瑞穗证券最新研报指出,长鑫存储计划在2026年底前推出4F2 DRAM,但瑞穗认为此举不会改变服务器DRAM市场的竞争格局,市场此前的负面反应已经过度。同时,报告认为物理微缩的极限可能已经到来,三星电子、SK海力士和美光采用混合键合技术的可能性正不断升高。AI DRAM时代的优先事项已从容量和成本转向速度、带宽及封装结构的提升。
根据瑞穗证券研报,服务器DRAM赛道未来发展趋势显示,物理微缩技术可能已接近极限,混合键合技术的应用成为关键方向。AI DRAM时代,市场优先事项已从容量和成本转向速度、带宽及封装结构的提升。长鑫存储的4F2 DRAM计划虽不会改变竞争格局,但技术升级仍是行业焦点。
瑞穗证券研报重点分析了长鑫存储的技术路线及其对市场格局的影响,评估了物理微缩技术的未来可能性,并探讨了AI DRAM时代的技术发展方向。报告指出,市场对存储芯片的负面反应过度,技术进步和产业策略仍是关键分析方向。
根据瑞穗证券研报,自7月存储股大幅下跌以来,投资者主要在调整持仓,并在负面消息出现时抛售。市场情绪波动较大,但瑞穗认为这是投资者在调整持仓过程中的正常反应,而非长期悲观情绪的体现。
瑞穗证券研报提示,尽管长鑫存储的4F2 DRAM计划不会立即改变市场格局,但技术路线的不确定性仍是潜在风险。物理微缩技术的极限可能影响行业增长预期,而混合键合技术的应用仍需时间验证。AI DRAM时代的竞争格局也可能因技术路线差异而发生变化。