行业概述
- 内存芯片制造商对 HBM 和 LTA 的兴趣减弱，主要原因是：
- 传统 DRAM（主要是 LPDDR5）比 HBM 更具盈利能力；
- HBM4 订单增长略有放缓；
- NAND 基于 KV 缓存的 AI 推理需求快速增长。
- 一些原本用于 HBM 的资本支出预算可能转向传统 DRAM 和 NAND。
- 制造商对 LTA 的担忧主要集中在价格/利润上限以及内存供应短缺持续到 2027-28 年的风险。
- 预计下半年盈利增长将更多依赖传统内存，而非 HBM4，而基于 LTA 的新长期合同可能增长较少。
- 对 2028 年晶圆产能扩张的预期较低，预计每个工厂最多增加 50-60k wpm 产能。
- TCB 设备在 2028 年需求强劲，主要用于 16-/20-HBM4e（用于 Rubin Ultra 和更先进的 AI ASIC）。
内存现货价格和合约价格趋势
- DDR4 现货价格本周显著下降，而 DDR5 和 NAND 保持平稳。
- DDR4 现货价格本周下跌 5-8%，而 DDR5 保持稳定。
- NAND 现货价格在 2 月底至 4 月期间略有下降，但全年强劲上涨。
- NAND 合约价格也达到历史新高，预计 2 季度将达到 30 美元水平。
- SSD 产品价格在 4 月急剧上涨，而 3 月保持平稳。
估值和股票表现
- 内存公司尽管股价近期反弹，但市盈率倍数仍然较低。
- NAND/HDD 公司相对表现优于 DRAM 公司。
- 半导体设备公司、Intel、TSMC 和 AMD 表现优于 NVIDIA/Apple/QCOM。
个股分析
- LG Innotek (XLGQF)：目标价 750,000 韩元，基于 2026-27 年 18 倍市盈率。
- 上行风险：iPhone 需求强劲或相机模块组合改善，以及半导体基板和汽车零部件业务的增长。
- 下行风险：iPhone 需求疲软、市场份额大幅下降以及可能无法满足 iPhone 18 规格升级。
- Samsung Electro-Mechanics (SMSGF)：目标价 1,100,000 韩元，基于 2027-28 年 27 倍市盈率。
- 上行风险：MLCC 价格意外上涨或半导体基板新订单强劲，以及玻璃基板的商业化成功。
- 下行风险：三星电子的半导体和智能手机封闭需求疲软，以及日本/台湾竞争对手的激进价格削减。
其他重要披露
- BofA Securities 或其关联公司是 LG Innotek 和 SEMCO 的投资银行客户。
- BofA Securities 或其关联公司从 LG Innotek 和 SEMCO 获得了非投资银行业务或产品的补偿。
- BofA Securities 或其关联公司是 LG Innotek 和 SEMCO 的非证券业务客户。
- BofA Securities 或其关联公司在过去 12 个月内收到了来自 LG Innotek 和 SEMCO 的投资银行业务补偿。
- BofA Securities 或其关联公司预计将在未来三个月内从 LG Innotek 或其关联公司获得投资银行业务补偿。
- BofA Securities 与其关联公司对 LG Innotek 和 SEMCO 持有 1% 或更多的普通股。
- BofA Securities 或其关联公司是 LG Innotek 和 SEMCO 的证券业务客户（非投资银行）。
