本研报重点分析了PCB、电源和磷化铟三个算力高结构方向。PCB方面,通过M9材料体系、mSAP工艺、CoWoP方案和正交背板四大新路线,推动PCB向半导体化演进,提升产业链价值。电源方面,SOFC技术凭借短交期、模块化和低排放等特点,精准卡位AI供电需求。磷化铟作为光通信上游紧缺物料,其工艺壁垒决定了供给刚性,AI高速互联需求将放大材料缺口。
PCB行业正通过四大技术路线实现结构升级。M9材料体系采用Low DK石英布等新材料,大幅提升性能指标。mSAP工艺将线宽/线距压缩至15-25μm,与M9材料耦合,推动PCB向算力封装和信号传输双核心节点演进。CoWoP方案将封装基板功能下沉至PCB,单GPU价值量显著提升。正交背板通过78层超高多层PCB替代传统铜缆,成为机架级核心互联载体,价值量大幅提升。这些新路线对PCB物理性能提出更高要求,推动产业链位势提升。
报告重点关注SOFC技术在电源赛道的应用。SOFC凭借短交期、模块化和低排放等特点,精准满足AI对供电的time-to-power需求。Bloom Energy为Oracle交付的项目从开工到供电仅55天,推动合作扩大至2.8GW。SOFC原生直流输出与英伟达800VDC架构天然协同。在产业链方面,电堆是SOFC系统中价值量最高、技术壁垒最深的核心部件,电解质隔膜片因认证周期长、供给集中度高,是壁垒最高的细分环节之一。
磷化铟市场呈现供不应求的紧张态势。AI高速互联需求前置放大了材料缺口,预计2026年全球磷化铟衬底需求将达260–300万片,而有效产能仅约75万片,供需缺口超过70%。高频报价与单位面积溢价是大尺寸化偏好的直接证据,也是国内景气的核心验证指标。AI需求随速率代际非线性放大,推动材料消耗持续增长。出口许可与FCC规则作用于不同环节,导致国内外供需逻辑出现割裂。
本研报提示的主要风险包括技术迭代风险,PCB、电源和磷化铟等领域的技术路线可能存在快速变化,影响现有投资布局的稳定性。产业链风险方面,SOFC产业链中电解质隔膜片等关键环节供给集中度高,存在被替代或中断的风险。市场需求风险方面,AI对算力高结构方向的需求可能存在波动,影响材料价格和订单稳定性。此外,国际贸易政策变化也可能对相关产业链产生影响。