海外存储行业2026年6月跟踪：存储现货价格加速上行，NV机柜减配印证AI生态关键瓶颈

海外存储行业2026年6月跟踪 本报告导读： 海外科技《手机厂与三方生态协同发力，AIAgent加速落地进程》2026.06.14海外科技《Computex 2026召开，AI由云到端全面提速》2026.06.07海外科技《AI大模型功能迭代，软件应用开始启动》2026.05.31海外科技《OpenAI：AI时代的基础设施与超级入口》2026.05.30海外科技《智能体时代加速到来，AI算力与产品双线扩张》2026.05.24 DDR4/DDR5现货价企稳后涨幅扩大，MLC NAND现货价延续高增，5月韩国DRAM/NAND出口额同比增长370%/206%，中国台湾主要存储产业链厂商5月营收加速增长，WS TS预测2026年存储芯片销售额同比增长250%，英伟达Vera CPU内存减配凸显内存供应紧张和长期需求上行。 投资要点： 5月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍/2倍，4月韩国半导体产/销量同比增长13.0%/20.8%。2026年5月韩国存储出口额321.4亿美元，同比增长255.0%，环比增长19.2%。其中DRAM出口额186.1亿美元，同比增长369.7%；NAND出口额17.2亿美元，同比增长206.5%。4月韩国半导体产量/销量/库存同比+13.0%/+20.8%/-13.3%，产销量同比增幅扩大，库存维持快速消耗。 中国台湾主要存储产业链厂商5月营收增幅持续扩大。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商及品牌/模组厂商5月营收分别同比增长324.8%/296.1%/325.8%。南亚科股东会表示DRAM行业已逐渐摆脱过去高度波动的景气循环模式，转向较稳定的结构性发展，缺货情况至少延续至27年底。 投资建议：近期英伟达RubinNVL72机柜CPU侧SOCAM M内存模组容量减配引发市场对存储需求担忧，我们认为这是技术落地初期因LPDDR5X供给侧限制而采用的底线标准方案，并非需求收缩信号。AI需求支撑下本轮存储上行周期呈现出区别于历史商品周期强波动属性的结构性增长，Rubin机柜SOCAMM减配再次印证存储芯片已成为AI生态系统的关键瓶颈。Agentic AI带动KV Cache容量扩张及AI系统CPU:GPU配比提升对存储需求有望形成长期支撑。下游大客户通过长期协议锁定供应正逐渐成为行业标准（南亚科股东会披露客户主动要求签订2-3年以上长约），有望显著降低原厂资本开支风险，存储行业历史上较强的周期波动性有望边际收敛。我们认为存储板块的估值逻辑有望从基于景气度预期的周期性博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值有望从传统的周期峰值估值逐步切换为具备长约支撑和现金流可见度的AI核心基础设施资产的确定性溢价，推动行业估值中枢上行。建议关注受益于AI投资需求扩张、掌握定价权的DRAM原厂美光、SK海力士、三星电子；受益于NAND供给短缺、价格涨幅维持强势的闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波 动风险；地缘政治风险；供应链风险。 请务必阅读正文之后的免责条款部分 目录 1.近期存储芯片价格趋势.........................................................................31.1.DRAM：合约价维持高位，现货价加速上行....................................31.2.NAND：合约价维持高位，MLC NAND现货价涨幅领先.................41.3.DRAM/NAND合约价格预测...........................................................52.韩国半导体存储月度数据.....................................................................73.中国台湾存储产业链月度营收..............................................................84.本月存储行业动态................................................................................95.风险提示............................................................................................10 1.近期存储芯片价格趋势 1.1.DRAM：合约价维持高位，现货价加速上行 DDR3/DDR4合约价格：4月DDR3/DDR4合约价环比3月上涨13.6%-33.3%。据DRAMexchange，截至2026年4月底，DDR3 4Gb/DDR4 4Gb合约价均为10.00美元，环比3月上涨33.3%；DDR4 8Gb合约价为16.00美元，环比上涨23.1%；DDR4 16Gb合约价为33.50美元，环比上涨13.6%。 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月30日 资料来源：Wind，DRAMexchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月30日 DDR3/DDR4现货价格：DDR3 4Gb现货价较5月中上涨19.5%，DDR48Gb/16Gb现货价格较5月中上涨10.6%-40.2%。据DRAMexchange，截至2026年6月15日，DDR3 4Gb现货价格为10.74美元，相比5月中上涨19.5%，2026年以来上涨168.6%，较2025年2月的低点上涨13.1倍。DDR4(8Gb(1Gx8)和DDR4(8Gb(512Mx16)现货价格分别为35.80/36.80美元，较5月中分 别 上 涨11.9%/40.2%，2026年 以 来 上 涨48.0%/95.8%。DDR4(16Gb(2Gx8)和DDR4(16Gb(1Gx16)现货价格分别为67.50/65.83美元，较5月中分别上涨15.9%/10.6%，2026年以来上涨4.7%/2.3%。 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月15日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月15日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月15日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月15日 DDR5合约价格：5月DDR5 8Gb/16Gb合约价环比持平，26年以来上涨244.3%/244.2%。据inSpectrum Tech，5月DDR5 8Gb合约价格为11.88美元，环比4月持平，2026年以来上涨244.3%；5月DDR5 16Gb合约价格为23.75美元，环比4月持平，2026年以来上涨244.2%。 DDR5现货价格：6月DDR5 24Gb/16Gb现货价加速上行，较5月环比涨幅扩大至22.1%/22.8%。据inSpectrum Tech，截至2026年6月12日，DDR5(16Gb(2Gx8),4800/5600 MHz)现货价为40.84美元，相比5月中上涨22.8%，2026年以来上涨53.9%；DDR5(24Gb(3Gx8),5600/6400 MHz)现货价格41.50美元，相比5月中上涨22.1%，2026年以来上涨16.9%。 资料来源：Bloomberg，inSpectrumTech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月12日 1.2.NAND：合约价维持高位，MLC NAND现货价涨幅领先 NAND合约价格：5月TLC/QLC NAND合约价环比持平。据inSpectrumTech，截至2026年5月，TLC NAND 256Gb/512Gb/1Tb合约价格为12.32/24.60/33.20美元，环比4月持平，2026年以来上涨142%/156%/121%；QLC NAND 1Tb合约价格为29.38美元，环比上月持平，2026年以来上涨118%。 NAND现货价格：5月TLC NAND现货价跌幅收窄，MLC NAND现货价环比上涨17%-24%。据inSpectrum Tech，截至2026年5月，TLC NAND256Gb/512Gb/1Tb现 货 价 格10.77/21.50/27.12美 元 ， 环 比 跌 幅 收 窄3.0pct/4.6pct/4.2pct至0.2%/0.9%/1.1%，2026年以来上涨35.6%/79.6%/81.6%；QLC NAND 1Tb现货价格26.96美元，环比持平，2026年以来上涨90.4%。据DRAMexchange，截至2026年6月8日，MLC NAND 32Gb/64Gb现货价格为13.27/26.55美元，相比5月同期上涨24.0%/30.8%，2026年以来上 涨210.4%/277.2%。MLC NAND现货价涨幅进一步扩大主因海外原厂退出/减产MLC NAND，三星、铠侠、美光正加速将有限产能转移至数据中心所需的高端存储芯片。2026年3月起三星逐步关停最后一座2D NAND基地，改造为1c DRAM后端工厂。铠侠向客户通知2029年起全面退出2D NAND市场，停产范围包括32/24/15nm制程的SLC/MLC/TLC全系列产品。美光收缩MLC产能，并将旧制程晶圆产能全面转向AI数据中心所需先进存储。据TrendForce预测，2026年全球MLC NAND产能将同比减少41.7%。由于三星和美光拒绝向外授权核心制造技术，新玩家几乎无法入场填补缺口，医疗设备、工业机器人及车用电子等行业已经开始提前备货。 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年5月 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年6月1日 1.3.DRAM/NAND合约价格预测 供需格局持续偏紧，预计26Q2通用DRAM合约价格上涨58-63%。据TrendForce预测，26Q2通用DRAM合约价格有望上涨58-63%。需求侧，随着AgenticAI的推理请求从单次交互转向持续循环，KV Cache容量需求随着上下文长度扩张直接带动HBM及DRAM需求；新一代AI服务器平台CPU与GPU配比由过去的1:8逐步提升至1:4甚至更高，CPU用量增加有望显著扩大服务器DRAM的配置需求；CSP数据中心建设重心由AI服务器延伸至通用型服务器，带动存储需求由HBM3e、LPDDR5X及高容量RDIMM扩大至各容量规格的RDIMM产品。供给侧，DRAM原厂库存水 位处于低位，叠加新增供给优先分配至AI服务器使用的HBM（对晶圆消耗量增加）和高容量RDIMM，难以满足PC OEM和智能手机厂商需求。DRAM供需结构持续紧张，支撑26Q2合约价延续高幅上涨。 AI需求持续扩张叠加产能释放滞后，预计2026Q2 NAND Flash合约价格环比上涨70-75%。需求侧，CSP合计资本开支持续提升，投资逻辑由按需扩容转向大规模布局以巩固长期优势，AI推理、训练与Agentic AI工作负载推动Token消耗和存储需求快速增长，企业级SSD需求维持强势。供给侧，N