中泰电子 长鑫科技 国产DRAM龙头加速打破海

长鑫科技研报核心内容聚焦于其LPDDR6技术进展，预计2026年H2发布并量产导入，性能与三星、海力士、美光持平，采用1295 Ball的POP封装，低功耗及RAS功能优于LPDDR5X。同时涵盖长鑫科技概况，作为国内最大DRAM原厂，其产品线丰富，合肥、北京共3座12英寸DRAM晶圆厂预计2026年全部达产，上海DRAM及HBM产线加速建设。

国产DRAM行业发展趋势受AI驱动供需格局影响显著，AI推理需求爆发导致服务器DRAM占比从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。预计2026年DRAM供需仍紧张，价格有望持续上涨。目前DRAM国产化率低，三大原厂营收份额仍占90%，未来替代空间广阔。

研报重点分析了长鑫科技的技术进展与产能扩张，包括LPDDR6研发、产品线布局及产能规划。同时关注AI对DRAM需求的结构性变化，以及国产替代的长期空间。长鑫科技作为国内龙头，其技术突破与产能释放是关键分析方向。

当前DRAM市场现状呈现供需紧张格局，AI需求爆发推动服务器DRAM占比提升。长鑫科技等国内厂商虽已取得进展，但整体国产化率仍低，2026Q1长鑫营收份额仅7.7%。预计2026年价格有望持续上涨，但需关注下游需求波动等风险。

研报提示的主要风险包括下游需求不及预期，这可能影响DRAM价格走势及厂商营收表现。此外，技术迭代加速和市场竞争加剧也可能对长鑫科技等国内厂商的国产替代进程带来挑战。需持续关注行业供需变化及竞争格局演变。