全球存储技术周报：新加坡投资者乐观，DRAM现货与NAND对比，SK Square，Wonik

核心观点与关键数据

行业概述

• 本周在新加坡投资者会议上，部分投资者对NAND、后端设备和硬件股票持空头/低配态度，但对DRAM和韩国科技持积极看法。
• 投资者反馈估值从市净率（P/B）转向市盈率（P/E），即使应用10-20倍市盈率，鉴于高增长潜力，市场仍具吸引力。

内存和韩国科技

• 虚拟技术之旅显示，第一季度或第二季度内存芯片价格将走强，新型GPU/CPU加速，价值提升计划（股息、回购、ADR）优于预期。
• DRAM现货市场活跃，价格较2月上半月上涨，主要因OEM厂商坚定发布新电脑/智能手机，价格保持不变。预计3月DRAM现货价格将稳定。
• NAND现货价格平稳，SK Square作为海力士受益者，预计未来三年股息大幅提高，盈利预期乐观，分配比率较高。

设备制造商盈利能力

• Wonik IPS的CVD设备盈利能力不高，收入增长但利润率低，面临激烈竞争，股票涨幅有限。
• Hanmi的TCB市场主导地位使其更具吸引力，但2025年第四季度销售额增长有限，运营利润率低。

关键数据与趋势

• 韩国半导体出口加速，2月同比增长134%，连续28个月正增长，2月出口额创纪录达151亿美元。
• NVIDIA收入再创新高，1月季度收入同比增长73%，数据中心收入同比增长75%，4月累计销售额指导同比增长77%。
• 三星Galaxy S26系列发布，S26 Ultra DRAM容量提升至12/16GB，NAND存储最低256GB，价格较S25有所增加。
• DRAM现货价格本周创纪录达39美元，10月以来累计上涨70%，2月环比上涨10%。
• NAND现货价格2月环比上涨10%，10月以来累计上涨50%以上。
• DDR5和DDR4合约价格12月稳定，1月上涨25-35%，2月平稳。
• 服务器DRAM合约价格上涨强劲，2月环比上涨60-65%。
• NAND合约价格10月以来加速上涨，1-2月上涨25-30%。
• DRAM和NAND现货价格均创历史新高，NAND点价和合约价10月以来上涨40-50%。

估值与股票表现

• 内存股票估值处于近周期高点，P/E仍低，预计进一步重估。
• 内存股票表现强劲，受超级周期预期、高业绩和指导支撑。
• 韩国芯片制造商P/E仍低，美银目标价W850,000，上行风险来自内存价格上涨和股东回报活动。

风险与展望

• SK Square上行风险来自美光盈利态势、内存芯片涨价和股东回报活动，下行风险是内存周期硬着陆和竞争对手扩张。
• Wonik IPS上行风险来自设备订购超预期，下行风险是市场份额下降或订单削减。