一、HBM复盘
HBM（高带宽存储器）通过准受内存芯片和TSV（硅通孔）技术与微凸点互连，实现更高的带宽、更大的内存容量和更低的功耗，解决了传统内存技术在处理高性能计算和图形密集型应用时面临的带宽瓶颈问题。HBM经历了从HBM1到HBM3E的多次产品迭代，容量从1GB提升至36GB，带宽从128GB/s提升至1.2TB/s。
二、HBM需求
AI浪潮推动HBM需求高增。CSP（云服务提供商）资本开支增加，AI服务器放量+配置升级，推动HBM需求高增。预计2025年/26年HBM总位元需求量同比增速分别达+89%/+67%。AI服务器出货占比将升至15%以上，未来两年AI服务器出货量CAGR~17%。2025年NVIDIA GPU消耗HBM超五成，预测2026年ASIC需求或同比激增50%以上。英伟达主流GPU配置采用HBM3E，下一代Rubin架构GPU或推高HBM4应用。
三、HBM供给
原厂坚定加速HBM产能扩张节奏，产线往更高端代际升级。当前全球HBM供给基本被SK海力士、三星、美光三家垄断，预计2025年HBM市占率比例将分别为52%/29%/19%。国内HBM产业处于起步阶段，与国际巨头相比仍有差距，但部分企业已取得一定进展。HBM3E代际为当前主流，预计2025年HBM3E市场份额大幅提升，占比有望超过95%。预计HBM4代际将于2026年下半年接棒市场主流。SK海力士、美光接连宣布，2025年全年HBM产能已全部售馨。预计2025年/26年HBM总位元供给量同比+84%/+47%。三大原厂发力积极扩产，测算2025年/26年原厂HBMTSV月产能或有望至39万片/48万片。
四、HBM供需及价格研判
供给相对充足，需求高增与高端迭代催化价格上行。测算2025-2026年HBMS/DRatio将分别达45%/27%，供需差距缺口有望进一步缩小。预计2025年/26年HBMASP将达1.76/1.84美元/Gb，高端产品迭代助推未来价格上行。
五、HBM未来演进
HBM4 16Hi或2026年落地，散热/键合等技术升级适配未来需求。HBM当前进展：2025年原厂HBM3E 12Hi已量产并成为主流，下一代HBM4 16Hi或有望2026年实现。HBM未来路线：HBM4→HBM8迭代，随I/O数/堆叠层数/单层容量升级向混合键合等技术演进。
六、AI时代存储趋势
AI应用落地推升存储需求，NAND/DRAM价格或延续上涨。预计2025年DRAM位元供需比达97.9%，价格有望上涨。预计2025年NANDFlash位元供需比达98.3%，价格有望上涨。AI时代数据量激增，AI手机/AIPC/AI服务器应用落地推动存储需求提升。预估2025Q3季度DRAM/NANDFlash合约价季涨幅分别为15~20%/5~10%，延续上涨态势。
七、投资建议及风险提示
AI大算力浪潮催生新动能，芯片国产替代坚定推进，重点关注AI产业链相关公司及“龙头低估”&“困境反转”企业。国产AI存储产业链：供给端减产及AI相关需求强劲，推动存储价格继续上涨，重点关注江波龙、澜起科技、联瑞新材等。
风险提示：AI落地需求低于预期风险；地缘政治风险；行业竞争加剧风险；技术进展不及预期等。
