国产刻蚀和沉积设备最厉害能做到多少纳米制程？

当前国产半导体刻蚀与沉积设备的先进制程适配能力正处于快速突破阶段，两类设备的商业化落地与前沿研发进展呈现出不同的推进节奏。

从已经实现量产落地、进入国内晶圆厂成熟产线应用的刻蚀设备来看，目前最高可支持的芯片制程节点为5nm及以下，代表厂商中微公司的等离子体刻蚀机已经覆盖该节点，不仅打入台积电的5nm及以下先进产线，北方华创的刻蚀设备也已进入中芯国际先进产线落地应用 【1】 。而国内头部半导体设备厂商的在研高端刻蚀设备，制程支撑上限已经进一步覆盖5nm以下的先进节点，同时也瞄准了3D NAND存储领域200层以上的极高堆叠需求：其中中微公司在研的ICP刻蚀设备明确面向5纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和200L以上的3D NAND芯片的刻蚀需求，同时CCP刻蚀设备也正在开发能够涵盖5nm以下制程的型号，目前中微公司已实现5nm及更先进刻蚀设备的量产交付，相关设备已批量应用于台积电5nm及以下的先进产线 【29】 【1】 ；北方华创的先进制程刻蚀机已在客户端通过多道制程工艺验证并实现量产应用，同时布局追赶5nm-3nm节点的ICP刻蚀设备研发，2022年推出的CCP刻蚀设备也完善了自身刻蚀产品矩阵 【27】 【35】 。整体来看，国产刻蚀设备的先进制程落地进度较快，已经形成量产先进节点产品、同步研发更下一代技术的发展格局。

相比之下，国产沉积设备的先进制程商业化进度稍缓。目前已完成商业化落地、批量供应晶圆制造厂商的国产沉积设备，最高可适配到14nm制程节点，代表产品为拓荆科技的PF-300T ex型号PECVD设备，该产品已经实现产业化落地，可适配12英寸14-28nm逻辑芯片以及对应制程的FLASH、DRAM存储芯片制造场景，属于已经批量供应晶圆厂的成熟商用产品 【22】 。当前国产沉积设备整体正处于从成熟制程替代向更先进制程进发的爬坡阶段，10nm以下制程的相关沉积设备还处于研发阶段，暂未实现大规模商业化批量供应 【1】 。目前暂未查询到国内前沿科研机构与企业联合研发的下一代沉积设备对应的公开最高制程能力参数，但现有公开信息显示，拓荆科技基于新型设备平台开发的多款先进制程验证机台已顺利通过客户认证进入规模化量产，可适配ONO叠层、先进介质层等工艺需求，相关产品进展优于预期 【36】 ；北方华创推出的12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430，是国内HiK量产生产线的主力机台，可适配45nm及以下节点的HKMG工艺需求，在薄膜均匀性、颗粒控制、工艺稳定性上表现优异 【42】 ；同时国产ALD相关技术已可精准匹配3nm以下先进制程对极薄关键层的严苛需求，依托原子层级层状生长的特性适配复杂3D器件结构 【39】 。