海外存储行业2026年7月跟踪：26Q3合约价涨幅放缓，高盈利韧性支撑长景气周期

海外存储行业2026年7月跟踪 本报告导读： 海外科技《业绩验证AI算力景气度，Kimi推动国产模型能力破圈》2026.07.20海外科技《存储景气度获业绩、融资再验证，海内外大模型迭代聚焦Agent与性价比》2026.07.12海外科技《Meta事件引短期震荡，韩国进入半导体大基建时代》2026.07.05海外科技《存储景气度上行，海内外前沿大模型全线升级》2026.06.27海外科技《变化，技术，投资——海外科技行业框架》2026.06.24 26Q3 DRAM/NAND合约价格涨幅收窄，部分规格现货价因行业库存备货周期有所波动，MLC NAND现货价延续双位数高增。6月韩国DRAM/NAND出口额同比增长385.2%/301.1%，中国台湾主要存储原厂6月营收同比增长325.6%。价格涨幅放缓并非周期见顶，市场定价重心有望从单季度价格弹性转向高盈利的多年持续性。 投资要点： 6月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍，5月韩国半导体产/销量/库存同比+1.46%/-3.56%/-7.28%。6月韩国存储出口额397.1亿美元，同比增长280.3%，环比增长23.6%。其中DRAM出口额218.5亿美元，同比增长385.2%；NAND出口额24.9亿美元，同比增长301.1%。5月韩国半导体产量/销量/库存同比+1.46%/-3.56%/-7.28%，产/销量同比增幅收窄/略下降主要由于产品价值量提升。 中国台湾主要存储产业链厂商6月营收延续高增。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商和品牌/模组厂商6月营收分别同比增长325.6%/296.0%/312.0%。南亚科Q2法说会表示产业结构性转变扩大需求缺口，预计存储供给短缺将持续，目前长约比重达到50%。 投资建议：存储行业已经从AI算力投资的受益方转变为制约AI基建的关键瓶颈，AI需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深。价格端，26Q3合约价涨幅放缓并非周期见顶信号，我们预计涨价趋势有望延续至2027年；长期协议并非限制涨价空间，而是让价格趋势更可预判，以短期价格弹性换取长期盈利和现金流可见性。产能端，我们认为供给纪律性仍然被市场低估，原厂大部分新增资本开支投向新建厂房和洁净室建设，扩产计划呈梯度推进，投产时间仍可跟随下游需求调整，26-27年实际新增产能有限。结构端，行业已经充分预期消费类终端需求疲软，而数据中心AI主线需求持续强劲，产能灵活调控下传统消费终端对行业供需格局的边际影响下降，不会改变供需失衡和价格温和上行的趋势。我们认为行业关注重点有望从单季度价格/利润弹性转向高盈利的多年持续性，从基于价格涨跌预期的周期博弈转向基于高盈利确定性的重新定价，推动估值中枢上行。推荐HBM4+SOCAMM2+企业级SSD全品类布局的美国本土存储龙头美光科技。建议关注受益于AI算力需求、兼具定价权和技术卡位的HBM/DRAM原厂SK海力士、三星电子；受益于企业级SSD需求旺盛的NAND厂商闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。 风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险。 目录 1.近期存储芯片价格趋势.........................................................................31.1.DRAM：合约价稳步上涨，DDR4 16Gb现货价下跌........................31.2.NAND：合约价小幅上涨，MLC NAND现货价涨幅领先.................41.3.DRAM/NAND合约价格预测...........................................................52.韩国半导体存储月度数据.....................................................................73.中国台湾存储产业链月度营收..............................................................84.近期存储行业动态................................................................................95.投资建议与风险提示..........................................................................115.1.投资建议......................................................................................115.2.风险提示......................................................................................11 1.近期存储芯片价格趋势 1.1.DRAM：合约价稳步上涨，DDR4 16Gb现货价下跌 DDR3/DDR4合约价格：5月DDR3/DDR4合约价环比4月上涨10%-25%。据DRAMexchange，截至2026年5月底，DDR3 4Gb/DDR4 4Gb合约价为11.00/12.00美元，环比4月上涨10.0%20.0%；DDR4 8Gb合约价为20.00美元，环比上涨25.0%；DDR4 16Gb合约价为40.00美元，环比上涨19.4%。 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月29日 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月29日 DDR3/DDR4现货价格：DDR3 4Gb现货价较6月中上涨22.6%，DDR48Gb/16Gb现货价格涨跌分化。据DRAMexchange，截至2026年7月15日，DDR3 4Gb现货价格为13.18美元，相比6月中上涨22.6%，2026年以来上涨229.4%，较2025年2月的低点上涨16.3倍。DDR4(8Gb(1Gx8)和DDR4(8Gb(512Mx16)现货价格分别为39.8/45.5美元，较6月中分别上涨11.2%/23.6%，2026年 以 来 上 涨64.6%/142.2%。DDR4(16Gb(2Gx8)和DDR4(16Gb(1Gx16)现货价格分别为79.38/59.00美元，较6月中分别上涨17.6%/下跌10.4%，2026年以来上涨23.1%/下跌8.4%。 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年7月15日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年7月15日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年7月15日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年7月15日 DDR5合约价格：6月DDR58Gb/16Gb合约价环比+3.1%/+3.2%，26年以来均上涨255.1%。据inSpectrum Tech，6月DDR5 8Gb合约价格为12.25美元，环比6月上涨3.1%，2026年以来上涨255.1%；6月DDR5 16Gb合约价格为24.50美元，环比6月上涨3.2%，2026年以来上涨255.1%。 DDR5现 货 价格：7月DDR516Gb/24Gb现 货 价较6月同期上涨8.8%/2.4%，26年以来上涨72.7%/20.3%。据inSpectrum Tech，截至2026年7月17日，DDR5(16Gb(2Gx8),4800/5600 MHz)现货价为45.84美元，相比6月中上涨8.8%，2026年以来上涨72.7%；DDR5(24Gb(3Gx8),5600/6400MHz)现货价格42.70美元，相比6月中上涨2.4%，2026年以来上涨20.3%。 资料来源：Bloomberg，inSpectrumTech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年7月17日 1.2.NAND：合约价小幅上涨，MLC NAND现货价涨幅领先NAND合约价格：6月TLC NAND合约价维持稳定或小幅上涨，QLC NAND合约价环比上涨4.2%。据inSpectrum Tech，截至2026年6月，TLCNAND 256Gb/512Gb/1Tb合约价格为12.32/24.60/34.00美元，环比5月增长0%/0%/2.4%，2026年以来上涨142%/156%/127%；QLC NAND 1Tb合约价格为30.60美元，环比上月增长4.2%，2026年以来上涨127%。 NAND现货价格：7月TLC NAND现货价环比跌幅收窄至1.5%-1.9%，QLC NAND价格环比持平，MLC NAND现货价环比上涨11.1%-11.4%。据inSpectrum Tech，截至2026年7月，TLC NAND 256Gb/512Gb/1Tb现货价格10.46/20.59/26.23美元，环比下跌-1.9%/-1.8%/-1.5%，较上月跌幅有所收窄，2026年以来上涨31.7%/72.0%/75.7%；QLC NAND 1Tb现货价格26.47美元，环比持平，2026年以来上涨86.9%。据DRAMexchange，截至2026 年7月13日，MLC NAND 32Gb/64Gb现货价格为15.55/31.39美元，相比6月同期上涨11.1%/11.4%，2026年以来上涨263.8%/346.0%。MLC NAND现货价涨幅较高主要由于海外原厂退出/减产，三星、铠侠、美光正加速将有限产能转移至数据中心所需的高端存储芯片。2026年3月起三星逐步关停最后一座2D NAND基地，改造为1c DRAM后端工厂。铠侠向客户通知2029年起全面退出2D NAND市场，停产范围包括32/24/15nm制 程的SLC/MLC/TLC全系列产品。美光收缩MLC产能并将旧制程晶圆产能全面转向AI数据中心所需先进存储。据TrendForce预测，2026年全球MLCNAND产能将同比减少41.7%。由于三星和美光拒绝向外授权核心制造技术，新玩家几乎无法入场填补缺口，医疗设备、工业机器人及车用等行业提前备货。 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年7月 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年7月 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年7月13日 1.3.DRAM/NAND合约价格预测供需持续偏紧，受消费级应用需求下修和价格已上涨至相对高位影响， 合 约 价涨幅收窄，预计26Q3通用DRAM合约价格上涨13-18%。据TrendForce预测，26Q3 DRAM合约价整体季增13-18%。PC DRAM方面，整机渠道价格全面上涨一定程度影响全年出货量，但原厂转移产能到服务器应用持续压缩PC DRAM供应规模。服务器DRAM方面，在CP U供给逐步改善下服务器整机出货保持强劲，支撑26H2 RDIMM消耗，Q3服务器DRAM供不应求态势延续，部分采购价受限于LTA，整体价格涨幅有所缩减。LPDRAM方面，受智能手机品牌调涨售价需求或进一步下滑，但原 厂因AI需求重新调配