IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT和MOSFET组成的复合全控型功率半导体器件，具有自关断特征，常用于大功率开关应用。IGBT模块通常包含IGBT芯片和续流二极管，具有节能、安装方便等特点。国内IGBT产业主要受制于晶圆生产瓶颈，大晶圆可降低单位芯片成本，但薄片工艺和背面工艺技术难度大。国内IGBT模块封装技术相对成熟，但先进封装技术落后于国外。
IGBT与MOSFET的9大异同点：
- 低电流区MOSFET导通电压低于IGBT，大电流区IGBT正向电压特性优于MOSFET；
- IGBT高温特性优于MOSFET；
- IGBT适用于中到极高电流，MOSFET适用于低到中等电流；
- IGBT适用于千Hz级频率，MOSFET适用于兆Hz级频率；
- IGBT开关速度低于MOSFET；
- IGBT可承受高电压大功率，MOSFET适用于低至中压；
- IGBT关断时间长于MOSFET；
- IGBT可处理任何瞬态电压电流，MOSFET受瞬态电压干扰；
- MOSFET成本低，IGBT成本高。
应用方面，MOSFET适合高频开关应用，IGBT适合高压大电流应用。IGBT在新能源汽车高压系统中为核心器件，用于主驱逆变、OBC、电池管理系统等；MOSFET主要用于汽车低压电器。
国内IGBT产业现状：
- 国产化进程：华润微、士兰微、新洁能、捷捷微电（MOSFET）；比亚迪微电子、斯达半导体、士兰微（IGBT）进入与国际厂商混战阶段。
- 领军企业：中科院微电子所（中科君芯）、斯达半导体、宁波达新、上海陆芯、南京银茂微电子、江苏中科君芯等。
- 新进入者：扬杰科技、华微电子、中车时代、比亚迪、瑞能半导体、广东芯聚能、富能半导体等。
市场竞争格局：
- 国外厂商：美国（TI、Fairchild等）、欧洲（Infineon、ST等）、日本（Toshiba、Renesas等）、中国台湾（立锜、富鼎等）。
- 国际领先厂商：英飞凌、三菱、ABB（1700V以上工业IGBT）、西门康、仙童（1700V以下消费IGBT）。
- 技术差距：国内厂商在产业链上游技术落后，高端制造业水平不足，核心技术仍掌握在发达国家企业手中。
研究结论：
中国IGBT产业链逐步具备国产替代能力，但技术壁垒仍高，需在晶圆制造、芯片设计、模块封装等环节取得突破。随着全球制造业向中国转移，中国功率半导体市场规模庞大，未来发展潜力巨大。
