电子行业快评报告：供需格局优化或推动存储价格调涨，AI端侧渗透有望提振需求

核心观点

2024年Q4以来，存储原厂积极调控产能以实现库存逐步去化，在原厂干预下存储供给格局有所优化，同时AI端侧产品的加速渗透有望推动存储需求提升，进而带动存储整体供需格局改善。

投资要点

1. 存储库存去化顺利，原厂宣布产品价格有望调涨：

   • NAND Flash方面：预计2025年第二季度价格有所回升，Client SSD价格季增3-8%，Enterprise SSD持平，eMMC和UFS价格持平，NAND Flash Wafer则季增10-15%。
   • DRAM方面：均价或季增3-8%，其中PC/Server DRAM价格持平，Mobile DRAM的LPDDR5X价格有望季增0-5%，Consumer DDR4受新基建推动可能季增0-5%。
   • 原厂供应策略：闪迪向客户发送涨价函，所有面向渠道和消费类产品将于2025年4月1日起涨价10%，美光、三星和SK海力士预计也将于4月对闪存价格进行调整，其中美光预计提高旗下闪存产品价格超10%。

2. AI端侧产品加速渗透，有望推动消费级存储需求提升：

   • 以DeepSeek为代表的开源大模型推动生成式AI在手机、PC、眼镜等端侧设备加速落地。
   • SK海力士预计2025年AIPC、AI手机渗透分别达到30%-40%/约30%。
   • IDC预计2025年全球智能眼镜市场出货1205万台，同比增长18.3%。
   • 随着AIPC、AI手机及AI可穿戴产品等端侧设备的加速渗透，消费级存储需求有望提升，例如16/24/32GB DRAM将得到广泛采用以支持AI应用，高性能嵌入式存储如LPDDR5X/LPDDR5T的需求有望增长。

3. 投资建议：

   • 2025年第二季度全球存储芯片市场有望呈现结构性复苏态势，主要受益于DeepSeek技术降低AI部署成本加速端侧设备渗透，进一步提升存储芯片需求，同时原厂调整供应策略有望维持产品价格稳中有升态势。
   • 建议关注存储芯片设计、模组及IDM等领域的龙头公司。

4. 风险因素：

   • 中美科技摩擦加剧；
   • AI端侧渗透不及预期；
   • AI应用发展不及预期；
   • 技术研发不及预期；
   • 市场竞争加剧。