美银研报确认了存储行业的超级周期,指出NAND闪存ASP(平均售价)上修,并将降规视为增长催化剂。报告显示三星电子的DRAM与NAND业务贡献了超过100%的总营业利润,ASP持续上涨,营业利润率保持高位。预计四季度及2027年营业利润将持续增长,2027-28年自由现金流将超300万亿韩元。
全球存储市场规模预计将持续增长,到2030年将达到2.1万亿美元。美银上修了NAND ASP假设,基于美光及韩日厂商三季度ASP涨势,将2026下半年及2027-28年NAND ASP假设上调4%。预计2026年DRAM ASP涨幅预期达242%,NAND为276%;2027年DRAM ASP再涨34%,NAND涨14%。台湾地区科技企业销售表现强劲,存储指标仍高于2017/22年峰值水平。
报告重点分析了三星电子三季度业绩,印证了存储超级周期。特别关注了“降规”影响,指出8层HBM4替代12层配置并非内存降规,因GPU总出货量提升将带动额外内存需求。8层HBM4被视为行业增长催化剂,但实际放量在2027年上半年甚至更晚。报告还分析了DRAM与NAND的ASP涨势、市场合约价格动态、资本开支预期等关键数据。
三季度DRAM与NAND合约价格环比上涨20-30%,现货价格小幅回调。存储股逐步复苏,主要标的估值远低于AI半导体同业。基本面受HBM需求、供应紧张及AI资本开支支撑。全球存储市场营收预期在2026年达9401亿美元,2027年达1.41万亿美元,2030年达2.05万亿美元。DRAM与NAND的ASP涨势有望延续至四季度及2027年各季度。
报告提示的主要下行风险包括美国科技巨头削减资本开支、供应过剩、中国厂商竞争加剧。此外,AI芯片需求若未达预期、夺取份额失败、签订长期协议受阻、股东回报提升不及预期等也可能构成上行风险。需关注技术迭代、市场竞争格局变化及宏观经济环境对行业的影响。