半导体超级周期存储产业更新20260719

存储行业：337调查催化2026价格拐点，2027产能释放终结涨价潮 摘要 ●337调查或成价格拐点，预计三星、海力士、美光等原厂在2026年10-11月主动降价，降幅约5%-8%,以对冲反垄断压力。●存储价格在2027年中旬前维持上涨通道，但涨幅收敛；2027年下半年随新建厂房产能大规模释放，市场供需将反转进入下行周期。●HBM供需缺口持续，2027Q1价格涨幅或达60%-70%,毛利率冲刺90%;HBM扩产以新建产能为主，对传统DRAM/NAND产能挤占有限。●降价路径呈现结构性差异：消费电子首当其冲，随后为利基型产品与服务器，汽车电子价格韧性最强，eSSD与消费级NAND或出现价格两极分化。·长鑫、长江存储市占率已达12%-15%,凭借8%-9%的成本优势及低10%左右的定价策略冲击中低端市场，预计2028年达到份额平台期。●LPDDR6预计2026年10-11月规模化量产，速率达10.7GB/s;内存接口芯片因格局高度集中(澜起、瑞萨、Rambus)成为反垄断调查切入点。 Q&A 历史上美国政府是否对其他国家或地区的产业(如日本半导体、台湾面板)采取过类似337调查的措施?其效果如何，以及本次针对DRAM设备及下游组件的337调查是否可能迫使上游存储厂商扩产或降价? 从历史上看，美国确实对日本厂商采取过类似措施，因此本次调查预计也会产生一定效果。启动337调查本身会在市场上制造一种恐慌情绪，虽然直接要求三星、海力士、美光等企业让渡利润的可能性不高，但迫使它们降价的可能性是存在的。调查会对三星、海力士等企业产生影响，尽管最终反垄断的定义可能不会成立，但很可能会促使这两家企业主动降价。 考虑到337调查立案后约45天内完成调查，60天左右可能公布结果，产业界预计存储厂商何时会对此作出反应，例如出现价格拐点或官方表态? 调查本身需要一定时间周期。预计三星、海力士、美光等企业可能要到2026年10月份以后，即10月至11月间，才会开始计量并实施降价。在10月之前，由于当前DRAM、NAND和HBM市场仍处于较为短缺的状态，原厂方面仍希望将价格维持一段时间。随着10月份后调查的深入以及部分结果的公布，原厂可能会启动降价。 近期韩国工会会长公开表示当前存储价格过高，并认为为了维持高价而不扩产并非明智之举。这一表态是代表存储原厂的意愿，还是仅为中立机构的观点?此番言论将对后续存储价格产生何种影响? 该表态主要代表其个人或中立方的观点，并非原厂的立场。事实上，这也从侧面印证了当前DRAM和NAND市场价格确实处于高位。原厂对外通常宣称是需求增长导致产能不足，因此该机构的言论并不代表原厂的态度。 韩国工会会长提及，高价格可能吸引新进入者(如长鑫存储和长江存储),并引发各国政府(尤其是美国政府)的干预。如何看待中国厂商的介入对存储价格的长期影响，以及美国等政府未来干预的可能性与实现路径? 新进入者和政府干预确实会推动存储价格下行。从业内除原厂外的各方来看，普遍希望价格能够下降。产能扩充主要有三种方式：第一种是新建厂房，但这需要1.5至2年时间，对2026年产能无贡献，预计要到2027年中旬后才能释放产能，届时会对2027年的供应产生影响。第二和第三种方式则能更快地提升产能。第二种是在现有厂房内增加设备，耗时约5至6个月。第三种是通过技术改进或产线转换，例如将旧制程DRAM(如1Y、1Z)升级为1-alpha(1a)、12纳米或14纳米制程，或将96层(V5)和128层(V6)的V-NAND升级为236层(V8)和296层(V9),这种代际转移也能带来产能提升。通过后两种方式，预计2026年可分别增加约13万片的DRAM和15万片的NAND产能。到2027年，随着新建厂房的产能释放，预计将带来30万片至35万片的DRAM产出。因此，到2027年中旬，市场将有大批产能释放，叠加外部事件影响，价格将呈现下行趋势。 市场有传言称美国政府可能直接要求三星、海力士等公司进行利润分成，以补贴本土项目。这种直接干预的可能性有多大? 历史上从未出现过美国政府要求非美籍企业进行利润分成的情况。因此，这种情况实际发生的可能性不高，大概率仅停留在讨论层面。然而，美国政府要求三星、海力士、美光等企业降价的可能性非常高。当前的高价格已开始让终端客户难以承受，因此通过施压促使原厂降价，是比直接利润分成更现实的举措。 尽管市场预期高价会抑制下游采购，但近期观察到，随着英伟达VR200、谷歌TPUv8等新品进入备货高峰，加之第四季度为传统旺季，终端大厂似乎在边际上加紧采购，导致现货和合约价格的环比涨幅超出市场预期。产业的真实情况是否如此?未来价格走势如何? 若排除政府干预的政治因素，仅从市场供需角度看，预计到2027年中旬前，存储价格仍将处于上涨通道，但涨幅会持续收敛。当前供给端确实无法满足需求端，英伟达、谷歌、AMD等公司的算力卡和ASIC芯片对产能需求巨大，导致DRAM和NAND的短缺局面仍在持续。基于市场行为导向，预测到2026年底，存储产品仍会继续涨价。到2027年中旬，涨价幅度可能减弱至个位数，但大概率仍维持上涨趋势。然而，进入2027年下半年，随着通过新建厂房方式扩充的大量产能释放，届时市场供需关系可能发生转变，价格或将开始下行。 鉴于HBM与DDR5等产品利润率倒挂的现状，HBM未来的价格上涨趋势似乎已成定局。这一趋势是否会促使存储厂商将更多产能转向HBM,从而挤占DDR5和NAND的产能，并可能引发超出预期的价格调整?整个价格和产能调整的节奏将如何演变? HBM价格的持续上涨是显而易见的。目前全球HBM月产能约为32.6万片，其中三星占14万片，海力士占15万片，美光占3.6万片。这一产能对应每年约1,600万张GPU板卡，而2026年包括GPU板卡、ASIC芯片及TPU在内的市场总需求显然超过此数，因此HBM价格将继续上行。然而，HBM扩产挤占传统DRAM或NAND产能的可能性目前不高。主要原因是，尽管HBM利润丰厚，但传统DRAM的毛利率水平当前也相当可观，厂商没有充分动机将现有DRAM产线大规模转换为HBM产线。因此，HBM的扩产策略将主要依赖于新建厂房、洁净室及动力设备。虽然过去已有部分DRAM产能转向HBM,但考虑到当前DRAM产能同样趋紧，未来的扩产大概率会以新建产能的方式进行，而不会进一步挤占传统DRAM和NAND的产能。 将传统DRAM产线转换为HBM产线，其具体的转产要求、时间以及效率是怎样的? 行业内通常是将DRAM产能转向HBM,而非NAND。其转换效率大约为3:1,即约三万片的DRAM产能才能转换成一万片的HBM产能。虽然两者都属于存储芯片，工艺流程大体相似，都包含光刻、刻蚀、离子注入、沉积、涂胶显影、扩散退火、清洗和量测等主要工序，但HBM在每个工序的步骤数量上远超传统DRAM。例如，如果传统DRAM需要10道光刻、10道刻蚀和10道离子注入，那么HBM可能需要28道光刻、29道刻蚀和27道离子注入，步骤数量接近传统DRAM的三倍。这意味着所需的设备数量和工艺材料消耗量也基本是三倍关系。正是由于这种巨大的产能消耗，即使HBM价格上涨60%至70%,原厂在未来一段时间内仍将优先选择新建HBM产线的方式进行扩产，以避免对传统DRAM的供应造成过大冲击。 预计到2027年下半年市场可能出现降价，届时不同品类的产品降价顺序会是怎样的? 如果市场进入降价周期，最先降价的将是消费电子类产品。由于此前价格涨幅过高，消费电子领域的需求反噬效应已非常明显，终端客户对高价的接受度最低。其次是利基型产品，例如智能音箱、智能插座、机顶盒、电视盒等消费类3C产品以及信创类产品。随后是服务器市场，包括用于AI推理、训练或端侧设备的产品。汽车电子市场的降价可能会更晚，因为它是一个规模相对较小但要求稳定的市场。总体的降价顺序逻辑是：消费电子、利基型产品、服务器，最后是汽车电子。 市场对于长鑫存储和长江存储未来的扩产进度和幅度有何预期?这两家公司的发展将对整个存储市场格局产生怎样的影响? 目前，长鑫存储和长江存储在技术实力上尚不足以对三星、海力士、美光、铠侠和闪迪等国际大厂构成根本性威胁，但在市场份额上已开始形成一定冲击。技术层面，长鑫存储目前最高工艺为15.8纳米的D1Z,而国际厂商已大规模量产D1β,并小规模量产D1γ,中间还隔着D1α(约14纳米),技术差距约两代。长江存储的差距相对较小，其V8技术(232层)与国际厂商的V9技术(296层)相差约一代。这种技术差距导致它们的产品难以进入高端及旗舰市场，例如在主流高端智能手机中很少见到其身影。尽管有传闻称苹果公司在评估长江存储的产品，但目前尚无实质性进展。然而，在产能布局上，这两家公司的威胁正逐步显现。目前，它们在各自的DRAM和NAND领域已占据12%至15%的市场份额，并且预计每年将以8至10万片的速度扩张，未来市占率可能提升至15%至17%。这种扩张主要冲击的是中低端市场的长尾效应，从而对国际大厂构成压力。这种冲击在2026年已逐渐显现，但预计到2028年后可能达到一个平台期。因为持续抢占中低端市场存在上限，若要进一步提升市占率，它们必须向技术要求更高的高端及旗舰产品市场渗透。 国内存储厂商的产品出海的可能性有多大，以及当前面临的主要瓶颈是什么? 国内存储厂商的产品未来出海的可能性很高。目前，这些产品主要应用于国内的中低端市场，未来有望渗透到海外的中低端市场。当前出海面临的阻力主要有三点：第一，海外客户缺乏评估和采用国内产品的直接动力，除非面临存储产品极度短缺的情况。第二，需要在成本上具备优势，即价格要低于竞争对手。第三，在同等技术水平上，产品性能需要更强。目前来看，国内厂商主要在后两点上寻求突破。例如，长鑫存储的产品在同等级别上确实优于南亚科、华邦电等厂商，但在高端及旗舰产品上与三星、海力士、美光仍存在差距。随着联想、浪潮、新华三等服务器厂商以及vivo、小米、荣耀等消费电子客户开始试用国内产品，一旦海外客户看到国内主流厂商已经验证了产品的可靠性，他们评估和采用的意愿也会随之增强。 国内存储厂商的成本相较于海外厂商低多少，其对外报价策略是怎样的? 由于采用了较多本地化的设备和材料，国内存储厂商的成本大约能比海外厂商低8%至9%。在对外报价方面，其策略也基本与成本优势保持一致，报价通常会比市场主流水平低大约9%至11%。 考虑到原厂与部分CSP厂商签订了为期三至五年的锁量锁价长协，今年11月至12月期间原厂主动降价的可能性及其对长协价格的影响如何? 尽管签订了长期的锁量锁价协议，但原厂在今年11月后主动降价的可能性依然存在，这主要取决于美国方面调查的结果。预计降价幅度不会太大，可能在5%至8%之间。对于已签订长协的云服务厂商而言，他们可能无法立刻从这一波降价中受益，因为协议在一年内通常不会变更价格。不过，这些长期协议虽然锁定了多年合作，但价格区间通常是每年重新谈判的。惯例是以上一年度当前季度的合约价上限作为新一年度的签约基准，并设定一个约六折的下限(尽管极少执行)。因此，这些客户在明年(2027年)重新议价时，将能够享受到市场降价带来的成本优势。 如果今年第四季度原厂主动降价，那么该季度的价格走势将如何变化? 市场行为本身存在涨价的动力，但如果原厂主动进行降价，两者作用下最终可能导致第四季度的整体价格维持在一个相对稳定的状态，呈现出环比不增不减的局面。 在当前市场环境下，美光与韩国两家厂商(三星、海力士)的报价差异有多大?如果韩国厂商主动降价，美光是否会跟进? 目前，美光、三星和海力士三家厂商的报价差异非常小，差距不超过3%。如果三星和海力士在11月或12月进行降价，美光大概率会跟进。主要原因是美光在三巨头中市场份额最低，为了争夺市场份额，它必须遵循主流厂商的价格策略，甚至可能需要提供更具竞争力的价格。 在本轮存储芯片涨价周期中，三星、海力士和美光三家公司中，哪家的主导地位更强? 在本轮涨价中，三星和海力士占据了主导