全球存储科技周报：Vera内存削减、三星股息及韩国会议预览

每周主题：Vera记忆剪辑，强劲六月，三星分红，Korconf预览 行业概览 2026年6月13日 关于英伟达Vera CPU内存容量减少的思考 EquityGlobalTechnology 街道正猜测英伟达新CPU韦拉将采用50%的SOCAMM内存容量削减，与原规格（新750GB vs 旧1,500GB）相比。我们认为这不正确。我们的核查仍显示以1,500GB为中心的SOCAMM（192GB x 8）是韦拉·鲁宾（配备HBM4）的主流配置，而韦拉CPU机架则采用750GB（96GB x 8，不含HBM）。当然，客户（谷歌、亚马逊、微软、Meta）可以选择为韦拉·鲁宾超级芯片或韦拉CPU机架配置750GB或1,500GB。总的来说，我们得出结论：1）韦拉·鲁宾应继续使用1,500GB（750GB可能但性能较低），2）韦拉CPU机架也应最初使用1,500GB，但750GB也能工作。最初的SOCAMM订单是为韦拉·鲁宾准备的；因此，韦拉CPU机架提供了增量SOCAMM需求——这对它的TAM（总潜在市场）是利好。 simon.woo@bofa.com西蒙·吴，CFA持证人美林证券（首尔）研究分析师 +82 2 3707 0554 dai.shen@bofa.com戴神美林证券（香港）研究分析师 季度内存销售/出口保持强劲势头韩国半导体出口在6月前10天创下新高：110亿美元，环比增长30%或同比增长206%。主 vivek.arya@bofa.com阿亚薇克 (Ā Yà Wēi Kè)分析师BofAS 要贡献因素应为内存芯片平均售价同比增长100%以上。我们观察到本周DRAM现货价格也出现更显著的上涨（DDR4/DDR5周环比上涨3-4%）。我们认为NVIDIA黄仁勋 Computex 台湾展会后访问韩国可能进一步提振了市场情绪（例如，NVIDIA对内存芯片短缺的担忧）。台湾内存企业也报告了强劲的五月销售额同比增长（南亚科技+730%，群联电子+301%等）。中国也报告了五月非常强劲的集成电路进口（570亿美元，同比增长68%），由于芯片价格上涨（近同比增长70%；数量下降1%）。总体而言，我们预计该地区内存芯片价格将保持强势。 mikio.hirakawa@bofa.com平川 実男>> BofAS日本研究分析师 matt.shin2@bofa.com马特· Shin美林证券（首尔）研究分析师 三星：股息支付可能更大、更早 在我们看来，三星电子（SEC）可以被视为一种派息投资机会。我们概述了一个简单的分析，表明2026年业绩的现金股息可能达到50万亿至70万亿韩元，其中一半可能比平时提前4至5个月支付：1）年自由现金流可能达到200万亿韩元上下；2）自由现金流的50%派息率得到了明确指引；3）员工特别奖金将通过回购的库存股于2027年1月支付；4）三星生命（032830 KS）10%的SEC持股比例上限可能要求其在SEC回购后出售多余的SEC股票；5）如果2026年年终股息以50:50或40:60的比例通过2026年第四季度/2027年第一季度分配，零售投资者将享有税收优惠。SEC的优先股可能对关注更高股息收益率的投资者更具吸引力。 图1：DRAM价格连续两周强劲反弹，而NAND保持平稳现货价格 – DRAM和NAND 美国银行韩国会议将强化超级周期主题 我们将于6月15日至19日举办韩国会议，届时将迎来第18周年庆，参与人数创历史新高（约200名投资者，约120家企业）。我们预计会议期间市场情绪将更加乐观。主要有三个原因：记忆专家预测（2027年甚至2028年的芯片短缺情况可能将被提出）；企业指引（科技、机器人、国防、电力、美容、消费等领域全球领导地位/增长）；以及更有利的资金流向（ETF、长线资金）和价值提升计划（分红、回购、美国上市）。美国银行韩国研究团队将于6月23日上午9:00（香港时间）举办大型投资者电话会议，与大家分享分析师在会议期间获得的信息。 AI：人工智能ASP：平均售价CPU：中央处理器DDR4/5：4代/5代双倍数据速率动态随机存取存储器DRAM：动态随机存取存储器GB：吉字节GPU：图形处理器HBM：高带宽内存HBM4/4e/5：6代/7代/8代HBMIC：集成电路NAND：非易失性存储器（注：原文为"Not-AND"，通常指NAND闪存）SOCAMM：小型外形单元压缩附加内存模块 受雇于BofAS的非美国附属机构，且根据FINRA规则未注册/未获得研究分析师资格。有关特定司法管辖区内承担此处信息责任的BofA证券实体的信息，请参阅“其他重要披露”。BofA证券与其研究报告涵盖的发行人进行并寻求进行业务往来。因此，投资者应意识到该公司可能存在利益冲突，从而影响本报告的客观性。投资者应将本报告视为其投资决策的单一因素。请参阅第12至15页的重要披露。分析师认证在第10页。目标价依据/风险在第10页。12983958 TAM：可寻址总市场 韩国出口，中国进口，台湾月销售 图2：June显著增长（111亿美元；环比增长30%）；约为2025年平均水平的3倍 附件3：同比增长率在6月份加速反弹至+206%；已连续五个月实现三位数增长 Source:MoTIR 5月份，中国集成电路（IC）进口量同比增长-1%，达到497亿个。 图7：所有公司均实现同比增长；值得注意的是反弹强劲——南亚+730%，群联+301%，鴻海+94%，台积电+30% 2026年5月台湾科技公司月度销售额 2026年5月台湾科技公司月度销售额同比增长 公司报告 南亚科技同比增长730%， transcend增长470%，Phison增长301%，ADATA增长210% 来源：公司财报 美国银行记忆指标 第八项证据：我们的记忆指标在2026年3月至4月期间达到历史新高189点，这得益于DRAM/NAND现货价格异常强劲、平均售价（ASP）和账单额上升，以及韩国150%以上的出口增长。 美国银行记忆指标——自2025年10月以来回升至上升水平，并在2026年3月至4月（回测）达到最高峰值 请注意：我们之前的指标上限为约140，但近期由内存现货价格、ASP（平均售价）和账单驱动的史无前例的飙升，促使我们将上限提高至240水平，以反映更准确的相对比较。内存芯片制造商强劲的盈利表现进一步证实了这一强劲势头。 来源：DRAMeXchange、WSTS、MoTIRKorea、美国银行全球研究 阴影区域表示1991年1月至2021年3月的回测结果。未阴影区域表示2021年4月以来的实际表现。此表现已回测至2021年3月，并不代表任何账户或基金的实际表现。回测表现描绘了特定策略在所示时间段内的理论（非实际）表现。并未表示任何实际投资组合可能已实现此处所示相似的回报。免责声明：美银梅里迪亚指标旨在作为一个指示性指标，未经美银全球研究事先书面同意，不得用作参考目的或任何金融工具或合同的业绩衡量标准，或由第三方出于任何其他目的依赖该指标。该指标并非为用作基准而创建。关于方法，请参阅2024年8月5日的全球梅里迪亚技术报告。 图9：美光股价飙升至历史新高，得益于三星（强劲的一季度业绩、对HBM4上涨的乐观 预期以及传统DRAM敞口增加）、SK海力士（稳健的一季度表现以及在HBM3e/4领域的领先地位）以及南亚科技（1月至5月月度销售额创新高，同比增长约500%至700%）。 美国银行记忆指标与股票表现（回测）高度相关 注意：内存公司股价为三星、海力士、美光和南亚科技股价的年同比变化平均值。来源：彭博，美国银行全球研究 浅绿色阴影区域表示1991年1月至2021年3月的回测结果。蓝色阴影区域表示2021年4月以来的实际数据。此业绩已进行回测，并不代表任何账户或基金的实际业绩。回测业绩描绘了特定策略在所示时间段内的理论（非实际）表现。并未表示任何实际投资组合可能已实现此处所示相似的回报。关于方法，请参阅2024年8月5日的全球记忆技术报告。 第十项展品：HBM、DDR5和传统DRAM在4月份推动了强劲的同比增长反弹，DRAM的ASP/营收分别上涨211%和375%，NAND Flash的ASP/营收分别上涨282%和366%；这一势头延续至5月，现货价格同比大幅上涨（DRAM上涨839%，NAND Flash上涨646%），韩国半导体出口额增长170%。 花旗集团记忆指标（MoM和YoY趋势）的七个组成部分（回测） 5月25日 6月25日 7月25日 8月25日 9月25日 10月25日 11月25日 12月25日 1月26日 2月26日 3月26日 4月26日 5月26日 第12项展品：在经历了2025年第四季度/2026年第一季度的急剧上涨后，DRAM/NAND现货价格在4月至5月期间趋于稳定；然而，半导体出口在5月份环比强劲反弹，同时DRAM/NAND平均售价在4月份仍然居高不下，因为账单收入显示出一些放缓。博美国内存指标七项组成部分——环比 第11项展品：DRAM/NAND现货价格异常强劲，持续到4月至5月，DRAM平均售价和出货量也在4月份急剧上涨，同时半导体出口保持强劲，在5月份达到历史新高。 记忆点/合同价格趋势 第13号证据：DRAM现货价格在4月至5月走弱后，于2025年1月至2026年6月期间反弹，此前经历了从2025年9月至2026年1月的大幅上涨。价格已达到数十年来的高点，其中16Gb DDR5约为45美元，DDR4约为65美元，这得益于供应向HBM和服务器DRAM的重新分配——远高于2017年10月约10美元的前期高点。 内存现货价格 – 长期趋势（2000-2025） 图14：内存现货和合约价格达到创纪录高位（35-40美元），随后在2025年第四季度和2026年第一季度的强劲反弹后，于4月至5月期间趋于平稳。 第15项证据：NAND晶圆合同价格在现货价格之前大幅上涨，两者目前均处于历史最高水平 NAND晶圆现货及合约价格 - 季度平均趋势 图16：价格在5月/第一季度至6月期间反弹，在经历了动荡的4月后达到历史新高（45美元）。上涨趋势由10月（上涨70%）、11月（上涨60%）、1月（上涨25%）的强劲增长驱动，但在2016年2月至3月期间趋于温和。16GB DDR5现货价格——每日，2023年10月 - 2026年6月 附件17：5月/上半年16Gb DDR5现货月均价格环比变化，观察到温和上涨（+6-7%），此前经历了从2月（+10%）的逐步放缓，到3月的平稳态势和4月的小幅下降，继1月强劲上涨（+25%）和10月至11月25日急剧拉升（+60-120%）之后。 第18项展品：8Gb DDR4价格在6月上半月及整个5月显著上涨，此前于4月稳定；由于主要供应商削减供应，其价格同比仍显著偏高，目前约为30美元，远高于2017年10月约10美元的前期峰值。 附件19：4月至5月中旬经历了约25%的回调后，5月下旬/上半年价格小幅上涨，此前在3月初曾触及约80美元的峰值。尽管出现回调，但价格仍处于高位——自2025年10月的约3美元上涨了约2000%——这得益于2023年9月至12月（+30%至+70%）和1月（+20%）16Gb DDR4现货价格趋势的强劲增长，时间范围为2023年6月至2026年6月。 附件21：2026年4月至5月DDR5和DDR4合约价格环比上涨10-15%，而3月则基本稳定；价格将在2025年下半年及2026年初保持强劲 展品20：DDR4和DDR5（16Gb）的合同价格在35-40美元的水平上相似——由于DDR4短缺，DDR5的价格溢价已不复存在 16GB DDR5与16GB DDR4合约价格趋势（2023年1月-2026年5月） 16GB DDR5与16GB DDR4合约价格月度变化，2023年1月-2026年5月 附件23：1月-6月为平仓，而4月/5月略有修正，相比之下，2