中泰电子长鑫科技国产DRAM龙头加速打破海外垄断LPDDR6有望H2量产导入

长鑫科技作为国产DRAM龙头，正加速打破海外垄断。其LPDDR6已近研发验证尾声，预计2026年下半年发布并量产导入，性能与海外大厂基本持平。长鑫是国内最大、全球第四大DRAM原厂，产品覆盖DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等，HBM3有望2026年量产。合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计2026年全部达产并提升G4销量占比；上海DRAM及HBM产线加速建设，预计2026年底/2027年开始量产，产能规划达合肥总部的2-3倍。

AI推理驱动存储需求指数级爆发，服务器在DRAM占比将从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。预计2026年DRAM供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。AI对DRAM行业的影响显著，推动高性能、大容量存储需求增长，为国产DRAM厂商带来发展机遇。

报告重点分析了长鑫科技的LPDDR6研发进展、产能规划及产品布局，同时关注国内DRAM行业在AI驱动下的供需关系及价格趋势。报告指出长鑫科技作为国产DRAM龙头，正加速打破海外垄断，LPDDR6性能与海外大厂基本持平，国产替代空间广阔。

当前DRAM市场在AI驱动下供需紧张，价格有望持续上行。国内DRAM行业国产化率低，2026年Q1长鑫营收份额7.7%，三大原厂营收份额仍占90%。长鑫科技作为国内最大、全球第四大DRAM原厂，正加速打破海外垄断，LPDDR6有望在2026年下半年量产导入，市场对国产DRAM需求旺盛。

研报提示国内DRAM行业国产化率低，未来替代空间广阔，但短期内供需紧张可能导致价格波动。长鑫科技LPDDR6量产导入存在技术及市场风险，产能扩张需持续资金支持。上海DRAM及HBM产线建设进度可能影响整体产能释放，需关注技术迭代及市场竞争风险。