富邦研究：記憶體產業深入分析
核心觀點
AI時代來臨循環表現淡化
- 生成式AI橫空出世後，記憶體產業的周期循環特性淡化。
- 產業技術未來發展先進封裝更重於製程微縮，中長期壓抑擴產能力。
- 記憶體價格2H保持向上，預料將投資人最終仍將回補持股。
產業循環的結構性轉變
- 記憶體產業循環波動幅度縮窄，AI帶來的穩定需求正在平滑傳統的景氣波動。
- 生成式AI橫空出世後，類比IC產業擁有比記憶體產業更顯著的周期循環特性。
記憶體技術路徑：先進封裝重於節點微縮
- 新產品涉及先進封裝的次數更甚於先進製程。
- DRAM技術路徑：邁向10nm以下與3D DRAM架構。
- NAND技術：430層以上的存儲巨塔、高頻寬與高容量。
- 邊緣AI(On-Device AI)記憶體模組演進：從RDIMM進化至SOCAMM、HBM記憶體。
AI時代來臨循環表現淡化
- 記憶體與存儲的產業特性正向晶圓代工行業靠攏。
- AI資料中心建設已成為需求增長的核心推力。
- 記憶體的產業循環特性正逐漸向台積電的晶圓代工模式靠攏。
需求端：從消費性電子轉向AI基礎設施
- AI與伺服器對位元的消耗量將佔據DRAM總供應量的66%。
- AI推論需求帶動企業級SSD(eSSD)大幅成長，2026年eSSD預計佔總產出的39%。
供給端：技術障礙抑制產能擴張
- AI世代的記憶體製程必須整合「先進封裝」技術。
- 記憶體供給增加速度遠低於過去水準。
產業供需及價格預測
- 市場將在供需平衡到偏緊之間擺盪。
- TrendForce：2Q26 DRAM供給短缺估約2%，26年產值估抵6,187億美元。
- Gartner：2Q26 NAND供給短缺估約9.6%，26年產值估抵2,674億美元。
- 傳統DRAM價格5月回復漲勢且直達年底。
結論與建議
- 記憶體產業的周期循環特性、起伏高低明顯下降。
- 投資界過去習慣在低本益比時賣出記憶體股，但在AI驅動的結構性改變下，這種傳統策略可能失效。
- 富邦認為未來2-3年投資人正逐步調整過去看法，即在低本益比時賣出記憶體持股、高本益比或虧損時買入。
- 建議投資人應正視先進記憶體（HBM等）因擴產困難而能長期維持的高毛利率；成熟記憶體也會因為外溢效果而有和成熟晶圓代工產業相似的循環特性。
股價看法
- 未來3-6個月，記憶體可望迎接市場重新定價的初期階段。
- 富邦目前投資首選依序為群聯(8299TT)、南亞科(2408TT)、華邦電(2344TT)等個股。
