一、核心结论
2026-2027年全球EML光芯片存在显著供需矛盾,需求规模达年3.5亿颗,供给仅约2亿颗,价格持续上行,短期难以通过扩产缓解,2027年供给缺口才有望改善。EML光芯片供给端高度集中于海外寡头,国内厂商仅实现100G量产突破,整体产能受限,硅光技术虽在中短距模块占优,但长距场景仍依赖EML的性能优势。
二、重点公司与事件
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海外厂商及下游需求主体的布局与博弈
- 海外寡头Lumentum、Coherent等垄断EML光芯片供给,占据全球80%以上的市场份额。
- 英伟达提前锁定上述海外寡头2027-2028年的EML光芯片产能,进一步加剧现货市场的供给紧张状况。
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国内厂商源杰科技的技术突破与产能瓶颈
- 国内厂商源杰科技已实现100G EML光芯片的量产突破,具备相关技术基础。
- 国内厂商整体产能受限,无法填补全球EML光芯片的供需缺口。
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硅光与EML在不同速率模块的竞争格局
- 硅光技术在1.6T(对应200G速率)光模块中已占据70-80%的市场份额,具备显著的成本优势。
- 针对未来400G(对应3.2T速率)光模块的竞争格局目前尚不明确,但EML光芯片在长距离传输场景下仍具有不可替代的性能优势。
三、供给瓶颈核心原因与后续关注点
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EML光芯片供给瓶颈的根源
- 磷化铟(InP)工艺良率较低,是制约产能扩张的核心技术障碍。
- 6寸晶圆的产能限制,无法满足全球对EML光芯片的庞大需求。
- EML光芯片需通过长达5000小时的严苛可靠性验证,导致厂商短期无法快速扩产。
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后续行业与市场的关注点
- 全球EML光芯片的产能扩张进度,尤其是海外寡头及国内厂商的扩产计划落地情况。
- 英伟达等AI算力巨头的光芯片产能锁定是否会传导至下游光模块及相关应用领域,影响行业整体供需。
- 硅光技术在长距离传输场景下的性能迭代能否突破EML的现有优势,进而改变未来光芯片的竞争格局。