LAM Research（LRCX.O）CY26Q2业绩点评及业绩说明会纪要

证 券 研 究 报告 LAM Research（LRCX.O）CY26Q2业绩点评及业绩说明会纪要 会议时间：2026年7月29日 会议地点：线上 季度营收新高，WFE指引上修至1500亿美元区间 事项： 华创证券研究所 2026年7月29日LAM Research发布2026年6月季度（公司财季FY2026Q4，对应自然季CY26Q2）及FY2026财年业绩，并召开业绩说明会（以下除标注外均为Non-GAAP口径）。FY2026Q4，公司营收67.2亿美元（QoQ+15%，YoY+30%），创单季历史新高。 证券分析师：岳阳邮箱：yueyang@hcyjs.com执业编号：S0360521120002 评论： 业绩总览：FY2026Q4公司实现营收67.2亿美元（QoQ+15%，YoY+30%）创单季新高、高于指引中值；Non-GAAP毛利率52.0%为近20年最高，营业利润率38.4%，Non-GAAP每股收益1.82美元，均超指引上沿。FY2026全年营收232.3亿美元（YoY+26%）、Non-GAAP每股收益5.82美元（YoY+41%），分别超市场一致预期约0.14%、2.26%。 相关研究报告 《意法半导体（STM）FY26Q2业绩点评及业绩说明会纪要：营收超业绩指引，AI数据中心带动业绩预期上调》2026-07-25《Alphabet（GOOGL）FY2026Q2业绩点评及业绩 结构亮点：NAND收入环比翻倍（向256层及以上转换、主要面向企业级SSD），存储占系统收入46%、美元金额创新高；分地区中国台湾27%（美元创新高）、中国大陆26%（自上季度34%回落）；客户支持业务（CSBG）收入24.7亿美元连续第三季创新高（QoQ+17%，YoY+43%）。 说明会纪要：云业务增长强劲，继续加码资本开支》2026-07-25 《台积电（TSM）2026Q2业绩点评及法说会纪要：26Q2业绩超指引上限，全年资本支出指引提高》2026-07-20 行业需求：公司将CY26 WFE预期上修至约1500亿美元低区间（此前1400亿美元）；客户已公布多年期新厂建设计划，并提前下达设备订单，以配合新增洁净室分阶段投产，为公司2027年的显著增长奠定基础。成长驱动：AI由训练向推理、agentic乃至physical AI逐波推进，推动flash存储、先进DRAM与foundry架构、先进封装需求；LAM可服务市场（SAM）加速迈向WFE的high-30%区间；Akara、VECTOR、Argos等新品持续扩份额，先进封装收入同比增长超70%。 指引与回报：FY2027Q1公司指引营收81亿美元±4亿（中值QoQ约+20%）、毛利率52%±1pct、每股收益2.15美元±0.15；公司上修长期框架，未来数年拟将毛利率驱向mid-50%、营业利润率mid-40%；FY2026Q4返还45%自由现金流、年初至今81%，长期目标≥85%。 风险提示： AI资本开支及数据中心投资不及预期；NAND/存储供需与价格波动；新厂投产与洁净室释放节奏不及预期；供应链紧张与关税压力。 目录 一、LAM FY2026Q4业绩情况.......................................................................................3 （一）总体业绩.................................................................................................................3（二）现金流与股东回报.................................................................................................3 二、公司营收结构.............................................................................................................4 （一）按产品分部（系统收入）.....................................................................................4（二）按地区划分.............................................................................................................4（三）客户支持业务（CSBG）.......................................................................................4 三、行业观察与公司进展.................................................................................................5 （一）WFE与需求展望....................................................................................................5（二）SAM扩张与产品进展...........................................................................................5（三）先进封装与智能服务.............................................................................................6 四、公司业绩指引.............................................................................................................6 五、问答部分.....................................................................................................................6 一、LAMFY2026Q4业绩情况 （一）总体业绩 营收情况：FY2026Q4公司实现营业收入67.2亿美元（QoQ+15%，YoY+30%），高于指引中值，创连续第四个季度历史新高，环比增长由NAND收入翻倍驱动。 盈利情况：FY2026Q4，公司Non-GAAP毛利率52.0%（QoQ+2.1pct），为近20年最高，超指引上沿，受益于提价、运营与规模效率及产品结构改善；Non-GAAP营业费用9.16亿美元（研发占67%）；Non-GAAP营业利润25.81亿美元，营业利润率38.4%（QoQ+3.4pct），超指引上沿。 FY2026Q4，公司Non-GAAP净利润22.80亿美元；Non-GAAP摊薄每股收益1.82美元（QoQ+23.8%），创新高、超指引上沿，GAAP每股收益1.81美元。 当季Non-GAAP税率11%，预计FY2027Q1升至mid-teens（因美国等高税率地区收入占比上升及GILTI税率提高）。递延收入余额24.3亿美元（环比+2.13亿美元，主因客户预付款）。 全年（FY2026）业绩情况：公司FY2026全年营收232.3亿美元（YoY+26%，FY2025为184.4亿美元），Non-GAAP毛利率50.6%，Non-GAAP每股收益5.82美元（YoY+41%，FY2025为4.13美元），均创历史新高，超此前2025投资者日盈利目标。 （二）现金流与股东回报 FY2026Q4，公司自由现金流12.68亿美元；公司回购2.46亿美元、派发股息3.25亿美元，当季返还自由现金流的45%，年初至今返还81%，长期目标为将至少85%的自由现金流返还股东；董事会回购授权余额40亿美元。 季末现金及短期投资56亿美元；应收账款周转天数（DSO）72天；存货42.8亿美元、周转率3.0次（近五年最高）；资本开支1.89亿美元；员工约22,400人（环比增约1,800人，主要为工厂与现场组织）。 二、公司营收结构 （一）按产品分部（系统收入） 1）存储：占系统收入46%（QoQ+7pct，美元金额创历史新高）。其中 非易失存储（NVM/NAND）占23%（QoQ+11pct），NAND收入美元环比翻倍，行业聚焦向256层及以上器件转换、主要支撑企业级SSD；DRAM占23%（QoQ-4pct，但美元与上季度创纪录水平基本持平），支出投向1α/1β/1γ节点的晶圆新增与技术升级，支撑DDR5、LPDDR5与HBM。 2）代工（Foundry）：占系统收入44%（QoQ-10pct），中国大陆成熟节点支出环比下降，被2nm/3nm先进节点及先进封装的强劲投资大幅抵消。 3）逻辑及其他（Logic/other）：占系统收入10%（QoQ+3pct）。 （二）按地区划分 FY2026Q4总营收分地区：中国台湾27%（QoQ+4pct，美元金额创新高）、中国大陆26%（QoQ-8pct，其中跨国客户环比增长、本土客户下降）、韩国20%（QoQ-3pct）、日本9%、美国9%、东南亚5%、欧洲4%。 资料来源：LAM，华创证券 （三）客户支持业务（CSBG） FY2026Q4CSBG收入24.7亿美元，连续第三个季度创新高（QoQ+17%，YoY+43%），环比增长主因升级业务收入创纪录，Reliant与服务小幅增长，备件维持上季度的强劲水平。管理层表示Equipment Intelligence与先进服务将带来增量增长。 资料来源：LAM，华创证券 三、行业观察与公司进展 （一）WFE与需求展望 1）WFE上修：公司将CY2026晶圆制造设备（WFE）支出预期上修至约1500亿美元出头（此前约1400亿美元）。 2）中长期：客户在AI驱动下录得创纪录的收入与盈利，释放前所未有的长期需求可见度，客户已公布多年期新厂建设计划，并提前下达设备订单，以配合新增洁净室分阶段投产；行业仍显著供不应求，为公司2027年的显著增长奠定基础。 3）AI浪潮：AI由训练向推理、agentic乃至physical AI逐波推进，尤其在NAND领域，AI模型上下文窗口持续扩大，叠加持久化记忆需求增长，正在显著拉动闪存需求；同时，GAA、CFET、HBM、4F²及面板级先进封装等技术持续演进，推动先进逻辑、DRAM及先进封装的工艺复杂度提升，沉积与刻蚀设备的单片晶圆价值量随之增长。 （二）SAM扩张与产品进展 公司SAM加速迈向WFE的high-30%区间，快于2025投资者日规划。 1）导体刻蚀：全球装机超40,000腔体，新平台Akara结合DirectDrive等离子体与高深宽比图形化能力，率先用于2nm及以下GAA、并在先进DRAM获多个战略Tool-of-Record，装机自推出以来每年翻倍、预计2027延续。 2）DRAM图形化：客户采用VECTOR硬掩膜沉积平台用于low-k薄膜图形化（与导体刻蚀协同优化，较传统方案节省成本超20%），并采用VECTOR扩散阻挡系统（较竞品降低电容约5%）。 3）表面工程：FinFET向GAA迁移使表面处理应用约翻倍，Argos选择性刻蚀在2nm及以下foundry/logic获选并拓展至DRAM。