金融产品深度报告：科创芯片设计ETF广发（589210）：AI驱动与国产替代共振下的科创板芯片投资机遇

科创芯片设计ETF广发（589210）：AI驱动与国产替代共振下的科创板芯片投资机遇 2026年07月22日 证券分析师芦哲执业证书：S0600524110003luzhe@dwzq.com.cn证券分析师唐遥衎执业证书：S0600524120016tangyk@dwzq.com.cn证券分析师谢文嘉执业证书：S0600525120001xiewenjia@dwzq.com.cn ◼上证科创板芯片设计指数投资价值分析： ◼聚焦芯片设计龙头，高弹性覆盖AI算力与国产替代主线：上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）选取科创板芯片设计领域上市公司证券作为样本，截至2026年6月30日，前十大成分股权重合计65.30%，高度集中于数字芯片设计。指数覆盖存储芯片、高性能处理器、内存接口芯片、芯片IP及AI芯片等核心方向。指数高度聚焦芯片设计领域，为投资者提供较为纯粹的“科创板+芯片设计”配置工具。 ◼轻资产模式赋予高盈利弹性：芯片设计企业采用Fabless模式，固定资产投入较低，产品放量阶段新增收入更易转化为利润，经营杠杆较强。截至2026年7月17日，从绝对水平看，指数估值偏高。若AI算力、国产替代及存储周期改善持续推动EPS增长，估值匹配度有望逐步改善；若EPS增速回落，高PB可能放大估值调整风险。 相关研究 《下半年美国财政基调趋紧——海外周报20260720》2026-07-20 ◼行业基本面分析： 《极端台风天气或对7月出口和物价造成扰动》2026-07-19 ◼AI驱动存储超级周期，供需错配持续深化：本轮存储周期自2025Q2起持续上行，AI算力基础设施建设带来强需求增量，与刚性供给约束共同形成“紧平衡”。根据已披露数据，美光2026年全年HBM供应量已全部售罄，涨价趋势有望延续至2027年。TrendForce预计2026年下半年至2027年下半年，整体ServerDRAM合约价将维持逐季上涨。 ◼3D DRAM步入商业化，端侧AI激发存储新需求：2025年3D DRAM相关产品已发布，2026-2027年进入放量期。瑞芯微等厂商已推出内置3D DRAM架构的NPU产品，支持端侧AI大模型部署。高带宽、低成本的3D DRAM有望在机器人、AIoT、汽车等多领域放量，头部科技终端厂商陆续入局。 ◼国产存储崛起，长鑫上市开启扩产新周期：长鑫存储登陆资本市场将显著增强资本实力，推动DRAM领域长期技术迭代与产能扩张，进入新一轮中长期扩产通道。CBA架构开启DRAM向3D演进新周期，对光刻、刻蚀、薄膜沉积等环节提出更高技术要求，产业链景气度有望系统性抬升。 ◼科创芯片设计ETF广发（589210）产品推荐： ◼产品成立于2025年12月11日，上市交易日期为2025年12月12日。联接基金代码为027520、027521。该基金为股票型、被动指数型、交易型开放式基金，紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）。费用方面，产品管理费率为每年0.50%，托管费率为每年0.10%。截至2026年7月17日，基金流通市值8.74亿元，当日流通份额13.05亿份。 ◼聚焦芯片设计链条，纯度与弹性兼备：2026年第二季度产品前十大成分股合计权重约65.11%，覆盖算力、存储、IP、SoC、特种芯片及传感器等多元细分赛道，既包含AI算力与数据中心的核心受益标的，也布局了自主可控与国防信息化方向的关键核心资产。 ◼指数化+ETF场内双重优势，高效把握结构性行情：产品采用完全复制法紧密跟踪上证科创板芯片设计指数，兼具行业指数化投资与ETF场内交易工具的双重优势。当芯片板块出现AI算力催化、国产替代加速或存储周期反转等行情时，投资者可及时执行交易，提升资金使用效率。 风险提示：1）行业政策或监管环境突变；2）宏观经济不及预期；3）发生重大预期外的宏观事件；4）指数及行业特有风险。 内容目录 1.1.高纯度配置科创板芯片设计龙头，集中受益于AI算力和国产芯片需求扩张..................41.2.行业配置聚焦科创芯片设计，半导体纯度较高.....................................................................51.3.轻资产、高研发的行业特征赋予指数较强的盈利和EPS弹性,高估值对应高成长的重估机会.....................................................................................................................................................6 2.1. AI驱动超级周期.........................................................................................................................92.2.需求：AI驱动，客户价格不敏感且增量巨大.....................................................................102.3.价格跟踪：大宗存储持续上涨，利基存储开始发力...........................................................11 3.产业趋势：26年3D DRAM为放量元年，长鑫上市推动国产存储崛起...................................13 3.1. 3D DRAM步入商业化，激发端侧AI存储机遇..................................................................133.2.长鑫上市在即，注重国产存储产业机遇...............................................................................14 4.ETF产品推荐：科创芯片设计ETF广发（589210）...................................................................14 4.1.基本信息...................................................................................................................................144.2.优势一：产品配置“高纯度”的芯片龙头...............................................................................154.3.优势二：指数化+ETF场内双重优势，高效把握行业结构性机会....................................17 5.风险提示............................................................................................................................................18 图表目录 图1：科创芯片设计指数行业分布（截至2026/6/30，自由流通市值加权权重）.........................6图2：科创芯片设计指数历史EPS(单位：元)....................................................................................7图3：科创芯片设计指数历史市盈率(PE-TTM，区间范围2024/7/26-2026/7/17)...........................7图4：科创芯片设计指数历史市净率(区间范围2024/7/26-2026/7/17).............................................8图5：存储原厂季度营收变化（亿美元）...........................................................................................9图6：存储原厂季度毛利率变化情况.................................................................................................10图7：DXI指数....................................................................................................................................12图8：DRAM与NAND指数..............................................................................................................12图9：瑞芯微AI协处理器发布..........................................................................................................13图10：3D DRAM工艺流程................................................................................................................13 表1：科创芯片设计指数前十大成分股（截至2026/6/30，自由流通市值加权权重）.................4表2：AI服务器与传统服务器存储需求对比...................................................................................11表3：各细分市场存储芯片需求增长预测（2026年）....................................................................11表4：26Q3服务器DRAM合约价预测.............................................................................................12表5：SLC NAND合约价预测............................................................................................................13表6：科创芯片设计ETF广发基本信息...........................................................................................15表7：科创芯片设计ETF广发2026第二季度前十大权重股（截至2026.6.30）........................16表8：科创芯片设计ETF广发2026第二季度各细分领域净值占比（截至2026.6.30）............16 1.上证科创板芯片设计主题指数投资价值分析