业绩总览
- FY24Q3营收17.57万亿韩元（环比+7%，同比+94%），低于市场预期（18.16万亿韩元）。
- 毛利率52%（环比+6pct，同比+51pct），主要得益于HBM、eSSD等高附加值产品占比提升。
- HBM出货量环比+70%，同比+330%；企业级SSD出货量环比+20%，同比+430%。
- 净利润5.75万亿韩元（环比+40%，同比扭亏），净利率33%（环比+8pct，同比+57pct）。
技术与产品亮点
- HBM：收入占比达30%，预计Q4提升至40%；HBM3E 12Hi Q4开始出货，预计25H1份额超8Hi。
- DRAM：开发出业界首个1c nm 16Gb DDR5，样品已送验证。
- eSSD：NAND收入占比超60%；60TB产品独家供应，122TB产品Q5H1开始供应；推出PCIe Gen5 eSSD产品PEB110。
终端市场需求
- PC：企业更新周期、Windows10结束、AI PC推动需求恢复，AI PC将推动LPCAMM2等高性能产品需求。
- 手机：AI功能渗透率提升，推动DRAM增长，增加LPDDR5X/LPDDR5需求。
- 服务器：AI服务器需求中长期持续，高性能HBM至关重要，定制化需求上升。
CAPEX与投资
- 专注高附加值产品生产，减少传统产品生产，加速向尖端产品转型。
- 2025年基础设施资本开支增加，主要用于清州M15X和龙仁集群建设，预计2026年贡献DRAM产能。
Q4指引
- DRAM位元出货环比+中个位数，增加HBM和服务器DRAM出货量。
- NAND位元出货环比+低个位数，eSSD销量增加。
- 扩大高附加值产品销售，提升盈利能力。
风险提示
- 技术研发不及预期，扩产不及预期，下游需求不及预期，贸易摩擦。
Q&A关键点
- 传统DRAM价格波动加剧，但HBM、DDR5、LPDDR5价格受供需影响不同，综合ASP预计继续改善。
- Q3 DRAM位元出货环比下降，NAND下降中十几百分比，主要受PC、手机需求疲软影响。
- HBM需求强劲，预计2025年需求高于预期，产能限制难以满足所有增加需求。
- 传统产品库存高，预计明年上半年恢复正常；DDR5、LPDDR5库存紧张，通过削减传统产品生产应对。
- HBM3E 12Hi按计划发货，预计明年上半年份额超8Hi，市场将占据领先地位。
- NAND业务聚焦盈利提升，保守投资，加速向企业级SSD转型，预计明年需求改善。
- 中国供应商进入市场，公司通过减少传统产品供应，聚焦高附加值市场应对。
- 2024年投资中高十几万亿韩元，2025年投资略高于今年，确保HBM稳定供应，灵活调整策略。
- Q3 NAND营收略微下降，主要因eSSD出货量减少，但ASP提升抵消影响，无显著一次性费用。
- HBM4开发进展顺利，计划2025年下半年交付，通过1b纳米和MR-MUF技术确保供应，维持市场领导地位。
