2026年5月海外存储行业月度跟踪：存储现货价格止跌回升，长协密集落地支撑估值重构

本报告导读： 海外科技《巨头AI商业化加速兑现，战略布局持续深化》2026.05.17海外科技《海外算力硬件巨头业绩强劲，GPU/CPU/光互连景气共振》2026.05.10海外科技《北美云厂商业绩超预期，关注资本开支节奏》2026.05.02海外科技《现货价格短期扰动无碍周期韧性，Q2合约价延续高增》2026.04.25海外科技《AI产业景气共振，芯片与大模型迭代升级》2026.04.25 本月DDR4/DDR5现货价止跌回升，MLC NAND现货价涨幅持续扩大，在AI存储需求攀升、原厂产能倾斜、下游客户积极锁定长协供应的背景下，行业景气度持续向上。我们认为存储板块核心交易逻辑将从涨价/跌价预期的景气度博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值有望从周期峰值估值切换为具备长约支撑和现金流可见度的AI基础设施优质资产定价，推动行业估值中枢上行。 投资要点： 4月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍/2倍，3月韩国半导体产/销量同比增长9.9%/7.5%。2026年4月韩国存储出口额269.7亿美元，同比增长278.0%，环比减少4.3%。其中DRAM出口额153.9亿美元，同比增长342.7%；NAND出口额16.7亿美元，同比增长288.1%。3月韩国半导体产量/销量/库存同比+9.9%/+7.5%/-16.8%，产销两旺，库存持续消耗。 中国台湾主要存储产业链厂商4月营收增幅进一步扩大。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂及品牌/模组厂4月营收分别同比增长312.8%/231.1%/313.6%。模组厂威刚预计供需缺口延续至2027年，原厂旺宏表示下半年产能利用率满载，下半年业绩有望逐季走高。 投资建议：本月DDR4/DDR5现货价格止跌回升，我们认为主要由于渠道商库存消耗后回归补库需求，26H2有望回归供需失衡下的价格上涨趋势。当前原厂持续将产能向AI服务器相关产品倾斜，虽然部分消费类终端需求面临下修风险，但由于供给受产能分配制约，价格有望延续上行。我们认为当前时点仍处于本轮上行周期中段，主要存储厂商在2027年上半年之前的有效产能增量有限，各细分品类合约价涨幅仍有上修空间；叠加下游大客户通过长期协议（LTA）锁定供应，原厂资本开支风险降低，盈利可预测性提升，周期振幅有望显著收窄，存储板块交易逻辑有望从涨价/跌价预期的景气度博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值将从周期峰值估值切换为具备长约支撑和现金流可见度的优质AI基础设施资产的确定性溢价，推动行业估值中枢上行。建议关注受益于AI投资需求扩张、掌握定价权的DRAM原厂美光、SK海力士、三星电子；受益于NAND供给短缺、价格涨幅维持强势的闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。 风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险。 目录 1.近期存储芯片价格趋势..................................................................................31.1.DRAM：合约价延续高增，现货价止跌回升........................................31.2.NAND：合约价延续双位数上涨，MLC NAND现货价涨幅领先.......41.3.DRAM/NAND合约价格预测...................................................................62.韩国半导体存储月度数据..............................................................................73.中国台湾存储产业链月度营收......................................................................84.风险提示..........................................................................................................9 1.近期存储芯片价格趋势 1.1.DRAM：合约价延续高增，现货价止跌回升 DDR3/DDR4合约价格：3月DDR3 4Gb合约价环比上涨36.4%，DDR44Gb合约价环比上涨25.0%。据DRAMexchange，截至2026年3月底，DDR3 4Gb合约价格为7.50美元，环比2月上涨36.4%；DDR4 4Gb合约价为7.50美元，环比2月上涨25%；DDR4 8Gb/16Gb合约价为13.00/29.50美元，与2月持平。 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年3月31日 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年3月31日 DDR3/DDR4现货价格：DDR3 4Gb现货价较4月底上涨8.5%；DDR48Gb/16Gb现货价格止跌回升。据DRAMexchange，截至2026年5月21日，DDR3 4Gb现货价格为9.09美元，相比4月底上涨8.5%，2026年以来上涨127.2%， 较2025年2月 的 低 点 上 涨10.9倍 。DDR4(8Gb(1Gx8)和DDR4(8Gb(512Mx16)现货价格分别为32.90/28.25美元，较4月底分别上涨1.3%和上涨24.2%，2026年以来上涨36.0%/50.3%。DDR4(16Gb(2Gx8)和DDR4(16Gb(1Gx16)现货价格分别为60.14/60.00美元，较4月底分别下跌1.6%和上涨2.3%，2026年以来下跌6.7%/6.8%。 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月21日 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月21日 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月21日 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月21日 DDR5合约价格：4月DDR5 8Gb/16Gb合约价环比上涨近47.3%。据inSpectrumTech，4月DDR5 8Gb合约价格为11.88美元，环比上涨47.3%，2026年以来上涨244.3%；4月DDR5 16Gb合约价格为23.75美元，环比上涨47.3%，2026年以来上涨244.2%。 DDR5现货价格：5月初DDR5 24Gb现货价止跌上涨1.3%，DDR516Gb现货价止跌上涨2.8%。据inSpectrum Tech，截至2026年5月1日，DDR5(16Gb(2Gx8),4800/5600 MHz)现货价为32.26美元，相比4月初上涨2.8%，2026年以来上涨21.6%；DDR5(24Gb(3Gx8),5600/6400 MHz)现货价格33.20美元，相比4月初上涨1.3%，2026年以来下跌6.5%，跌幅收窄。 资料来源：Bloomberg，inSpectrumTech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月1日 1.2.NAND：合约价延续双位数上涨，MLCNAND现货价涨幅领先 NAND合约价格：4月TLC/QLC NAND合约价环比上涨11%-17%。据inSpectrum Tech，截至2026年4月，TLC NAND 256Gb合约价格为12.32美元，环比上月上涨11%，2026年以来上涨142%；TLC NAND 512Gb合约价格为24.60美元，环比上月上涨11%，2026年以来上涨156%；TLCNAND 1Tb合约价格为33.20美元，环比上月上涨17%，2026年以来上涨121%；QLC NAND 1Tb合约价格为29.38美元，环比上月上涨15%，2026年以来上涨118%。 NAND现货价格：TLC/QLC NAND和MLC NAND涨跌分化，截至 4月底TLC/QLC NAND现货价较上月下跌3%-6%，截至5月11日MLCNAND现货价相比4月同期上涨超14%-23%据inSpectrum Tech，截至2026年4月，TLC NAND 256Gb现货价格10.79美元，相比3月下跌3.1%，2026年以来上涨35.9%；TLC NAND 512Gb现货价格21.70美元，相比3月下跌5.6%，2026年以来上涨81.3%；TLC NAND 1Tb现货价格27.43美元，相比3月下跌5.3%，2026年以来上涨83.7%；QLC NAND 1Tb现货价格26.96美元，相比3月下跌3.6%，2026年以来上涨90.4%。据DRAMexchange，截至2026年5月11日，MLC NAND 32Gb现货价格为10.70美元，相比4月同期上涨14.2%，2026年以来上涨150.4%；MLC NAND 64Gb现货价格为20.30美元，相比4月同期上涨23.0%，2026年以来上涨188.4%。MLCNAND现货价涨幅进一步扩大主因主要原厂退出/减产MLC NAND，三星预计2026年6月完成MLC NAND最后出货后全面停止供应，美光目前仅按客户需求维持MLC NAND生产，将旧制程晶圆产能全面转向AI数据中心所需先进存储。此外，三星、美光在淘汰旧设备时拒绝向外界授权核心的MLC制造技术，新玩家几乎无法入场填补缺口。据TrendForce预测，2026年全球MLC NAND产能年减41.7%，MLC NAND市场出现明显的追货、提前锁量现象，供需缺口进一步扩大。 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月底 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月底 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月底 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月11日 1.3.DRAM/NAND合约价格预测 预计26Q2通用DRAM合约价格上涨58-63%。26Q2 AI服务器需求持续强劲，存储原厂加速将产能向HBM和服务器应用倾斜，并实施补涨策略缩小各产品价差。据TrendForce预测，26Q2通用DRAM合约价格有望上涨58-63%。其中PC DRAM因供应商主动削减OEM及模组厂的出货量，配额履行率较低的OEM厂商被迫从供应商或模组厂处以更高的价格采购，因此价格有望获得支撑。服务器DRAM受北美CSP加速部署AI推理需求拉动，供需结构持续紧张，供应商优先保障服务器DRAM出货并积极与核心客户谈判长期协议以支持产能扩张。智能手机DRAM方面，尽管部分手机品牌由于成本压力或于26Q2开始调整生产计划，但预计上半年整体需求缩减幅度有限，随着供应商与关键客户完成Q2定价并确定涨幅基准，通过追赶定价缩小不同应用的价格差距，移动DRAM价格预计较Q1持续上涨。消费级市场方面，2025年初以来内存价格持续上涨使部分产品的内存成本高于销售价格，导致采购需求有所放缓，但主要供应商逐步退出消费级DRAM细分市场导致供应短缺问题尚未缓解。 预计2026Q2 NAND Flash合约价格环比上涨70-75%。26Q2 AI算力投资持续升温，尽管NAND原厂通过制程升级、提升QLC占比扩大产出，但整体供给增量有限。据TrendForce预测，26Q2 NAND合约价格有望上涨70-75%。企业级SSD订单增