全球存储科技：周度主题——HBM降规格、早期资本回报、现货rally、SIMO/Phison融资

2026年8月14日 HBM内容增长符合预期；规格未作调整 EquityGlobalTechnology 我们预计新一代GPU（包括英伟达的Rubin Ultra）中不会出现HBM容量的“despec”（即容量下调）。有三个原因：1）即将推出的HBM4e/HBM5（2027-30年）基于12层或16层设计，容量已确定为500-1000GB；2）自2026年下半年起，8层（用于192GB）的TSV容量已无意义（因其已转换为12层）；3）Rubin Ultra的内存性能在288-500GB时急剧下降，使得1000GB内存成为必需，尤其对于物理AI而言。当然，一些低端GPU/TPU/ASIC可以使用192-288GB的HBM。但这些可能仅限于类似DDR4（对比DDR5）的遗留应用或仅用于推理。我们也不同意SK海力的HBM降价观点；事实上，我们已经看到2026年下半年HBM4交付价格上涨了10-20%，其中包括来自2027年上半年的需求拉动。总的来说，HBM增长主题将通过2026年下半年及2027年的内容和ASP（平均售价）提升而更具效力。 simon.woo@bofa.com西蒙·吴，CFA持证人美林证券（首尔）研究分析师 +82 2 3707 0554 dai.shen@bofa.com戴神美林证券（香港）研究分析师 vivek.arya@bofa.com阿亚尔·维韦克分析师BofAS 2026年初三星和海力士股东回报 三星电子应尽快公布其特别股息的支付日期和股票回购期，鉴于其首席财务官在第二季度财报电话会议（7月30日）中提到细节将“很快”公布。SK海力士也一直在指导其自由现金流（FCF）的50%派息率。两家公司都有300万至400万以上的零售股东，他们似乎期待更早的年末股息支付（2026年下半年支付总额的50%+/-，其余在2027年上半年），以获得税收优惠（例如，年末股息收入分两年计算）。我们对股东回报组合比例的看法（基于2026年FCF的50%；根据我们的分析，FCF总额：三星约280万亿韩元 / 海力士约170万亿韩元）保持不变（三星：60%以上现金股息，40%或更少用于回购；海力士：可能40:60——回购应比派息以发行新ADR更重要，或SK Square仅持有约20%的股份）。 mikio.hirakawa@bofa.com平川美雄波音（Boeing）日本研究分析师 matt.shin2@bofa.com马特· Shin美林证券（首尔）研究分析师 现价上涨持续；超出预期 本周，DRAM现货价格持续上涨（16Gb DDR4和DDR5均上涨2%）；这一上涨趋势已连续18周。令人惊讶的是，NAND现货涨势更为显著（例如，1Tb上涨10%），与市场预期（持平或逐步下降）形成对比。我们的渠道检查也显示，在芯片供应紧张的情况下，现货需求（来自OEM和模组制造商）更为强劲。不过，我们观察到韩国半导体出口在8月前10天略有疲软（环比下降11%），尽管年同比增长依然强劲（同比增长155%）。 群联/SIMO发布强劲业绩，但发布CB 群联（8299 TT）于5月发行了8亿美元可转债（稀释3%），尽管其二季度销售额创下纪录（685亿新台币，同比增长279%），且毛利率（65% vs 长期历史平均30%区间）也创下新高。硅动（SIMO US）也通过发行可转债筹集了10亿美元（但考虑到新发行股份数量接近基于股价表现挂钩的转换收益，其稀释程度极小）。所得现金将用于增加NAND芯片库存，特别是增长强劲的企业级解决方案。鉴于乐观的销售/毛利率表现主要被高额研发费用所抵消，我们维持对群联2026-28财年每股收益的基本预期不变。 ADR：美国存托凭证ASP：平均售价ASIC：专用集成电路CB：可转换债券CFO：首席财务官DDR4/5：第四/五代双数据速率动态随机存取存储器DRAM：动态随机存取存储器HBM：高带宽内存HBM4/4e/5：第六/七/八代高带宽内存Gigabit/Gigabyte/Terabit：吉比特/吉字节/太比特GPU：图形处理器NAND：NAND存储器OEM：原始设备制造商TPU：张量处理器TSV：硅通孔技术CR：无 受雇于BofAS的非美国附属机构，且根据FINRA规则未注册/不具备研究分析师资格。有关在特定司法管辖区对 herein 所述信息负责的BofA证券实体等信息，请参阅“其他重要披露”。因此，投资者应注意，该机构可能存在利益冲突，从而影响本报告的客观性。投资者应将本报告视为其投资决策的单一因素。第11页的“客观依据/风险”。其研究覆盖范围内的发行人，高盛证券（GB/GB/Tb）会与其进行业务往来，并寻求与其进行业务往来。 OEM 请参阅第14至16页的重要披露。分析师认证见第12页。价格 鲁宾超特去规格，韩国出口，中国进口 附件2：我们预计新GPU（包括英伟达的Rubin Ultra）中不会采用“despec”的HBM内容。有三个原因：1）即将推出的HBM4e/HBM5（2027-30）已基于12层或16层设定为500-1000GB；2）截至2026年下半年，8层（用于192GB）的TSV容量已无意义（已转换为12层）；3）Rubin Ultra的内存性能在288-500GB时急剧下降，使得1000GB内存成为必需，特别是对于物理AI。 韩国半成品出口——月前10天同比变化 韩国半成品出口——月前10天，数十亿美元 Source:MoTIR Source:MoTIR 台湾月度销售及群联电子2026年第二季度财报 第七项证据：南亚科技（+49%）、华邦电子（+30%）、南亚电路板（+16%）、鸿海（+15%）的月环比增长异常强劲。 台灣科技公司2026年7月至2026年12月月度銷售額同比图8：7月份内存名称等带领下实现强劲的同比增长南亚，群联，ADATA， transcend，华邦；台积电也稳定在45%。 南亚 +720%，群联 +378%，阿达特 +331%， transcend +308% 来源：公司 图9：AI生态系统模块（eSSD、aiDAPTIV、启动驱动等）占总销售额的38%，其次是嵌入式ODM（33%）、工业（16%）、控制器（6%）等。 群联 – 2026年第二季度按应用划分的环比销售额增长工业 (+78%), 人工智能生态系统模块 (+68%) 群联 – 2026年第二季度按应用划分的销售组合 第12项证据：2026年第二季度销售额（680亿新台币；环比增长66%，同比增长279%）超过了市场预期/我们的预估（610亿/600亿新台币），但营业利润（26.4亿新台币；营业利润率38.8%）低于我们的预估（33亿新台币；营业利润率54.8%），原因是研发费用大幅增加（150亿新台币；同比增长近7倍，但仍占总销售额的22%）；鉴于强劲的销售额/营业利润大多被高额研发费用抵消，我们2026-28年的每股收益预估基本保持不变。群联 – 盈利预测（2026-28年预期） 记忆点/合同价格趋势 第13号证据：DRAM现货价格在4月至5月走弱后，于6月反弹，此前自2025年9月至2026年1月经历了强劲上涨。价格已达到数十年来的高点，其中16Gb DDR5约为51美元，DDR4约为87美元，这得益于供应向HBM和服务器DRAM的重新分配——远超2017年10月约10美元的前期高点。 内存现货价格 – 短期趋势（2025-2026）第14项证据：在一段长时间的稳定之后，DRAM现货价格自2025年10月25日起显著上涨，并且尽管在2026年年中有所回调，但已大体维持了这些涨幅。 第15项展品：NAND晶圆价格在2023-25年间保持大致稳定，随后从2025年末/2026年上半年进入急剧上行周期，各密度产品的价格均上涨至多年来的最高水平。 NAND晶圆价格 – 长期趋势（2019-2026） 第16项证据：NAND晶圆价格在8月初强劲反弹，此前在2026年第二季度基本持平或略有下降——这一停顿是在经历了2025年第四季度和2026年第一季度的异常强劲上涨之后出现的。 NAND晶圆价格——短期趋势（2025-2026） 第18项：5月/6月/7月/8月观察到温和上涨（+7-10%），继2月（+10%）的连续放缓、3月持平动能以及4月轻微下降之后，在1月强劲上涨（+25%）和10月-11月（+60-120%）16Gb DDR5现货月平均价格急剧拉升之后，2023年12月至2026年8月月度价格变化。 附件17：价格从5月至8月初反弹，达到历史新高（53美元）。上涨趋势由10月（上涨70%）、11月（上涨60%）、1月（上涨25%）的强劲增长推动，随后在2月至4月间趋于温和。 展品20：在4月至5月中旬约25%的回调后，价格于5月下旬至7月及8月上半年反弹至历史最高点，仍比2025年10月的低点（约3美元）高约2000%。 图19：8GB DDR4现货价格在7月份达到约42美元的历史新高，8月份保持平稳，仍远高于2017年10月约10美元的前期高点，主要受主要供应商持续减产推动。8GB DDR4现货价格趋势，2023年12月-2026年8月 16GB DDR4现货价格趋势，2023年8月-2026年8月 第22号证据：DDR5和DDR4合约价格7月份环比上涨10-15%；价格预计将在2025年下半年和2026年上半年保持强势 附件21：DDR4和DDR5（16Gb）的合同价格在35-40美元的水平上相似——由于DDR4短缺，DDR5的价格溢价已不复存在 16GB DDR5与16GB DDR4合约价格月度变化 - 2023年3月至2026年7月 2023年3月至2026年7月 16GB DDR5 与 16GB DDR4 合同价格趋势 附件23：NAND现货价格在2026年1月至8月期间强劲反弹，此前在2026年第二季度和7月大部分时间里保持基本稳定至略有走弱，截至今年迄今为止价格上涨了50%以上，且较2025年2月的低点几乎上涨了8倍 附件24：与2月至3月15-20%的强劲涨幅以及10月25日至1月26日期间40-70%的月度急剧增长相比，6月份价格基本持平，7月份有所回落，8月份观察到轻微反弹，这是在4月至5月26日的修正之后出现的。 附件26：4月/5月/6月/7月价格仅较上月上涨1-5%，此上涨发生在1月/2月/3月（上涨20-30%）的涨势以及10月/11月/12月（上涨40-60%）的回升之后。 附件25：当前合同价格约为26美元，约为2025年2月低点2.5美元的10倍；2025年第四季度/2026年第一季度价格显著上涨，此后保持大致稳定。 NAND晶圆合同价格趋势，2023年9月-2026年7月 第二十八条：6月/7月现货和合约价格在2月/3月的回调后再次转为正值；价格在2025年10月至12月期间经历了剧烈上涨 附件27：16Gb DDR5现货和合同价格范围为35-40美元，而历史价格范围为3-5美元。 16GB DDR5现货价格与合约价格趋势（美元），2023年9月-2026年7月 第30号证据：NAND现货和合约价格在2025年4月至7月期间趋于正常化，此前在2025年10月至12月期间经历了强劲上涨（每月上涨40-50%）以及2026年1月至3月期间（每月上涨20-30%）的显著涨幅。 512GB NAND现货与合约价格趋势——月环比变化，2019年7月-2019年7月 第31项证据：64GB DDR4/DDR5内存模块当前价格触及历史新高，超过1000美元水平（DDR5：1480美元，DDR4：1300美元） 第32号证据：DDR5/DDR4服务器合约价格在7月份环比回升了7-15%，此前5月/6月26日价格稳定。 服务器 DRAM 合同价格变更，2024年2月至2026年6月 服务器DRAM合约价格趋势 – DDR5与DDR4内存条，2024年2月至2026年6月