台湾股市Morning Call

Fubon Research台灣股市2026年6月12日 今日特選 記憶體產業-AI時代來臨循環表現淡化 記憶體產業循環表現沖趨淡化，投資首選群聯、南亞科、華邦電 1.生成式AI橫空出世後，記憶體產業的周期循環特性淡化。2.產業技術未來發展先進封裝更重於製程微縮，中長期壓抑擴產能力。3.記憶體價格2H保持向上，預料將投資人最終仍將回補持股。 報告摘要................................................................................................................................2 資料來源︰CMoney，富邦投顧整理 →800VDC推出延後？仍預期800V出貨量有限；HVDC為「必備」→6/11:記憶體產業-AI時代來臨循環表現淡化→6/11:台達電(2308 TT, NT$2,160)-2Q26營收可能不及預期；2H26將有800VHVDC小量出貨 新聞評論................................................................................................................................16 →6/11 ECB宣布升息1碼上修今年通膨率估值至3%→台航(2617TT, NT$29.60,買進)-散裝後市兩利多兩利空 交易資訊摘要........................................................................................................................17分類股表現............................................................................................................................18商品原物料價格...................................................................................................................19 Fubon ResearchMorning Call 800VDC推出延後？ Fubon Research2026年6月12日 仍預期800V出貨量有限；HVDC為「必備」 1.800VDC推出延後？2.仍預期800V於2H26少量出貨3.HVDC是「必備」而非選配 800VDC推出延後？ 根據SemiAnalysis的報告，業界傳聞指出，由於對於Rubin架構而言，800VDC並非必要，因此大型雲端服務供應商正推遲採用由nVidia推動的單端800VDC架構，仍將繼續採用50VDC。他們認為將電網電力轉為350-450VDC，升壓至800VDC，再降壓至50VDC供應運算托盤(compute tray)效率不佳。相反地，我們觀察到大型雲端服務供應商愈來愈傾向於以更高電壓傳輸電力，再直接降壓供電給運算托盤。 資料來源：Computex 仍預期800V於2H26少量出貨 黃韻庭yunting.huang@fubon.com886-2-27815995#37117 根據我們的調查，Vera Rubin目前的設計為110kW電源櫃（3+1設計）。雖然800VDC對Vera Rubin並非必要，但客戶仍會嘗試。因此，2026年下半年nVidia仍會有800V的少量出貨，我們預期出貨量將低於500台。我們維持先前對VeraRubin採用HVDC滲透率為10%的假設，預估出貨量為6千台。至於Kyber，我們維持先前看法，即2027年將不會有Kyber的出貨。同時，我們看到400VDC及AWS的VDC開發正積極推進。鑒於成熟的生態系統及供應鏈，我們維持400VDC的時程將領先於800VDC的看法。我們維持先前預估，包含400V及800V在內的HVDC業務，將貢獻台達電2027年營收的5~10%，以及光寶科2027年營收的中個位數百分比。 李耿聿aaron.gy.li@fubon.com886-2-27815995#37107 HVDC是「必備」而非選配 我們維持HVDC在長期來看仍是「必備」而非選配的看法。即便2027年出現任何延遲或滲透率低於預期的情況，我們仍堅信HVDC是AI伺服器基礎設施中強制性的關鍵組成。我們維持2027年HVDC採用率將達到10~20%，並預期2028年將進一步擴張的看法。我們認為近期對於HVDC遞延的擔憂僅為台達電及光寶科股價的短期逆風，並反倒創造了重新檢視兩檔個股的良好機會。在Computex期間，台達電及光寶科皆展示了800VDC 660kW電源櫃，以及採用整合式BBU系統的110kW AC/DC電源機架，此規格符合nVidia的660kW參考設計。台達電同時展示了+/-400VDC電源架構，配備180kW電源機架及150kW BBU。我們可以觀察到台達電及光寶科在HVDC的發展進度領先同業。此外，台達電透過展示新一代SST（固態變壓器）方案，展現明確的技術領先地位。台達電的SST解決方案已完全準備好進入量產，後續大量出貨及部署時程將取決於大型雲端服務供應商客戶的實際建設進度與需求拐點。我們維持對台達電（2308 TT）及光寶科（2301 TT）的買進評等。 Fubon ResearchMorning Call 記憶體產業 Fubon Research2026年6月11日 AI時代來臨循環表現淡化 優 於 大 盤 記憶體產業循環表現沖趨淡化，投資首選群聯、南亞科、華邦電 1.生成式AI橫空出世後，記憶體產業的周期循環特性淡化。2.產業技術未來發展先進封裝更重於製程微縮，中長期壓抑擴產能力。3.記憶體價格2H保持向上，預料將投資人最終仍將回補持股。 焦點分析 產業循環的結構性轉變 資料來源：Piscine/Getty Images by Gemini Flash 富 邦 分 析 純 記 憶 體 業 者 海 力 士(SK Hynix)及 類 比IC巨 挈 德 州 儀 器(TexasInstruments，以下簡稱德儀)1Q20以來共25個季度的存貨與DOI(days ofinventory)後發現，分析期間記憶體產業大致經歷兩次小周期，且循環特性正發生根本性的變化。首先，記憶體周期的波動幅度縮窄，以海力士為例，1Q23後的庫存與經營週期波峰、波谷已明顯縮窄，顯示AI帶來的穩定需求正在平滑傳統的景氣波動。同期間德儀的周期特性更鮮明、長度更長、起伏更大。其次，我們發現自2022年11月30日ChatGPT推出以來，德儀DOI在仍處於疫情後的長期修正週期；反觀海力士自1Q23以來的存貨周轉天數下滑、波動性亦明顯縮小。總之，我們大致可以得到一個結論：在生成式AI橫空出世後類比IC產業很可能擁有比記憶體產業更顯著的周期循環特性。 記憶體技術路徑：先進封裝重於節點微縮 夏武正(886-2) 2781-5995 ext. 37011richard.hsia@fubon.com 我們整理記憶體新產品路徑，可發現新產品涉及先進封裝的次數更甚於先進製程。 ⚫先進製程：DRAM 1c/1d/10a製程、3D DRAM⚫先進封裝：(1)Hybrid Bonding或Wafer-to-Wafer技術涉及HBM、3D NANDV10、HBF；矽穿孔(TSV)技術涉及256GB SOCAMM與RDIMM模組。 至於未來世代的近記憶體運算(NMC)與記憶體內運算(CIM/IMC)等技術，可能採用的方式即是將處理器與記憶體直接進行垂直堆疊，這同樣屬於先進封裝的範疇，限於篇幅則未於本文中展開。簡言之，富邦認為記憶體供給端為滿足AI世代之需求而發展的產品路徑，將較以往更依賴先進封裝技術，更甚於製程微縮；而相關技術障礙將造成供給端難以在短期內大量擴出新產能，進而使得產業持續保持在相對偏緊的供需狀態。 AI時代來臨循環表現淡化 記憶體與存儲的產業特性正向晶圓代工行業靠攏 隨著代理式AI（Agentic AI）世代的到來，記憶體產業正經歷一場前所未有的結構性變革。過去記憶體市場主要受個人電腦（PC）與智慧型手機（Smartphone）的作業系統升級週期驅動，但如今AI資料中心建設已成為需求增長的核心推力。據市調推估2026年AI與伺服器將消耗全球66%的DRAM供應量，記憶體將從單純的零組件轉變為關鍵的戰略資源；而資料中心對存儲的需求自2027年起將占據NAND產業逾1/2產出。富邦認為記憶體的產業循環特性正逐漸向台積電的晶圓代工模式靠攏，主要理由有二：(1)AI需求佔據產能主要份額及(2)供給端則因製程微縮與先進封裝技術障礙，難以在短期內大量擴產。 需求端：從消費性電子轉向AI基礎設施 據TrendForce預測，DRAM2026年需求結構中AI與伺服器對位元的消耗量將急劇增加，佔據總供應量的66%。其中，55%的需求來自HBM（高頻寬記憶體）、GDDR及DDR；其餘約11%推測是來自LPDDR。至於NAND的需求結構，AI推論需求帶動企業級SSD(eSSD)大幅成長，2026年eSSD預計佔總產出的39%，到2027年更將佔據全球NAND需求的48%；若再加上傳統伺服器、AI PC及EdgeAI等應用領域，全體AI資料中心與邊緣運算所耗用的NAND產出勢必超過50%。 資料來源：TrendForce 2026/5、富邦投顧整理 供給端：技術障礙抑制產能擴張 不同於過去單純依靠半導體製程節點遷移(Node Migration)即可實現20-30%的微縮效率，AI世代的記憶體製程必須整合「先進封裝」技術，尤其製程進入10nm以下與3D堆疊為必要手段之後，物理極限與封裝難度顯著增加，正導致記憶體供給增加速度遠低於過去水準。 產業循環的結構性轉變 富 邦 分 析 純 記 憶 體 業 者 海 力 士(SK Hynix)及 類 比IC巨 挈 德 州 儀 器(TexasInstruments，以下簡稱德儀)1Q20以來共25個季度的存貨與DOI(days ofinventory)後發現，分析期間記憶體產業大致經歷兩次小周期，且循環特性正發生根本性的變化。首先，記憶體周期的波動幅度縮窄，以海力士為例，1Q23後的庫存與經營週期波峰、波谷已明顯縮窄，顯示AI帶來的穩定需求正在平滑傳統的景氣波動。同期間德儀的周期特性更鮮明、長度更長、起伏更大。 其次，我們發現自2022年11月30日ChatGPT推出以來，德儀DOI在仍處於疫情後的長期修正週期；反觀海力士自1Q23以來的存貨周轉天數下滑、波動性亦明顯縮小。總之，我們大致可以得到一個結論：在生成式AI橫空出世後類比IC產業很可能擁有比記憶體產業更顯著的周期循環特性。 海 力 士1Q23後 波峰、波谷明顯縮窄，歷經約3次小周期。 資料來源：Bloomberg、富邦投顧整理 德儀1Q23以來幾乎還在同一個修正周期，直到1Q26確立反轉，期間1次假性復甦、1次正式復甦(進行中)。 記憶體技術路徑：先進封裝重於節點微縮 DRAM技術路徑：邁向10nm以下與3D DRAM架構 全球DRAM三大廠2026年製程升級重點皆放在10奈米級第六代製程(1c)；下一代製程則可能是1d，或直接邁入10a (10nm以下)製程。10a是業界的重要里程碑，實際線寬約9.5-9.7nm。此技術導入了全新「4F方形單元」空間重構，以及VCT（垂直通道電晶體）立體堆疊架構，單顆IC密度暴增30-50%。10a制程為了抑制漏電流並降低電阻，製程中開始導入IGZO（銦鎵鋅氧化物）與Mo（鉬）等新材料，也替製程微縮帶來