半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期

电子2025年11月5日 半导体存储行业深度研究报告 推荐 （维持） 企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期 ❑企业级需求高增，存储价格全面上涨。（1）DRAM：服务器建置动能回暖，25Q4 DRAM价格涨幅预期上修。海外原厂退产DDR4导致PC领域DDR5渗透率提高，服务器领域受到CSP建置动能回温，DDR5产品需求持续增强，近期DDR5价格稳健上扬。DDR4主要受到原厂产能缩减影响，自24Q4主流存储原厂宣布减产/转产DDR4至今已逾半年，随着产能调整深入演进，DDR4颗粒供不应求价格持续攀升。展望25Q4，Trendforce预计DRAM涨幅预期可观，且25年10月由于供应商收到CSP厂商加单后明显提高调升报价的意愿，Trendforce上调25Q4 DRAM价格预测，一般型DRAM价格预估涨幅从8-13%上修至18-23%，并且很有可能再度上修。展望26年，由于Server需求维持强劲，预期DDR5合约价于2026全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。（2）NANDFlash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨。受人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求的推动，闪迪于25年9月宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨10%以上。25年9月以来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货Flash Wafer价格强势上涨，截至2025年10月29日，TLC闪存256Gb/512Gb/1Tb价格相比25年9月2日价格涨幅16.7%/61.3%/27.0%。由于颗粒端价格持续拉升，SSD成品9月起同步跟涨。据Trendforce预测，由于供给优化&企业级SSD需求攀升，预计25Q4NAND合约价有望全面上涨，平均涨幅达5-10%。 华创证券研究所 证券分析师：岳阳邮箱：yueyang@hcyjs.com执业编号：S0360521120002 证券分析师：吴鑫邮箱：wuxin@hcyjs.com执业编号：S0360523060001 联系人：卢依雯邮箱：luyiwen@hcyjs.com 行业基本数据 占比%股票家数(只)1680.02总市值(亿元)69,714.565.80流通市值(亿元)52,952.285.46 ❑AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期。全球数据中心基础设施扩建浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能同步进阶，近年服务器NAND和DRAM应用占比持续增长，已成全球存储市场增长核心引擎。（1）DRAM：低功耗内存需求日益旺盛，26年传统DRAM新增产能有限。数据中心面临如何在提供海量算力的同时降低能耗的问题，因此低功耗内存架构是数据中心必备战略要务，英伟达新一代Grace CPU已使用带有纠错码的LPDDR5X显存来实现服务器级可靠性，同时将能效提高5倍。针对AI数据中心对低功耗DRAM的需求，存储厂商亦积极拓展低功耗内存在数据中心的应用。供给方面，HBM是DRAM行业最核心的价值增长引擎，单位元收入贡献远超传统DRAM，且差距仍在不断扩大。因此主要原厂26年均聚焦HBM产能扩张，传统DRAM新增产能有限。（2）NAND:受KVCache卸载&HDD挤占影响，NAND出货或将出现爆发式增长。为确保模型训练的准确度，所需的数据量不断增长，且已拓展至多模态数据来源。近年8TB/16TB及以上中高容量eSSD应用占比大幅提升。且PCIe5.0 SSD可加速模型部署，渗透率逐步提高。除容量和配置的升级以外，KVCache用于缓存历史token计算结果，通过实现对重复计算过程的智能规避来提高计算效率，一般存储于GPU内存中。KV Cache容量的增长已超过HBM承载上限，频繁的内存溢出可能导致推理过程出现“记忆断片”，迫使GPU执行重复计算，从而引发延迟和卡顿。将KV Cache卸载到DRAM、SSD等成本更低、容量更充裕的内存层级成为业界核心策略。此外，HDD是数据中心冷数据的首选，承载近80%存储容量。由于全球主要HDD制造商近年未规划扩大产线，推理需求导致Nearline HDD严重缺货，云厂商开始考虑使用SSD去补齐HDD缺口，促使高效能、高成本的SSD逐渐成为市场焦点，特别是大容量的QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长。 %1M6M12M绝对表现-4.3%46.9%51.2%相对表现-4.5%23.5%31.5% 相关研究报告 《光刻机：半导体设备价值之冠，国产替代迎来奇点时刻》2025-10-14《半导体先进封装行业深度研究报告：AI算力需 求激增，先进封装产业加速成长》2025-08-25《半导体存储行业深度研究报告：供需双振驱动价格持续上扬，企业级存储国产化加速推进》2025-07-01 ❑投资建议：近期存储价格全面上涨，除DDR4供给收缩逻辑以外，主要系数据中心建置动能回暖，且AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期，从而大幅提高存储需求。随着数据中心建设以及服务器单柜存储配置提升，我们对25Q4及26年存储价格预期乐观。建议关注：江波龙、德明利、香农芯创、兆易创新、佰维存储、聚辰股份、联芸科技、北京君正、普冉股份、东芯股份。 ❑风险提示：存储产品价格波动影响、下游需求不及预期 投资主题 报告亮点 本文系统性地阐述了“供给优化”与“企业级需求”共同驱动下的存储价格全面上涨趋势。在DRAM领域，本文分析了DDR4因产能缩减与DDR5因服务器需求回暖带来的差异化涨价路径，并指出主流预测机构已因CSP厂商加单而上修2025年第四季度的价格涨幅预期。在NANDFlash领域，本文通过原厂提价与具体颗粒价格数据，说明了自2024年第四季度以来由供给调整到目前全领域需求推动的涨价态势，并预计2025年第四季度合约价将延续涨势。 本文重点探讨了AI服务器对存储产业带来的深远影响与结构性变化。本文指出，大模型训练与推理不仅提升了存储的容量与性能要求，更驱动了存储架构的革新。一方面，HBM的产能扩张可能限制2026年传统DRAM的供给增长，此外LPDDR5X等低功耗内存成为数据中心能效管理的关键；另一方面，本文分析了“KV Cache卸载”这一特定技术需求以及HDD缺货背景下的替代效应，认为这两大因素将共同推动大容量SSD（特别是QLC SSD）在2026年可能出现爆发式增长，这为理解存储市场的长期需求变化提供了新的视角。 投资逻辑 短期而言，明确的涨价周期为板块带来确定性机会。供给侧，主要原厂对DDR4的减产与转产策略已持续半年以上，NANDFlash领域的产能优化同样显著，共同导致颗粒供应趋紧。需求侧，传统服务器市场回暖与AI数据中心建设浪潮叠加，推动企业级存储需求强劲增长。供需失衡驱动DRAM与NANDFlash价格进入全面上涨阶段，且主流机构已因客户加单等动向上修价格预测，预示着存储涨价幅度及持续性或超市场预期。 长期而言，AI革命正重塑存储需求结构。在DRAM领域，HBM价值含量远超传统DRAM，且头部厂商的产能倾斜将使标准型DRAM供给增长受限，此外LPDDR5X等低功耗内存成为数据中心能效管理的关键；二是在企业级SSD领域，AI推理催生的KV Cache卸载需求，以及HDD缺货引发的替代效应，将共同推动大容量SSD（特别是QLC）出货爆发。 投资建议：近期存储价格全面上涨，除DDR4供给收缩逻辑以外，主要系数据中心建置动能回暖，且AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期，从而大幅提高存储需求。随着数据中心建设以及服务器单柜存储配置提升，我们对25Q4及26年存储价格预期乐观。建议关注：江波龙、德明利、香农芯创、兆易创新、佰维存储、聚辰股份、联芸科技、北京君正、普冉股份、东芯股份。 目录 一、企业级需求高增，存储价格全面上涨...........................................................................5 （一）DRAM：服务器建置动能回暖，25Q4 DRAM价格涨幅预期上修.................5（二）NAND Flash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨...........................6 二、AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期..............................................8 （一）云厂商资本开支高增，服务器NAND和DRAM应用占比持续增长............8（二）DRAM:低功耗内存需求日益旺盛，26年传统DRAM新增产能有限..........101、能耗限制推升低功耗内存重要性，英伟达Grace CPU率先应用LPDDR5X102、HBM单位元收入贡献远超传统DRAM，26年传统DRAM新增产能有限..11（三）NAND:受KVCache卸载&HDD挤占影响，NAND出货或将出现爆发式增长.................121、中高容量eSSD应用占比大幅提升，低延迟驱动PCIe5.0渗透率提升.........122、KV Cache容量增长超出HBM承载上限，或将卸载至DRAM和SSD........133、HDD供应短缺严重，北美CSP逐步采用SSD补齐HDD需求缺口.............15 三、相关标的.........................................................................................................................16 1、江波龙：企业级业务实现放量增长，整合Zilia构建海外增长极.................162、德明利：企业级SSD部分产品开始送样，消费级内存已实现量产出货......163、香农芯创：“分销+产品”共驱发展，子公司海普存储发力企业级存储.......174、兆易创新：国产存储器IC设计龙头，积极布局定制化新兴赛道..................185、佰维存储：构建AI端侧存储综合竞争力，智能穿戴存储收入同比高增.....186、聚辰股份：DDR5加速渗透驱动SPD增长，汽车EEPROM打开成长空间.197、联芸科技：国产SSD主控芯片领先厂商，全系布局日臻完善......................198、北京君正：车规存储领先企业，积极布局3D DRAM领域............................199、普冉股份：NOR Flash后起之秀，发力车规广阔市场....................................2010、东芯股份：本土SLC NAND领先企业，构建“存、算、联”技术生态..21 四、风险提示.........................................................................................................................21 1、存储产品价格波动影响.......................................................................................212、下游需求不及预期...............................................................................................21 图表目录 图表1 DDR5颗粒主流型号现货价趋势（美元）..............................................................5图表2 DDR4颗粒主流型号现货价趋势（美元）..............................