刻蚀和沉积设备在不同制程下的国产化率

结合现有公开的行业统计和券商研报数据，我们可以把国产刻蚀、沉积设备的国产化率情况分维度梳理得很清晰：

一、整体全制程国产化率

1. 全制程口径下，2025年国内干法刻蚀设备国产化率已经达到31%，沉积设备国产化率为27%，是当前国内半导体设备领域国产化推进最快的两个赛道 【2】 。更早的2024年行业统计显示，刻蚀设备整体国产化率区间在55%-65%，薄膜沉积设备整体国产化率区间在5%-10%，后续两年国产化进度有明显提速 【1】 。
2. 截至2026年最新数据，刻蚀机和薄膜沉积设备的核心设备整体替代率已经突破40%，替代进程取得了显著突破 【4】 。

二、分技术类型的细分国产化率

1. 刻蚀设备领域：国内厂商形成了北方华创、中微公司为核心的替代中坚力量，北方华创已经实现12英寸硅、金属、介质刻蚀机全覆盖，形成ICP、CCP、Bevel刻蚀、高选择性刻蚀及干法去胶设备的全系列产品布局，中微公司在干法刻蚀领域保持稳定的技术领先优势，二者共同推动刻蚀赛道国产化率持续走高 【1】 【2】 【3】 。
2. 薄膜沉积设备领域不同技术路线国产化进度差异较大：
   • PVD设备国产化率目前处于10%-20%区间，北方华创是国内稀缺的PVD设备供应商，产品已经实现对逻辑和存储金属化制程的全覆盖 【1】 【10】 。
   • CVD/ALD设备国产化率目前处于5%-10%区间，拓荆科技作为国内CVD设备头部企业，已经完成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的全薄膜工艺覆盖，还拓展了适配沟槽填充的Flowable CVD设备，其PECVD设备在长江存储128层3D NAND产线装机量占比从15%提升至30%，带动细分赛道国产化快速提升 【1】 【3】 【4】 。

三、近年国产化率增长趋势

薄膜沉积设备的国产化率近年提升速度尤为明显：2020年国产化率仅为9.85%，2023年已经攀升至16.67%，后续随着头部厂商先进制程机台完成验证并规模化量产，未来4年干法刻蚀、薄膜沉积还将成为国产化率提升最快的半导体设备细分领域 【3】 【13】 。