新质策略系列之碳化硅：AI赋能打开成长空间，供需共振开启量价齐升

新质策略系列之碳化硅：AI赋能打开成长空间，供需共振开启量价齐升 一、碳化硅：第三代半导体核心材料，全球格局加速重构 增持（维持） 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体的核心代表材料之一，凭借高禁带宽度、高热导率、高击穿电场等特性，可突破传统硅基器件的物理性能极限，适配高压、高温、高功率、高频等应用场景，是支撑新能源革命与AI算力升级的底层核心材料。碳化硅器件产业链分为上游衬底与外延、中游器件与模块、下游应用三大环节，其中衬底是产业重要技术壁垒，据华经产业研究院数据，占器件总制造成本的47%。市场层面，据QYResearch数据，2025年全球碳化硅功率器件市场销售额达406.91亿元，预计2026-2032年CAGR20.5%，2032年达1479.68亿元。竞争格局上，全球碳化硅器件市场仍由意法半导体、英飞凌等海外巨头主导；国内企业沿产业链各环节加速突围，在衬底制造、器件设计、模块封装等领域持续实现技术突破，国产化率稳步提升，全球产业竞争格局正加速重构。 作者 分析师花小伟执业证书编号：S0680526020001邮箱：huaxiaowei@gszq.com 相关研究 1、《中小盘：新质策略系列之MLCC：AI算力驱动涨价潮，国产替代加速推进》2026-06-182、《中小盘：新质策略系列之半导体硅片：涨价拐点已至，国产替代迎黄金窗口》2026-06-093、《中小盘：新质策略系列之集成电路先进封测：后摩尔时代技术破局，四大共振驱动行业高景气》2026-06-02 二、发展动能研判：供需重塑抬升行业景气，多元需求与技术升级共拓长期空间 （一）供需格局边际反转，行业步入量价齐升上行周期 经历2025年的市场出清后，碳化硅行业供需格局已实现实质性改善。价格端，2025年6英寸衬底均价一度从年初4000-4500元/片回落至2000元/片附近，2026年4月以来已出现较大幅度反弹，8英寸产品同步止跌企稳并小幅上涨；中游器件环节，海外功率半导体龙头英飞凌、意法半导体均已发布年内第二轮调价通知，国内厂商同步跟进调价，行业价格周期明确反转。供给端，中小产能持续出清，有效供给向头部集中，当前头部衬底厂商产能利用率已超90%，部分高端规格产品供给偏紧。需求端，传统赛道需求稳步增长，叠加新兴场景放量与终端备库存需求，行业订单能见度显著提升，部分产品交付周期大幅拉长，行业进入价涨量增的景气上行阶段。 （二）AI算力打开成长新空间，需求结构从单核迈向多核 新能源仍是行业压舱石，碳化硅功率器件逐步从高端车型向中低端市场渗透，光伏储能、充电桩、轨交等领域需求同步扩容。而AI数据中心正成为行业重要增长极，随着大模型算力需求升级，AI芯片功耗持续攀升，机柜功率密度从百千瓦级向兆瓦级演进，传统供电架构的损耗与散热瓶颈日益凸显，800V高压直流供电架构已成为行业技术共识，驱动数据中心供电体系全面升级。碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度的材料特性，能够显著提升服务器电源模块的功率密度与能量转化效率，有效降低数据中心PUE值，是支撑高压直流架构落地的关键器件。此外，碳化硅应用版图持续延伸，加速向AI眼镜光波导、先进封装等新兴领域拓展，下游需求多元化趋势愈发明确。 （三）大尺寸迭代驱动降本增效，国内头部厂商话语权持续提升 衬底尺寸升级是碳化硅行业降本增效和扩大应用的核心方向之一，也是产业竞争的战略制高点。8英寸衬底单片芯片产出量约为6英寸的2倍，可带动全产业链单位成本下行，是推动碳化硅从高端选配走向规 模化普及的重要抓手。当前行业处于尺寸迭代关键窗口期：6英寸导电型衬底仍是出货主流，但6英寸器件赛道竞争已进入红海；8英寸经济性逐步被验证，成为当前竞争主战场；12英寸代表下一代技术方向，是全球产业话语权的重要争夺点。国内厂商在本轮升级中实现跨越式突破，头部企业已完成8英寸碳化硅衬底规模化量产，带动国内形成从材料到器件的完整8英寸技术生态，同时率先推进12英寸全系列产品技术攻关。长期来看，大尺寸升级将推动衬底成本中枢持续下移，加速多场景替代渗透，同时抬高行业壁垒，推动产能出清与份额向头部集中，国内领先厂商的全球产业话语权将稳步提升。 三、投资建议 当前碳化硅行业正处于景气度上行、需求扩容、国产替代加速的多重红利期，具备技术壁垒、产能先发优势与头部客户资源的企业将持续扩大市场份额。建议关注以下优质标的： 士兰微：国内综合型半导体IDM核心厂商，深耕SiC功率器件领域，6英寸SiC功率器件芯片产线已形成月产1万片MOS上量，8英寸SiC功率器件芯片产线2025年四季度通线，月产能5000片，预计2026年下半年投产；自主研发的Ⅱ代SiC-MOS厂商认证并批量应用于AI算力中心电源，配套高性能中低压MOS同步出货，第Ⅳ代SiC芯片与模块已完成客户评测并批量交付。 新洁能：国内功率半导体核心厂商，MOS 体产品广泛适配AI服务器及数据中心的电源单元、电压调节模块、HVDC系统、SST等关键环节。公司自主研发的SiCMOS能效对标欧美竞品，第2代、2.5代SiC MOS盖650V/750V/900V/1200V/1700V电压段；第三代SiC MOS平台完成工艺开发，相关产品处于可靠性验证阶段。 天岳先进：全球宽禁带半导体材料行业龙头，据日本富士经济数据，2025年导电型SiC衬底全球市占率达27.6%，位列全球第一；公司已实现8英寸SiC衬底量产，率先完成2英寸至8英寸SiC衬底商业化，并推出12英寸SiC衬底产品，掌握SiC衬底生产环节核心技术；目前已与全球前十大功率半导体器件制造商中半数以上建立合作，产品广泛应用于新能源汽车、AI数据中心等终端领域，并持续拓展先进封装等新兴应用场景。 风险提示：技术迭代不及预期，国产替代进度不及预期，下游需求波动，供给超预期释放，原材料价格波动。 图表目录 图表1：碳化硅产品多维度分类及核心特征..............................................................................................4图表2：碳化硅功率器件产业链图谱及核心环节分布.................................................................................4图表3：2025-2032年全球碳化硅功率器件市场规模走势与预测（亿元）....................................................4图表4：碳化硅器件制造成本占比结构....................................................................................................5 资料来源：基本半导体港股招股书，国盛证券研究所 资料来源：QYResearch，国盛证券研究所注：2027-2031年数据基于预测年复合增长率测算得出 资料来源：深圳市电子商会，中商产业研究院，国盛证券研究所 风险提示 技术迭代不及预期风险；国产替代进度不及预期风险；下游需求波动风险；供给超预期释放风险；原材料价格波动风险。 免责声明 国盛证券股份有限公司（以下简称“本公司”）具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本报告仅供本公司的客户使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。 本报告的信息均来源于本公司认为可信的公开资料，但本公司及其研究人员对该等信息的准确性及完整性不作任何保证。本报告中的资料、意见及预测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，可能会随时调整。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。 本公司力求报告内容客观、公正，但本报告所载的资料、工具、意见、信息及推测只提供给客户作参考之用，不构成任何投资、法律、会计或税务的最终操作建议，本公司不就报告中的内容对最终操作建议做出任何担保。本报告中所指的投资及服务可能不适合个别客户，不构成客户私人咨询建议。投资者应当充分考虑自身特定状况，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。 投资者应注意，在法律许可的情况下，本公司及其本公司的关联机构可能会持有本报告中涉及的公司所发行的证券并进行交易，也可能为这些公司正在提供或争取提供投资银行、财务顾问和金融产品等各种金融服务。 本报告版权归“国盛证券股份有限公司”所有。未经事先本公司书面授权，任何机构或个人不得对本报告进行任何形式的发布、复制。任何机构或个人如引用、刊发本报告，需注明出处为“国盛证券研究所”，且不得对本报告进行有悖原意的删节或修改。 分析师声明 本报告署名分析师在此声明：我们具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，本报告所表述的任何观点均精准地反映了我们对标的证券和发行人的个人看法，结论不受任何第三方的授意或影响。我们所得报酬的任何部分无论是在过去、现在及将来均不会与本报告中的具体投资建议或观点有直接或间接联系。 国盛证券研究所 北京地址：北京市东城区永定门西滨河路8号院7楼中海地产广场东塔7层邮编：100077邮箱：gsresearch@gszq.com 上海地址：上海市浦东新区南洋泾路555号陆家嘴金融街区22栋邮编：200120电话：021-38124100邮箱：gsresearch@gszq.com 南昌地址：南昌市红谷滩新区凤凰中大道1115号北京银行大厦地址：深圳市福田区福华三路100号鼎和大厦24楼邮编：330038传真：0791-86281485邮箱：gsresearch@gszq.com 深圳邮编：518033邮箱：gsresearch@gszq.com