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证 券 研 究 报告 SK海力士(000660.KS)FY2025Q4业绩点评及业绩说明会纪要 会议时间:2026年1月29日会议地点:线上 HBM构筑核心增长动能,25年营收利润均破纪录 ❖事项: 华创证券研究所 2026年1月29日SK海力士发布2025年Q4季度报告,并召开业绩说明会。公司财务季度FY2025Q4截至2025年12月31日,即自然季度CQ2025Q4。2025Q4,公司实现营收32.8万亿韩元,同比增长66%,环比增长34%;毛利率为69%,同比提升17pct,环比提升12pct。 证券分析师:岳阳邮箱:yueyang@hcyjs.com执业编号:S0360521120002 ❖评论: 证券分析师:吴鑫邮箱:wuxin@hcyjs.com执业编号:S0360523060001 1.业绩总览:25Q4营收32.8万亿韩元(QoQ +34%,YoY +66%),创下季度营收新高。毛利率为69%(QoQ +12pct,YoY +17pct),主要得益于市场对HBM和传统服务器内存的需求大幅增长,致使DRAM和NAND价格的大幅上涨以及NAND位出货量的增长。25Q4实现净利润15.2万亿韩元(QoQ +21%,YoY+90%),净利率为46%(QoQ-6pct,YoY +5pct)。 联系人:卢依雯邮箱:luyiwen@hcyjs.com 2.终端市场:1)整体需求,DRAM需求在2026年增速将进一步提升至20%以上;NAND需求在2026年同比增长15-20%,整体需求结构稳健。2)服务器,AI模型向推理转型,计算架构更趋分布式,系统设计聚焦端到端效率,通用服务器对内存密度和带宽需求激增;服务器DRAM、eSSD需求将随市场稳步增长,叠加服务器产品规格升级,2026年服务器端市场预计近10%增长。3)PC/智能手机,由于零部件成本上涨和消费者信心减弱,预计个人电脑和移动设备的短期出货量将有所调整。受价格上涨和供应限制的影响,预计单台设备的内存容量增长速度将放缓。个人电脑和移动应用的内存需求增长速度预计将低于整体市场。 相关研究报告 《台积电(TSM)2025Q4业绩点评及法说会纪要:25Q4利润创历史新高,大幅提高资本开支预算加速产能扩张》2026-01-16《美光科技(MU)FY2026Q1业绩点评及业绩说 明会纪要:各业务单元均创营收记录,毛利率大幅超过指引上限》2025-12-19《英伟达(NVDA)FY26Q3业绩点评及业绩说明 3.技术/产品亮点:1)HBM:能够可靠地提供HBM3E和HBM4产品。HBM4的大规模生产工作有序推进,准备通过与客户及合作伙伴加强合作的方式,推出经过优化的定制型HBM产品。2)DRAM:扩大高密度DRAM等高价值产品生产,同时加速1cnm技术迁移与产能优化,拓展含SOCAMM2、GDDR7在内的人工智能内存产品组合。3)NAND:通过321L迁移技术提升产品竞争力,依托Solidigm QLC eSSD拓展人工智能存储能力,并开发下一代245TB产品以布局超高密度人工智能存储市场。 会纪要:业绩与指引双双超预期,GB300+Rubin系列5000亿美金在手订单清晰可见》2025-11-21 4.资本开支:据公司指引,1)提前提升M15X的产能,同时加快向1cnm DRAM和321L NAND的技术转型;2)快速扩建位于龙仁一期的生产基地;3)稳步推进清州P&T7和印第安纳州先进封装工程的筹备工作;4)预计2026年资本支出将显著增加,但仍将恪守资本支出纪律。 5.公司业绩指引:尽管第一季度通常是淡季,但客户需求依然强劲。公司预期DRAM 26Q1位元出货环比稳定,NAND 26Q1位元出货环比出现轻微的下降。 ❖风险提示: 技术研发不及预期,扩产不及预期,下游需求不及预期,贸易摩擦。 目录 一、SK海力士2025年四季度经营情况.................................................................................3 (一)总体营收情况.........................................................................................................3(二)技术/产品亮点........................................................................................................3(三)CAPEX....................................................................................................................4 二、按产品营收划分.................................................................................................................4 (一)DRAM.....................................................................................................................4(二)NAND.....................................................................................................................4 三、公司终端需求展望.............................................................................................................5 (一)PC/手机市场...........................................................................................................5(二)服务器市场.............................................................................................................5(三)NAND.....................................................................................................................5 四、FY2026Q1公司指引..........................................................................................................6 五、Q&A环节...........................................................................................................................7 一、SK海力士2025年四季度经营情况 (一)总体营收情况 2025Q4营收32.8万亿韩元(QoQ +34%,YoY +66%),创下季度营收新高。毛利率为69%(QoQ +12pct,YoY +17pct),主要得益于市场对HBM和传统服务器内存的需求大幅增长,致使DRAM和NAND价格的大幅上涨以及NAND位出货量的增长。2025Q4营业利润为19.2万亿韩元(QoQ +68%,YoY +137%),营业利润率为58%(QoQ +11pct),主要得益于人工智能和高性能计算(HPC)领域以及移动产品和eSSD的需求增长,推动DRAM和NAND闪存的价格大幅上涨。2025Q4实现净利润15.2万亿韩元(QoQ +21%,YoY +90%),净利率为46%(QoQ-6pct,YoY +5pct)。 资料来源:SK海力士官网 (二)技术/产品亮点 1)HBM:能够可靠地提供HBM3E和HBM4产品。HBM4的大规模生产工作正按与客户商定的进度有序推进,准备通过与客户及合作伙伴加强合作的方式,推出经过优化的定制型HBM产品。 2)DRAM:1)扩大高价值产品的生产。预计扩大高密度SV DRAM等产品生产;2)推进技术迁移与产能优化。加速1cnm迁移进程,以拓展人工智能内存产品组合,包括SOCAMM2和GDDR7等产品。 3)NAND:1)通过321L迁移技术最大限度地提升产品竞争力;(2)利用Solidigm QLCeSSD扩展人工智能存储能力;(3)为了引领超高密度人工智能存储市场,公司正在进行下一代245TB产品的开发。 (三)CAPEX 据公司预计: 1)提前提升M15X的产能,同时加快向1cnm DRAM和321L层NAND的技术转型; 2)快速扩建位于龙仁一期的生产基地 3)稳步推进清州P&T7和印第安纳州先进封装工程的筹备工作 4)预计2026年资本支出将显著增加,但仍将恪守资本支出纪律。 二、按产品营收划分 (一)DRAM 由于HBM3E 12i产品和服务器DDR5的销量增长,位元出货量实现低个位数增长。同时,行业供应增长速度无法跟上需求,导致价格普遍上涨,平均销售单价实现25%左右的环比上升。 继25年3月向主要客户全球首批交付HBM4样品后,公司于9月率先实现量产,进一步巩固了在AI内存市场的技术领先地位。HBM营收同比增长超过一倍,主要得益于HBM3E12i销量的显著增长,并助力DRAM年度营收和营业利润创历史新高。在传统DRAM领域,公司已开始全面量产1Cnm DDR5,该产品拥有业界领先的性能和成本竞争力。此外,公司还开发了业界最高密度的256GB DDR5 RDM(基于1Bnm 32GbE工艺),并在多个型号中进一步展现了公司的领先地位。 (二)NAND NAND收入占总营收的23%,随着AI市场从训练向推理转型,分布式架构的需求将持续扩大,存储器的重要性进一步凸显,不仅HBM等高性能存储器需求增长,面向服务器的DRAM和NAND闪存等整体需求也将同步扩大,位元出货量实现大约10%的环比上升;市场供不应求,平均销售单价实现30-35%的环比上升。 公司持续巩固技术领先地位,包括25年上半年成功开发出三款21层QLC产品。此外,公司积极响应下半年企业级SSD需求的复苏,实现了NAND闪存年度营收创历史新高。 资料来源:SK海力士官网 三、公司终端需求展望 (一)PC/手机市场 由于零部件成本上涨和消费者信心减弱,预计个人电脑和移动设备的短期出货量将有所调整。受价格上涨和供应限制的影响,预计单台设备的内存容量增长速度将放缓。个人电脑和移动应用的内存需求增长速度预计将低于整体市场。 (二)服务器市场 人工智能模型正迅速向以推理为中心的模式转型,计算工作负载正从以高性能服务器为中心的架构转向更加分布式的架构。系统设计的核心不再仅仅局限于计算性能,而是越来越注重端到端的系统效率,包括数据传输和存储。为了支持AI工作负载,通用服务器对内存密度和带宽的需求正在迅速增长。因此,预计服务器DRAM和eSSD的需求将以与整体市场增长相匹配的速度稳步增长。同时,AI服务器及通用服务器产品规格不断升级,预计在2026年服务器端将实现接近10%的增长。 (三)NAND N