当前半导体工艺正从平面架构向三维集成转型,芯片互联方案从传统微凸点技术逐步升级为铜-铜直接互联的先进键合技术,在先进存储、AI芯片等场景都有极强的刚需,直接拉动先进键合设备市场需求快速增长 【5】 。
此前2025年两家存储厂扩产进度偏慢,核心是受长存被纳入实体清单导致进口设备采购受限、叠加IPO前主动控制资本开支节奏的双重制约,当前国内核心工艺设备陆续实现技术突破,两家IPO后资金压力也得到明显缓解,叠加AI超级周期带动的存储短缺至少持续到2027年,国产存储厂商扩产必要性大幅提升,刚好进入设备招标采购的黄金窗口期 【9】 。
结合行业中性假设:2025年国内整体混合键合设备需求有望突破200台,2030年全行业累计需求有望达到1400台 【7】 【4】 ,对应两家二期产线的键合设备需求如下:
目前国内传统引线键合设备仍高度依赖进口,但先进混合键合赛道已经有国产厂商的第二代设备进入送样阶段,计划2026年进入核心客户供应体系,刚好匹配两家二期产线的设备导入节奏 【14】 【13】 。叠加长存受出口管制倒逼产线提升国产化率,二期产线的国产键合设备中标占比会明显高于一期。
不过当前行业普遍判断混合键合的大规模应用拐点出现在2029-2031年,如果后续HBM堆叠高度从当前约775微米提升至900微米以上,现有TCB工艺可支撑更高堆叠需求,可能会小幅延后全量混合键合的导入节奏,当前二期采购仍以适配现有制程的先进键合设备为主,后续随制程升级还会持续追加采购 【13】 。
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