的加速渗透期，光刻机国产化率仍不足1%。
二、AI与存储需求驱动设备需求爆发
- AI大模型推动存储需求：大模型向思维链（CoT）机制及多模态演进，推动数据吞吐量指数级跃升，直接拉动高性能存储需求。多模态模型迭代催化数据爆发，存储性能与容量需求迎来指数级跃升。
- 存储芯片供给增长保守，供需缺口推升价格中枢：2025年DRAM总产能扩张乏力，HBM供给增量受制于基础晶圆投片量。2025年NAND原厂产能扩张克制，供给端显著受限。高阶产能虹吸效应显著，常规DRAM因供给受限迎来补涨。受QLC产品热度外溢驱动，NAND价格持续上涨。
- 自主可控叠加存储周期，国内厂商扩产空间巨大：全球存储供需紧张叠加地缘政治因素，国内存储面临更严峻的存储芯片产能缺口。国内市场方面，我国存储芯片长期存在15%-20%的贸易逆差，对外依存度较高。考虑到外资存储厂商在大陆的产能情况，我国存储芯片的实际缺口将更大。国内存储厂商扩产加速，长鑫存储IPO辅导启动且LPDDR5X等先进制程加速突破，长江存储三期项目落地，国产存储扩产确定性与自主可控诉求空前增强。
- 受益存储扩产及存储技术升级，刻蚀、薄膜沉积等设备量价齐升：存储芯片架构正经历从2D向3D的深层次变革，制造工艺中对高深宽比刻蚀及先进薄膜沉积的要求呈指数级提升。在此轮技术迭代中，刻蚀与薄膜沉积等关键设备的市场有望分别实现1.7倍及1.8倍的显著增长。
三、投资建议
- 核心受益标的：看好深度受益于存储扩产及3D技术迭代，且在刻蚀、薄膜沉积等高价值环节具备领先地位的中微公司等。
- 平台化龙头：看好产品线覆盖广、受益于先进制程验证导入的平台型龙头北方华创。
- 细分赛道突围：建议关注在CMP、量测检测、等环节国产化率快速提升的华海清科、中科飞测、精测电子等。
四、风险提示
- 晶圆厂资本开支及扩产项目推进不及预期的风险。
- 行业竞争加剧及平台化布局带来的风险。
- 海外制裁加剧及核心零部件供应链交付风险。
