长鑫科技LPDDR6有望在2026年第二季度完成研发验证并量产导入,性能与海外大厂(三星、海力士、美光)基本持平。首款设计速率为12.8Gbps,运行基础速率约10.7Gbps,采用16Gb颗粒容量和1295 Ball的POP封装,低功耗及RAS功能优于LPDDR5X。
国产DRAM行业正加速发展,AI推理将推动服务器DRAM占比从2024年的38%提升至2026年的50%~60%,2026年DRAM供需仍将持续紧张,价格有望上涨。目前DRAM国产化率低,未来替代空间广阔,长鑫科技作为国内最大、全球第四大DRAM原厂,产品覆盖DDR5、LPDDR4X/5/5X,HBM3预计2026年量产,将受益于这一趋势。
长鑫科技的核心竞争力在于其技术实力和产能布局。其LPDDR6性能与海外大厂持平,设计速率12.8Gbps,预计2026年H2量产。公司是国内最大、全球第四大DRAM原厂,产品覆盖DDR5、LPDDR4X/5/5X,HBM3预计2026年量产。产能方面,合肥、北京共3座12英寸DRAM晶圆厂预计2026年全部达产,上海DRAM及HBM产线计划2026年底/2027年量产,总产能达合肥总部的2-3倍。
当前DRAM市场供需紧张,价格有望上涨。2026年DRAM供需仍将持续紧张,主要受AI推理驱动,服务器DRAM占比将从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。目前DRAM国产化率低,三大原厂仍占90%,长鑫科技2026年Q1营收份额7.7%,未来替代空间广阔。长鑫科技等国内厂商正加速打破海外垄断,推动国产替代进程。
研报提示的主要风险包括下游需求不及预期等。虽然长鑫科技LPDDR6性能优异,产能扩张迅速,但DRAM行业仍受下游需求波动影响。AI等新兴应用对DRAM需求旺盛,但若下游需求增长放缓,可能影响行业整体表现。此外,技术迭代和市场竞争也带来一定不确定性。