26Q3晶合集成扣非归母净利润同比增长698%,营收同比增长14.4%,均超市场预期。Q3归母净利润同比增长5.2%,扣非同比增长697.5%,Q3利润总额同比增长28.3%(剔除金融资产及汇率影响后同比增长135.58%)。营收33.54亿元超指引上限32-33亿元,毛利率26.4%符合指引25%-27%区间。公司订单充足,产能利用率持续处于高位,预计下一轮涨价预期酝酿,后续利润弹性可期。
AI需求驱动下,电源管理类需求旺盛,晶合集成电源业务占比13%受益明显。DDIC和CIS等存储芯片需求持续紧张,公司26H1主业DDIC占比53%,CIS 25%。国内DRAM采用4F2+CBA方案,通过混合键合集成逻辑晶圆有望解决高端制程限制,或外包逻辑晶圆部分,技术趋势为晶合集成带来新的增长机会。
报告重点分析了晶合集成的业绩表现、产品结构、产能与价格、技术趋势。业绩方面,扣非净利润和营收均超预期,利润总额剔除金融资产及汇率影响后同比增长135.58%。产品结构上,DDIC占比最高,电源业务受益AI需求。产能稼动率接近满产,年初以来持续涨价,当前产能依然紧张。技术趋势上,关注国内DRAM采用4F2+CBA方案及混合键合集成逻辑晶圆的变革。
晶合集成所在存储芯片市场,AI需求驱动电源管理类芯片需求旺盛,DDIC和CIS等存储芯片持续紧张。公司订单充足,产能利用率高,预计下一轮涨价预期酝酿。国内DRAM产能依然紧张,稼动率接近满产,年初以来持续涨价。技术层面,4F2+CBA方案及混合键合集成逻辑晶圆或带来新的增长机会。
研报提示需关注技术迭代不及预期的风险。国内DRAM采用4F2+CBA方案及混合键合集成逻辑晶圆的技术路线变革,若技术迭代不及预期,可能影响公司未来的增长机会。此外,市场供需关系变化、原材料价格波动、竞争格局变化等也可能对公司业绩产生影响。