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功率半导体IGBT专题报告

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由MOS、BJT组成的复合全控型功率半导体

分享用户: 花***报告数量: 24最近更新: 2023-01-11

专题报告介绍

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由MOS、BJT组成的复合全控型功率半导体,兼具MOS输入阻扛高、BJT导通电压低的两大优势,驱动功率小且饱和电压低,适用于高压、大电流领域,是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。目前,IGBT行业下游需求较为旺盛,未来行业景气度持续性有保障。

专题报告预览

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