全球存储器科技：更看好SK海力士、三星与南亚科技

核心观点

全球内存行业在 2026-2027 年有望迎来超级周期，主要得益于 AI 内存需求增加、HBM/eSSD 中心资本支出增加以及传统内存容量收缩等因素。其中，海力士因其 HBM 领先地位和传统 DRAM/NAND 的利润率改善，被评级为全球首选。

关键数据

• DRAM 销售额：预计 2025 年增长 48%，2026 年增长 61%，2027 年增长 10%。
• NAND 销售额：预计 2025 年增长 1%，2026 年增长 50%，2027 年增长 10%。
• DRAM ASP：预计 2026 年增长 36%，2027 年增长 2%。
• NAND ASP：预计 2026 年增长 30%，2027 年增长 4%。
• DRAM Capex：预计 2026 年增长 38%，2027 年增长 2%。
• NAND Capex：预计 2026 年增长 13%，2027 年增长 1%。
• HBM 市场规模：预计 2026 年达到 550 亿美元，2027 年达到 650 亿美元。

研究结论

• 海力士：预计 2026 年每股收益增长 12%，2027 年增长 59%，主要得益于强劲的 DRAM ASP 假设和 HBM 领先地位。
• 三星：预计 2026 年每股收益增长 12%，2027 年增长 25%，主要得益于 DRAM ASP 假设提高和 HBM3e/4 的领先地位。
• 南亚科技：预计 2026 年每股收益增长 15%，2027 年增长 42%，主要得益于传统 DRAM 短缺带来的 ASP 提升。
• 美光科技：预计 2026 年每股收益增长 12%，2027 年增长 50%，主要得益于 AI 热潮驱动的高利润率。

风险因素

• 地缘政治风险：中美关系紧张可能对内存行业造成负面影响。
• 内存价格削减：如果市场供应过剩，内存价格可能面临下行压力。
• 资本支出增加：内存制造商的资本支出增加可能压缩利润率。