广发上证科创板芯片设计 基金分析专题报告(深度) 证券研究报告 金融产品研究分析师:于婧(执业S1130519020003)yujing@gjzq.com.cn 布局科创芯片设计,把握AI与国产替代双轮驱动 存储器是半导体第二大细分市场,2024年规模1655亿美元、同比增79%,占比约31%,具3-5年强周期属性,当前正处AI驱动的新一轮存储大周期起点。需求侧,大模型向多模态演进叠加思维链(CoT)推升Token消耗,存储单位从KB跃升至TB乃至EB级;供给侧,NAND与DRAM合计占市场97%,本轮NAND需求受AI高容量存储拉动结构性走强,而原厂资本开支侧重制程升级与Hybrid Bonding而非扩产,供给紧缩料延续至2026全年,ASP持续上行,行业景气有望延续。 上证科创芯片设计主题指数(950162.CSI)由中证指数公司编制,发布于2024年7月26日,基日为2019年12月31日,旨在综合反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。 市值分布相对均衡,覆盖细分赛道龙头:指数加权平均市值862.64亿元,中位数243.58亿元,前十权重合计65.30%,市值分布相对均衡,但同时涵盖佰维存储、寒武纪、海光信息等各细分赛道龙头。前十大成分股2026年一季度多家利润增速超1000%,业绩爆发式增长正在快速消化高估值。 聚焦芯片设计核心赛道,多维概念精准映射AI算力与国产替代主线:半导体占比高达95.96%,数字芯片设计占据绝对主导,模拟芯片设计为重要补充。AI相关概念合计权重32.64%,算力/AI主芯片(22.99%)和存储芯片(21.55%)为两大核心概念,精准映射AI算力、国产替代、存储扩产等核心投资主线。 估值居于合理区间,业绩高增长支撑估值弹性:PE-TTM为262.15倍,处于近5年46.37%分位,估值处于合理区间。成分股三位数乃至四位数的利润增速意味着PE可能被快速摊薄,业绩的高确定性增长为估值提供了实质性支撑。 中长期超额收益显著,高弹性高回报:基日以来累计上涨193.02%,大幅跑赢科创综指和上证指数。近一年年化收益率135.80%,虽具有硬科技行业高波动属性,但在不同行情周期中均展现了优异的收益获取能力,体现科创板芯片设计产业作为科技核心赛道的长期配置价值。 广发上证科创板芯片设计ETF(589210.OF)成立于2025年12月11日,12月23日上市,紧密跟踪上证科创芯片设计主题指数,采用指数化投资策略追求跟踪偏离度和跟踪误差最小化。基金经理夏浩洋先生,接近10年证券、基金行业从业经历,目前在管产品17只,管理规模超过180亿元,在指数投资方向具有丰富的经验。 截至2026年7月13日,基金净值走势与标的指数高度一致,日跟踪偏离度几乎保持在±0.03%以内,高效实现了对科创芯片设计主题指数的跟踪复制,为投资者提供了一键布局科创芯片核心资产的便捷工具。 广发基金管理有限公司成立于2003年8月,历经近23年发展,覆盖股票、混合、债券、货币、指数、FOF、海外等各类型基金产品。截至2026年6月30日,旗下管理被动指数型基金78只(不含联接基金),管理规模1526.79亿元,行业领先。产品矩阵覆盖宽基指数、主流行业主题及Smart Beta策略,并积极前瞻布局半导体芯片、人工智能、云计算等科技成长赛道,科创芯片设计ETF的推出进一步丰富了公司在半导体领域的产品矩阵。 地缘政治风险;海外加息缓和进程不及预期;国内政策及经济复苏不及预期;基金相关信息及数据仅作为基金研究使用,不作为募集材料或者宣传材料;本文涉及所有基金历史业绩均不代表未来表现。 内容目录 一、行业投资价值分析......................................................................4全球存储周期复盘:大市场与强周期并存.......................................................4大模型类型和机制转变正产生大量数据存储需求.................................................5AI驱动存储需求快速攀升,存储原厂资本开支还未大规模投产....................................5二、上证科创芯片设计主题指数投资价值分析..................................................61)科创芯片设计主题指数概况................................................................62)市值分布相对均衡,覆盖细分赛道龙头......................................................73)聚焦芯片设计核心赛道,多维概念精准映射AI算力与国产替代主线.............................84)估值居于合理区间,业绩高增长支撑估值弹性...............................................105)中长期超额收益显著,高弹性高回报.......................................................10三、广发上证科创板芯片设计ETF产品分析...................................................11科创芯片设计ETF基本信息..................................................................11四、广发基金管理有限公司简介.............................................................12风险提示......................................................................................12 图表目录 图表1:存储板块通常大市场与强周期并存........................................................4图表2:存储价格具有明显周期性,以DDR3 4Gb为例(单位:美元).................................5图表3:DRAM与NAND指数具有类似的周期性.....................................................5图表4:生成式AI对存储的需求持续提升.........................................................5图表5:不同阶段的科技创新对存储的需求持续提升................................................5图表6:2024年全球DRAM和NAND合计占据97%的份额..............................................6图表7:26年DRAM与NAND Flash产业的资本支出和扩产仍未进入扩张周期............................6图表8:科创芯片设计主题指数编制规则..........................................................7图表9:指数成分股市值分布(截至2026/7/13)...................................................7图表10:指数成分股市值集中度(截至2026/7/13)................................................7图表11:指数前10大成分股营收情况(截至2026/7/13)...........................................8图表12:指数申万二级行业分布(截至2026/7/13)................................................8图表13:指数申万三级行业分布(截至2026/7/13)................................................8图表14:指数细分概念板块分布(截至2026/7/13)................................................9图表15:指数细分概念板块明细(截至2026/7/13)................................................9图表16:科创芯片设计指数估值水平(截至2026/7/13)...........................................10图表17:科创芯片设计指数基日以来累计涨幅(截至2026/7/13)...................................11 图表18:指数各阶段风险收益指标(截至2026/7/13).............................................11图表19:广发上证科创板芯片设计ETF基金基本信息..............................................11图表20:ETF上市以来业绩走势(截至2026/7/13)...............................................12图表21:ETF上市以来日跟踪偏离度(截至2026/7/13)...........................................12 全球存储周期复盘:大市场与强周期并存 存储器作为半导体中仅次于逻辑的第二大细分市场,其历史表现与整个半导体周期走势一致,但波动性大于整个行业。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)的数据,2024年全球半导体的市场规模为5395.1亿美元,同比增长26%。其中,存储器细分赛道市场规模达1655.2亿,同比增加79%,占比约为31%。从历史上看,半导体以及存储细分赛道呈现出趋同的周期性,但存储板块在一定程度上放大了行业整体波动性。2000年以来,全球存储行业已经历多轮周期,每一轮完整周期大概会历时3-5年。随着AI驱动需求提升,当下我们走在新一轮存储大周期的起点。 每轮存储周期亦有不同,需求驱动的周期通常持续性更长及弹性更大。2008年移动互联网周期和2016年4G手机周期皆充分印证了这一点。移动互联网爆发催生高清音视频等应用,用户侧对手机存储的需求从最初的16GB,逐步向64GB、128GB乃至更大容量升级。这种增长并非短期技术迭代推动,而是随应用场景深化持续释放持续提升的过程。2023年AI时代开始落地,我们同样看好模型和应用落地后对存储需求长期且大量的拉动。 来源:WSTS,国金证券研究所 颗粒价格与存储价格也息息相关。当行业开始上行周期,下游需求走高,行业新增产能有限的情况下,市场格局逐渐从供过于求走向供不应求,原厂会有意识的去推高现货价格,以此抬升公司盈利能力。当新增产能被大幅度开出,行业重新走向供过于求,渠道和终端库存开始走高,现货价格开始下跌。原厂会通过缩减资本开支以及降低稼动率的方式减少晶圆产出,同时等待下游库存去化以及新需求的出现,周而复始形成存储周期。 来源:iFind,国金证券研究所 来源:iFind,国金证券研究所 大模型类型和机制转变正产生大量数据存储需求 思维链(CoT)较早是由DeepMind在2022年发表的论文《Chain-of-Thought Prompting Elicit