全球记忆技术周刊：三星三季度业绩、全球预测更新及去规格影响

核心观点

• 三星电子第三季度业绩符合预期，证实了内存超级周期的观点。DRAM 和 NAND 贡献了超过 100% 的总营业利润，抵消了智能手机和晶圆代工的大额亏损；内存平均售价 (ASP) 在 2026 年上半年价格翻倍后，仍然环比增长了 20% 以上；营业利润率 (OPM) 保持在 70% 以上。
• 全球内存市场预测上调。由于 NAND ASP 强劲增长，将 2026 年下半年和 2027-2028 年的 NAND ASP 假设上调 4%。预计全球内存市场将在 2030 年达到 2100 亿美元，而 2026 年将达到 900 亿美元以上。
• 去规格化可能成为内存增长的催化剂，而不是担忧。虽然 Rubin GPU 可能采用 8 层 HBM4（24GB）而不是主流的 12 层配置（36GB），但这不会被视为内存去规格化或需求下降，因为 GPU 总出货量可能会因 HBM 供应短缺而快速增长，并且需要额外的内存（SOCAMM 使用 LPDDR5 和关键价值 eSSD）与相应的逻辑处理器 CPU（例如 Vera CPU）一起使用。
• 韩国半导体出口强劲。台湾科技公司第三季度销售额大幅增长，韩国半导体出口也表现出强劲的同比增长。
• BofA 内存指标仍然处于超级周期水平。该指标远高于 2017-2018 年的峰值水平，并在 2026 年 3 月/4 月达到最高峰。
• 内存股票估值仍然具有吸引力。尽管内存股票在 10 月份有所疲软，但基本面仍然坚挺，支持强劲的 HBM 需求、紧张的记忆供应状况和超大规模 AI 资本支出的持续扩张。大多数 DRAM 名称的交易市盈率仍然相对较低，约为 2026-2027 年每股收益的 5-7 倍。

关键数据

• 三星电子第三季度营业利润为 107 万亿韩元，符合预期。
• 预计 2027-2028 年三星电子的每股收益为 7 万亿韩元，目标价为 500 万亿韩元。
• 全球内存市场预计将在 2030 年达到 2100 亿美元。
• NAND ASP 预计将在 2026 年下半年和 2027-2028 年增长 4%。
• 8 层 HBM4 的内存内容将从 288GB 减少到 192GB。

研究结论

• 内存行业正处于超级周期，预计未来几年将持续增长。
• NAND ASP 的强劲增长是内存市场增长的主要驱动力。
• 去规格化可能成为内存增长的催化剂，而不是担忧。
• 内存股票估值仍然具有吸引力，未来有望实现强劲的回报。