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长鑫科技近期有哪些重要投资计划？
长鑫科技近期持续加码建设存储项目，主要包括两大项目：1）新建技术研发项目，计划投资总额241亿元，其中130亿元使用超募资金，设备购置费占93%，建设周期30个月；2）新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划投资总额108亿元，通过增资和借款方式向全资子公司长鑫产品合肥提供50亿元超募资金，设备购置和安装费占76%，建设周期37个月。
国产DRAM行业发展趋势如何？
国产DRAM行业发展趋势向好，AI驱动DRAM需求爆发，服务器在DRAM占比有望从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。预计2026年DRAM供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。长鑫科技作为国内最大、全球第四大DRAM原厂，产品丰富，包括DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等，HBM3E加速落地，#LPDDR6于8月底官宣量产，性能与海外大厂基本持平，首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。#9月20日宣布G5实现量产，内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，与海外制程差距缩小至1代，此工艺使用ArF浸没式DUV四重曝光完成，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%。
长鑫科技在报告中的重点分析方向是什么？
报告重点分析了长鑫科技在产能拓展方面的布局，目前合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计2026年全部达产并持续提升G4销量占比。上海DRAM及HBM产线产能规划预计达合肥总部2-3倍，有望2026年底开始量产。同时，报告也强调了长鑫科技在技术方面的突破，如G5工艺的实现，以及其在DRAM国产替代中的引领作用，2026Q2长鑫营收份额近10%，三大原厂营收份额仍占近90%，但DRAM国产化率低，未来替代空间广阔。
当前DRAM市场现状如何？
当前DRAM市场现状是供需持续紧张，预计2026年仍将持续。AI应用驱动服务器等终端需求增长，服务器在DRAM占比有望从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。长鑫科技是国内最大、全球第四大DRAM原厂，但国产化率仍较低，2026Q2长鑫营收份额近10%，三大原厂营收份额仍占近90%。长鑫科技通过持续加码投资，如新建技术研发项目和后道测试基地二期项目，计划投资总额超过349亿元，旨在提升产能和技术水平，推动DRAM国产替代进程。
研报提示了哪些风险？
研报提示的主要风险是下游需求不及预期。虽然AI驱动DRAM需求爆发，但市场仍存在不确定性，下游需求的变化可能影响DRAM价格和产能利用率。此外，技术迭代和市场竞争也是需要关注的因素，虽然长鑫科技在G5工艺上取得突破，但与海外领先企业的差距仍需时间弥补。同时，DRAM国产替代虽然空间广阔，但长鑫科技等国内企业在市场份额和国产化率方面仍有提升空间，需要持续努力。