中泰电子 长鑫科技 国产DRAM龙头加速打破海外垄断 LPDDR6有望H2量产导入

玫瑰LPDDR6有望H2量产导入，性能与海外大厂基本持平！ 1）长鑫LPDDR6已近研发验证尾声，有望26H2发布并量产导入。 2）首款设计速率12.8Gbps，与SoC协同的运行基础速率约10.7Gbps，颗粒容量16Gb，采用1295 Ball（焊球）的POP（堆叠）封装，在低功耗设计、RAS（可靠性、可用性、可维护性）功能比LPDDR5X显著优化。 性能与量产节点和海外大厂基本持平：目前三星、海力士、美光设计速率在12~14.4Gbps，普遍预期26H2量产。 玫瑰长鑫是国内最大、全球第四大DRAM原厂。 1）产品丰富：包括DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等，HBM3有望26年量产。 2）产能拓展：目前合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计26年全部达产并持续提升G4（约16-17nm）销量占比。上海DRAM及HBM产线加速建设，有望于26年底/27年开始量产（产能规划预计达合肥总部的2-3倍）。 玫瑰AI驱动DRAM需求爆发，行业供需紧张、价格有望持续上行。 AI推理驱动存储需求指数级爆发，服务器在DRAM占比有望从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。预计26年DRAM供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。 玫瑰DRAM国产替代空间广阔，长鑫引领国产化。 26Q1长鑫营收份额7.7%，三大原厂营收份额仍占90%，DRAM国产化率低，未来DRAM国产替代空间广阔。 风险提示：下游需求不及预期等。 #文字观点 庆祝派点请支持中泰电子：王芳/杨旭/丁贝渝/张心阳