全球存储技术：SK海力士回购影响、现货价格乐观与科技考察预览

每周主题：海力士回购影响，看涨现货价格，科技之旅预告 行业概览 2026年8月20日 海力士大规模股票回购的积极影响 EquityGlobalTechnology SK海力士宣布了大规模股票回购计划（预计到2026年11月回购4000亿韩元；参见我方报告），并提高了派息比率（自由现金流50%以上，而以往为50%）。我们为内存芯片行业呈现了三点积极影响：(1) 将额外现金用于股东回报，而非不合理地增加资本支出；(2) 股票回购对于巩固更强的股权结构或未来ADR发行（主要为海力士）更为关键；(3) 即使进行大规模股票回购，2026年的现金股息也将比长期历史平均水平高出5-10倍（仍有大量现金可用于支付创纪录的年末现金股息）。内存芯片制造商可以轻松提供高个位数百分比的股东回报（海力士的案例：2026年自由现金流的50%可达8500亿韩元，而当前市值为约12万亿韩元）。我们还看到三星电子也采用了类似的股东回报比率，该公司同样将自由现金流的50%用于股东回报（包括股息和回购）。总体而言，内存芯片制造商不再将全部经营活动现金流仅用于资本支出增加，由于韩国厂商引领的回购/现金股息活动更为积极。 simon.woo@bofa.com西蒙·吴，CFA持证人美林证券（首尔）研究分析师 +82 2 3707 0554 dai.shen@bofa.com戴神美林证券（香港）研究分析师 vivek.arya@bofa.com阿亚薇克 (Ā Yà Wēi Kè)分析师BofAS DRAM/NAND现货价格普遍强于预期 mikio.hirakawa@bofa.com平川幹雄>> BofAS日本研究分析师 尽管处于淡季或已形成上半年高位，DRAM现货价格强势已持续两个月以上。本周多数DRAM芯片（如16Gb DDR5、8Gb DDR4等）价格再次上涨，低个位数百分比。这也暗示了环比增长30%以上/以下。诚然，8月合约价格（针对商品DDR5）环比仍显示低至中20%的涨幅（尚未达到+30%），但据我们判断，9月潜在价格上涨可能导致第三季度ASP环比增长30%以上。当然，基于长期合同的第三季度价格显示出非常广泛的变化范围（0-30%），但据我们的分析，多数价格接近20%或更高。NAND现货价格也环比上涨，但涨幅不及DRAM，仅20%的区间（但高于我们当前低于20%的预测）。我们的调查显示，模组厂和OEM厂商近期的内存芯片订单增加，预计将在9月/第四季度推出用于智能手机和PC产品，零售价格同比增长10%以上。总的来说，我们未看到任何下行风险会影响我们的全球第三季度混合ASP假设（DRAM：环比+23%；NAND：环比+15%）。中国半导体7月份的重要数据显示内存ASP乐观（同比增长100%以上）：整个半导体进口同比增长71%（以美元计），仅+9%的量；内存仅进口同比增长200%，远超逻辑；这也暗示了内存ASP非常强劲。 matt.shin2@bofa.com马特· Shin美林证券（首尔）研究分析师 展品1：Spotrally本周继续，DRAM和NAND的现货市场价格 虚拟内存预览/韩国科技之旅（8月24日至28日） 下周（8月24日至28日），我们将通过Zoom举办一场线上技术研讨会，邀请13家企业（C级管理层和投资者关系团队）参与，涵盖以下行业：存储芯片（DRAM、HBM、NAND）、设备（沉积、激光退火）、基板（FC-BGA、PCB）、OSAT（先进封装）、人工智能/云服务（CSP、MSP）等。主要讨论内容包括：存储芯片超级周期、平均售价（第三季度、第四季度、2027年）、长期协议（价格与数量）、股东回报（派息率提升、回购与分红）、新晶圆厂（建设与量产启动）、资本支出、新节点迁移（1厘米节点DRAM、300层以上NAND）、先进封装（晶圆级基板连接、混合键合）等。如需报名，请联系您的销售代表或企业准入团队。 花旗全球研究 ADR：美国存托凭证AI：人工智能ASP：平均售价CSP/MSP：云/托管服务提供商DDR4/5：第四/五代双数据速率动态随机存取存储器DRAM：动态随机存取存储器FC-BGA：倒装芯片球栅阵列Gb：吉比特HBM：高带宽内存LTA：长期协议NAND：非易失性存储器（注：原文"NAND"通常指此类型）OEM：原始设备制造商OSAT：外包半导体组装与测试PCB：印刷电路板TCB：热压键合 受雇于BofAS的非美国附属机构，且根据FINRA规则未注册/未获得研究分析师资格。有关特定司法管辖区内承担此处信息责任的BofA证券实体的信息，请参阅“其他重要披露”。BofA证券与其研究报告涵盖的发行人进行并寻求进行业务往来。因此，投资者应注意，该机构可能存在利益冲突，从而影响本报告的客观性。投资者应将本报告视为其投资决策的单一因素。请参阅第11至14页的重要披露。分析师资质第9页。目标价依据/风险第8页。13010435 8月24日至28日期间，与10多家企业进行虚拟技术参观 附件2：我们将在8月24日至28日期间，为韩国半导体/存储、设备、基板、OSAT、IT服务公司的C级和IR管理层举办10场以上的虚拟会议（通过Zoom），具体虚拟技术参观日程安排如下：8月24日至28日 中国半成品进口 图3：中国每月集成电路（IC）进口及同比增长7月份集成电路进口额达640亿美元，同比增长71% 图5：按芯片类型划分的中国集成电路进口内存进口已连续10个季度增长，在7月份达到创纪录的350亿美元 ，占进口总额的约54%。 七月份的月度进口内存单位同比增长63%。 7月份的设备进口额为34亿美元，这是自1月份以来的最高水平。 记忆点/合同价格趋势 第11项展品：DRAM现货价格在经历了4月至5月的疲软后，于6月至8月反弹，此前自2025年9月至2026年1月经历了强劲上涨。价格已达到数十年来的高点，其中16Gb DDR5（用于台式机）约为53美元，DDR4约为90美元，这主要是由供应重新分配至HBM和服务器DRAM所驱动——远高于2017年10月约10美元的前一峰值。 内存现货价格 – 长期趋势（2000-2026） 第12项证据：NAND晶圆价格在8月初强劲反弹，此前在2026年第二季度基本持平或略有下降——这一停顿发生在2025年第四季度和2026年第一季度所见的异常强劲上涨之后。 NAND晶圆价格-长期趋势（2019-2026） 第13号证据：价格在5月至8月期间反弹，达到历史最高点（53美元）。上涨趋势由10月（上涨70%）、11月（上涨60%）、1月（上涨25%）的强劲增长推动，随后在2月至4月期间趋于温和，形成更平缓的趋势。 图14：5月/6月/7月/8月出现温和上涨（+7-10%），此乃在1月强劲上涨（+25%）和10月-11月急剧拉升（+60-120%）之后，经历了2月（+10%）的逐步放缓、3月持平的动能以及4月轻微下滑的后续表现。 16GB DDR5单月平均价格——月环比变化，2023年12月 - 2026年8月 第16项证据：在4月下旬至5月中旬约25%的回调后，价格于5月下旬至7月及8月上半年反弹至历史最高点，仍比2025年10月的低点（约3美元）高约2000%。 图15：8GB DDR4现货价格在7月份达到约43美元的历史新高，8月份保持平稳，仍远高于2017年10月约10美元的前期高点，主要受主要供应商持续减产推动。8GB DDR4现货价格趋势，2023年12月-2026年8月 第18项证据：DDR5和DDR4合约价格在8月份仅上涨了个位数，而7月份环比上涨了10-15%；价格将在2025年下半年和2026年上半年保持强劲 附件17：DDR4和DDR5（16Gb）的合同价格在35-40美元的水平上相似——由于DDR4短缺，DDR5的价格溢价已不复存在 16GB DDR5与16GB DDR4合约价格月环比变化 - 2023年3月-2026年8月 2023年3月至2026年8月 16GB DDR5 与 16GB DDR4 合同价格趋势对比 8月26日的合约价格是TrendForce于8月19日发布的一份预测。来源：TrendForce 附件20：与2月至3月的15-20%强劲涨幅以及10月25日至1月26日期间40-70%的月度急剧增长相比，6月份价格基本持平，7月份有所回落，8月份观察到轻微反弹，这是在4月至5月26日的修正之后出现的。 展品19：NAND现货价格在2026年1月至8月期间强劲反弹，此前在2026年第二季度和7月的大部分时间里保持基本稳定至略有走弱，截至今年迄今为止价格上涨了50%以上，且较2025年2月的谷底几乎上涨了8倍。 附件21：当前合同价格约为26美元，约为2025年2月低点2.5美元的10倍；价格在2025年第四季度/2026年第一季度显著上涨，此后保持大致稳定。 附件22：4月/5月/6月/7月/8月价格仅较上月上涨1-5%，此轮上涨分别跟随着2026年1月/2月/3月的上涨（较上月上涨20-30%）以及10月/11月/12月上涨（较上月上涨40-60%） NAND合同价格变动（MoM）（512Gb晶圆，2023年10月-2026年8月） NAND晶圆合同价格趋势，2023年10月-2026年8月 附件23：16Gb DDR5现货和合同价格范围为35-40美元，而历史价格范围为3-5美元。 图24：经2月至3月的回调后，6月/7月/8月26日的现货和合约价格再次转为正值；价格在2025年10月至12月期间经历了剧烈上涨。 16GB DDR5现货价格与合约价格趋势（美元），2023年10月-2026年8月 16GB DDR5现货价格与合约价格趋势——月环比变化，2023年10月-2026年8月 花旗全球研究 512GB NAND晶圆现货价格与合约价格趋势对比（单位：美元），2019年8月-2026年8月附件26：NAND现货和合约价格在经历2025年10月至12月（每月上涨40-50%）以及2026年1月至3月（每月上涨20-30%）的强劲上涨后，于2026年4月至7月期间恢复正常，并在8月份反弹。 附件25：当前的NAND现货和合约价格比2025年夏季水平高出几倍 512GB NAND现货与合约价格趋势——月环比变化，2019年8月-2026年8月 附件28：DDR5/DDR4服务器合约价格在7月份环比上涨了7-15%，继5月/6月26日稳定后。 服务器内存DRAM合同价格变更，2024年3月-2026年7月 第29项证据：企业级固态硬盘（Aug）价格下调；价格在2026年第一季度和4月至5月（DRAMeXchange）期间经历了急剧上涨，并在整个2025年呈现逐渐上涨的趋势 第30项证据：与2025年末水平相比，今年（2023年）的价格翻了一番，而2025年的涨幅则较为温和，约为35%至40%。 客户SSD（用于PC）价格比较——当前与2025年底 客户SSD价格趋势——主要针对PC（非服务器），2024年6月-2026年8月 注意：SSD价格数据截至2026年7月15日，信息来源：DRAMeXchange 估值与股票表现 内存和半导体供应链股票的估值比较第31项证据：SK海力士于8月20日因W40tn回购公告而强劲反弹；三星电子也上涨9%，预计将支付大额款项。除股息之外，还包括回购；大多数DRAM股票仍然仅以4-8倍的市盈率交易。 第三十二项证据：八月份，在七月份的回调之后，内存库存量反弹良好，但当前股价仍远高于2025年末水平，主要受NAND、DRAM和HDD板块带动。 第33项证据：英特尔和AMD等CPU品牌明显优于其他美国科技巨头，如英伟达/苹果/高通。 价格目标依据与风险 SK海力士 (SK Hynix) 我们 3,000 万美元的采购订单 (PO) 源自 8 倍 2027-28 财年每股收益 (EPS)。我们8 倍的目标市盈率 (P/E) 是基于