全球存储科技：更多长期协议、MLCC/FC-BGA行情爆发、现货价格上涨，韩国ETF入门

每周主题：更多LTA，MLCC/FC-BGA繁荣，现货价格上涨，韩国ETF 101 行业概览 2026年8月1日 LTA更有意义，并且它仍然提供ASP涨幅——无上限 EquityGlobalTechnology 三星电子（SEC）表示，其内存销售中有60-70%将基于长期协议（LTA），但条款有利（价格下调幅度有限，而价格上调则较为开放；例如，环比下降幅度低于5% vs 上涨10-20%+）。有趣的是，SEC的LTA（主要面向美国大型科技公司）大多是5年滚动协议；因此，第六年可以在第一年完成后立即续签，或在第一年之前就添加。 simon.woo@bofa.com西蒙·吴，CFA持证人美林证券（首尔）研究分析师 +82 2 3707 0554 SEMCO和LGI对AI MLCC/FC-BGA更为乐观 韩国两大被动元件供应商SEMCO（009150 KS）和LG Innotek（LGI；011070 KS）在其第二季度财报电话会议中对AI服务器相关MLCC和FC-BGA的需求给出了非常乐观的指引。管理层强调的重点包括：(1) 期票订单强劲；(2) 预付款额巨大（这是新建晶圆厂或产能扩张的关键资金来源）；以及(3) 合同价格将在下半年及2027年持续上涨。尽管MLCC/FC-BGA的利润率处于周期中段水平，SEMCO和LG Innotek第二季度营业利润同比增长超过一倍。我们预计，随着大型科技公司对SEMCO/LGI新产能的坚定承诺（尤其是在越南，新FC-BGA晶圆厂将于2027年中至年末投产），2026年下半年乃至2027-28年的平均售价和出货量将进一步增长。 dai.shen@bofa.com戴神美林证券（香港）研究分析师 vivek.arya@bofa.com阿亚薇克 (Ā Yà Wēi Kè)分析师BofAS mikio.hirakawa@bofa.com平川 実男波音（Boeing）日本研究分析师 内存/NAND现货价格上涨，正值IT旺季前夕 matt.shin2@bofa.com马特· Shin美林证券（首尔）研究分析师 现货市场情绪保持乐观，预计八月价格将进一步上涨。主要有三个原因：(1) 为补库存芯片订单增加；(2) 许多二线OEM厂商尽管内存成本高昂，仍计划在九月/第四季度重启新智能手机/PC型号的发布；(3) 中国国内智能手机出货量触底（六月仅1700万台，远低于正常的2500-3000万台；渠道库存偏紧）。此外，中国本土芯片制造商产能扩张的影响微乎其微——中国品牌内存在现货市场交易不普遍；即使韩国/美国/日本芯片，白牌OEM厂商也难以获得大量供应。这与新确认的七月合约价上涨情况一致（TrendForce更新的七月DRAM合约价：环比上涨个位数百分比或同比上涨30-50%，但NAND闪存持平）。 图1：DDR5已稳定，而DDR4仍上涨；NAND价格也反弹了内存DRAM和NAND的现货市场价格 韩国ETF 101网络直播要点 韩国内存股QTD波动性极高，ETF交易活动包括2倍杠杆。为此，我们举办了大型投资者电话会议，由TIMEFOLIO（管理韩国最大主动ETF）的ETF管理负责人Nathaniel Kim主讲。Kim关于韩国ETF的介绍：规模达数千亿美元（约500万亿韩元），超过1000只基金上市，27家资产管理公司参与，占KOSPI交易量的30%以上。韩国工人退休养老金（总规模：3000亿美元以上）正转向主动ETF（个股仓位上限为AUM的25%），而非被动（KOSPI基准）ETF，其底层股票选择（针对主动ETF）主要基于基本面（考察增长、估值、股东回报等）。Kim也承认，2倍杠杆ETF将继续加剧股市波动（产生反向/伽马效应），但政府新出台的杠杆ETF监管措施，加上养老金持续流入ETF，应有助于降低韩国股市波动，并支持内存/金融板块的重新估值（当前被低估）；网络直播回放可供观看。 AI：人工智能ASP：平均售价AUM：管理资产规模DRAM：动态随机存取存储器ETF：交易所交易基金FC BGA：倒装芯片球栅阵列IT：信息技术LTA：长期协议MLCC：多层陶瓷电容器NAND：非易失性存储器OEM：原始设备制造商 受雇于BofAS的非美国附属机构，且根据FINRA规则未注册/不具备研究分析师资格。有关在特定司法管辖区中，对其中文信息负责的某些BofA证券实体的信息，请参阅“其他重要披露”。BofA证券及其附属机构会与其研究报告中涉及的公司进行业务往来。因此，投资者应注意，该机构可能存在利益冲突，从而影响本报告的客观性。投资者应将本报告视为其投资决策的单一因素。请参阅第9至11页的重要披露。13002101 超大规模资本支出和云服务收入利润率 图2：亚马逊、微软、谷歌母公司、Meta和甲骨文2026年的资本支出（capex）将合计增长约100%，达到7300亿美元，即便其在2025年已实现强劲的65%年增长率；预计2027/28年资本支出将达到每年1万亿美元以上。美国四大科技公司的资本支出总额 超大规模服务商的资本支出增长 – 年同比增长率 图6：美国超大规模企业（Hyperscaler）的资本支出（Capex）在2026年第二季度急剧加速，因为Alphabet、微软（MSFT）、亚马逊和Meta继续加大人工智能基础设施支出，推动投资额再次创下纪录。美国前四大超大规模企业季度资本支出趋势 图7：预计多家超大规模企业将在2026-27年暂时经历负自由现金流，因为创纪录的人工智能基础设施支出将远超近期的现金流增长。前四大美国超大规模企业的季度自由现金流趋势 中国每月智能手机出货量趋势 工信部/中国信通院，美国银行全球研究 工信部/中国信通院，美国银行全球研究 工信部/中国信通院，美国银行全球研究 记忆点/合同价格长期趋势 图8：内存价格在经历了4月至5月的疲软后，于6月反弹，此前已从2025年9月至2026年1月经历了强劲上涨。当前价格已达到数十年来的高点，其中16GB DDR5价格约为50美元，DDR4价格约为82美元，这主要是由供应重新分配至HBM和服务器内存所驱动——远高于2017年10月约10美元的前期高点。 内存现货价格 – 长期趋势（2000-2025） 第13号证据：DRAM现货和合约价格上涨至约35-40美元的历史最高点，在经历了2025年第四季度和2026年第一季度的强劲反弹后，2026年第二季度呈现温和增长。 第14号展品：NAND晶圆合同价格在现货价格之前大幅上涨，两者目前均处于历史最高水平 NAND晶圆现货及合约价格 - 季度平均趋势 内存现货与合约价格 - 季度平均趋势 图15：价格从5月/6月反弹至7月，达到历史最高点（50美元）。上涨趋势由10月（上涨70%）、11月（上涨60%）、1月（上涨25%）的强劲涨幅驱动，随后在2月至4月间趋于温和，形成更平缓的趋势。 图12：5月/6月/7月观察到温和上涨（+7-10%），此前经历了从2月（+10%）的逐步放缓，到3月的平稳态势和4月的小幅下跌，在1月强劲上涨（+25%）和10月-11月（+60-120%）的急剧反弹之后，16Gb DDR5现货月平均价格——月度同比变化，2023年11月 - 2026年7月 第13号证据：8GB DDR4现货价格在7月份达到约42美元的历史最高点，远高于2017年10月约10美元的前一峰值，这是由于主要供应商持续的减产所推动。 图14：在4月到5月中旬约25%的回调后，价格于5月下旬至7月反弹至历史新高，并维持在2025年10月低点（约3美元）以上约2000%。 16GB DDR4现货价格趋势，2023年7月-2026年7月 8GB DDR4现货价格趋势，2023年11月 - 2026年7月 第15项证据：DDR4和DDR5（16Gb）的合同价格在35-40美元的水平上相似——由于DDR4短缺，DDR5的价格溢价已不复存在 第16号展品：DDR5和DDR4合约价格7月份环比上涨10-15%；价格预计将保持强劲，贯穿2025年下半年及2026年上半年 16GB DDR5与16GB DDR4合约价格月度变化 - 2023年3月至2026年7月 2023年3月至2026年7月 16GB DDR5 与 16GB DDR4 合同价格趋势 第18项证据：6月份价格基本持平，7月份略有下降，在4月至5月的回调之后，与2026年2月至3月上涨15-20%以及2025年10月至2026年1月期间环比增长40-70%相比。 附件17：NAND现货价格在本周小幅反弹，此前在2026年第二季度和7月的大部分时间里基本持平或略有走弱，但年初至今（YTD）价格上涨了50%以上，且较2025年2月的谷底几乎上涨了8倍 第19项证据：当前合同价格约为26美元，约为2025年2月低点2.5美元的10倍；价格在2025年第四季度和2026年第一季度显著上涨，此后保持大致稳定。 附件20：4月/5月/6月/7月价格仅较上月上涨1-5%，此轮上涨分别是在2026年1月/2月/3月上涨（较上月上涨20-30%）和10月/11月/12月上涨（较上月上涨40-60%）之后。 NAND合同价格变更（MoM）（512Gb晶圆，2023年9月-2026年7月） 附件22：6月/7月现货和合约价格在2月/3月的回调后再次转为正值；价格在2025年10月至12月期间经历了剧烈上涨 图21：16Gb DDR5现货和合同价格范围为35-40美元，而历史价格范围为3-5美元 16GB DDR5现货价格与合约价格趋势（美元），2023年9月-2026年7月 16GB DDR5现货价格与合约价格趋势——月环比变化，2023年9月-2026年7月 512GB NAND晶圆现货价格与合约价格趋势对比（单位：美元），2019年7月-2019年7月附件24：NAND现货和合约价格在2025年10月至12月（月均上涨40-50%）及2026年1月至3月（月均上涨20-30%）强劲上涨后，于2025年4月至7月回落至正常水平 512GB NAND现货与合约价格趋势——月环比变化，2019年7月-2019年7月 附件25：64GB DDR4/DDR5内存模块当前价格创历史新高，超过1000美元水平（DDR5：1480美元，DDR4：1300美元） 附件26：DDR5/DDR4服务器合约价格在7月份环比上涨了7-15%，继5月/6月-26日稳定后。 服务器 DRAM 合同价格变更，2024年2月至2026年6月 服务器DRAM合约价格趋势 – DDR5与DDR4内存条，2024年2月至2026年6月 第二十八条：与2025年末水平相比，朱尔普价格翻了一番，而2025年的涨幅则较为温和，约为35%至40%。 附件27：京东SSD价格总体稳定；2026年第一季度及4月至5月价格出现急剧上涨（DRAMeXchange数据），而2025年全年价格呈逐步上涨趋势 客户SSD（用于PC）价格比较——当前与2025年底 客户SSD价格趋势——主要针对PC（非服务器），2024年4月至2026年6月 估值与股票表现 附件29：近期，由于盈利不及预期与稳健的基本面（高利润率）之间的对比，内存库存价格波动极为剧烈。 内存和半导体供应链股票的估值比较 第30号证据：在经历了强劲的2026年上半年上涨后，内存库存于7月急剧修正；然而，价格仍维持在高位，由NAND和HDD引领，DRAM持续走强，且当前需求由强劲的AI驱动支撑。 第31项证据：英特尔和AMD等CPU品牌明显优于其他美国科技巨头，如英伟达/苹果/高通。 全球主要科技公司——2026年至今股价表现比较 披露 重要披露 基本面评级关键：评级包括波动风险评级、投资评级和收益评级。波动风险评级是衡量潜在价格波动的指标，分为：A-低，B-中，C-高。投资评级反映分析师对股票绝对总回报潜力的评估，以及相对于其覆