mSAP产业分析20260603

###摘要–**mSAP工艺正从苹果主板等消费电子向1.6T光模块及AI服务器核心增量场景切换。** –**1.6T光模块单价约30美金，较苹果主板高出数倍，毛利水平显著占优。**–**2026年mSAP产能存在显著缺口，受限于高端LDI及激光设备1年以上交付周期。 # **mSAP产业分析20260603**## **mSAP工艺深度研报：1.6T光模块驱动产能缺口与价值量倍增** ###摘要–**mSAP工艺正从苹果主板等消费电子向1.6T光模块及AI服务器核心增量场景切换。** –**1.6T光模块单价约30美金，较苹果主板高出数倍，毛利水平显著占优。**–**2026年mSAP产能存在显著缺口，受限于高端LDI及激光设备1年以上交付周期。**–**国内深南电路、臻鼎科技、华通电脑处于第一梯队，正积极承接1.6T光模块扩产需求。**–**mSAP工艺需使用FL/GN级超薄铜箔，三井等日系厂商在核心原材料端占据垄断地位。**–**原材料成本上涨30%叠加供需缺口，预计mSAP板价格未来仍有10%-20%上涨空间。**–**下一代AI服务器架构或在ABF载板下方局部引入mSAP内嵌载板以解决布线瓶颈。** ### Q&A#### **mSAP、HDI和载板在工艺上的主要差异是什么？** 这三者最根本的工艺差别在于线路成型工艺，通常以线宽和线隙作为区分标准。普通的HDI 板采用减成法，适用于线宽和间隙在40微米以上的场景。当线宽和间隙缩小至25至40微米区间时，则采用mSAP（改良型半加成法）工艺。而对于小于20微米，通常在15微米左右的更精细线路，则采用SAP（半加成法）工艺，这种工艺需要使用ABF材料进行增层。因此，从工艺演进来看，依次是减成法（对应HDI）、改良型半加成法（对应mSAP）和半加成法（对应SAP）。 # **mSAP工艺相关问答整理** ## **mSAP工艺目前主要应用于哪些下游场景？其应用领域发生了怎样的变化？**mSAP工艺的应用场景正经历从消费电子向AI 相关领域的转变。早期，mSAP主要应用于高端智能手机主板，例如苹果iPhone 的主板。随着高频高速应用对信号完整性要求的提升，以及芯片引脚间距的缩小，PCB必须采用更小的线宽线隙以增加布线密度，这推动了mSAP的应用拓展。当前，mSAP的主要应用已转向AI相关的智能硬件，特别是AI智能眼镜和800G至1.6T光模块等领域。相比之下，SAP工艺最早应用于英特尔的桌面级CPU，而现在随着AI从训练转向Agent应用，对CPU复杂运算能力的要求提高，AI服务器中CPU的比重随之上升，也带动了SAP工艺在APU载板上的应用。对于AI服务器中的通信板和信号交换板等主板，目前仍以HDI工艺为主，但其层数在不断增加。 ## **以英伟达的AI服务器机柜方案为例，mSAP工艺在其中有哪些潜在应用，尤其是在下一代产品中？**在当前的AI服务器架构中，CPU和GPU主芯片下方的封装仍主要依靠ABF有机载板。这些载板直接连接到PCB主板，随着算力的提升，局部区域的布线密度正面临瓶颈。当芯片的Die Pitch缩小到例如130微米时，走线宽度需要小于30微米，传统的HDI工艺将无法满足要求。在这种情况下，考虑到成本和性能，**mSAP成为必然选择**。尽管目前mSAP尚未在AI 服务器主板上大规模铺开，但已接近应用的临界点。预计在下一代产品中，可能会在ABF载板下方的特定区域采用内嵌载板（Interposer-like）的工艺，即局部使用mSAP技术，然后再将其封装到更大的正交背板上，以解决布线瓶颈问题。 ## **目前国内主要PCB厂商在mSAP工艺方面的现有产能及在建产能规划情况如何？**国内mSAP产能的第一梯队主要包括臻鼎科技、深南电路和华通电脑。这些公司正积极承接800G及1.6T 光模块的扩产需求：1.**臻鼎科技**：凭借其多年为苹果供应链提供mSAP产品的经验，在秦皇岛和淮安均有布局，自2026年4 月起已在淮安投资20亿元人民币引进新设备，以满足1.6T光模块的需求。：主要生产基地位于无锡，目前也在进行产能爬坡和新厂建设。 2.**深南电路**3.**华通电脑**：则在台湾和重庆引进了专门用于1.6T 光模块生产的新设备。 其他厂商如方正科技、胜宏科技和景旺电子等，目前尚处于前期认证、工厂建设或产能释放阶段。海外厂商中，欣兴电子的mSAP产能也较大。 ## **从需求端来看，2026年至2027年mSAP板的需求总量和主要增长驱动力是什么？**mSAP板的需求主要来自两个方面，其中**AI光模块是核心增量** 。首先，苹果iPhone主板是mSAP的传统应用领域，但近年来主板设计趋于小型化（如从L型变为I 型），导致在同等出货量下，对PCB Panel的总需求量有约10%至20%的细微下降。其次，最大的增量来自于高速光模块，特别是从800G向1.6T的代际切换。目前1.6T 光模块市场处于供不应求的状态，以中际旭创为例，其原有的成熟供 #整理后的完整内容应商如欣兴电子和深南电路产能已满，正在积极寻求新的供应商。例如，奥特斯近期接到的产能预估约为每周 1,500片，预计臻鼎科技、华通电脑等也收到了类似的需求。各大厂商的扩产计划也主要是为了应对当前满产的状况。此外，AI智能眼镜也是一个应用场景，但其需求量远不及1.6T光模块，例如Meta的需求量大约在每周300至400片。综合来看，**当前mSAP板最主要的需求增长动力源于1.6T光模块的放量**。 ##对于应用于1.6T光模块的MSAP板，2026年至2027年的行业供需关系是怎样的，是否存在产能缺口及其未来的变化趋势如何？可以确定**2026年存在产能缺口** 。行业内第一梯队的供应商如华通、臻鼎等，其现有产能需优先保障苹果等主要客户的稳定供货，难以完全释放给1.6T光模块产品。奥特斯也面临类似情况，因此各主要厂商正在积极扩充针对1.6T光模块的专用产能。然而，产能扩张面临设备交付周期的瓶颈。许多高端设备，如激光、曝光及电镀设备，与ABF 载板的生产设备存在重叠，导致设备争抢激烈。目前，部分关键的曝光和激光设备交期已延长至一年以上，与2022年ABF载板市场爆发时的情况相似。考虑到设备交付周期，即使厂商加急在6到8个月内获得设备，后续还需要至少一个季度进行安装调试和客户认证，因此新产能的有效释放普遍需要一年以上的时间。基于此，**预计2026年和2027年的产能缺口将较为显著，这种情况至少会持续到2027 年第二季度才可能开始缓解，届时新增产能将陆续投产**。 目前国内及台湾地区主要供应商的扩产节奏、进展阶段、所需周期以及后续的客户验证流程是怎样的？不同地区厂商的扩产周期存在差异。以台湾厂商新兴为例，其2026年约70%的资本支出主要用于ABF 载板或应用于AI及COF的高多层板的产能升级，因此其在1.6T光模块MSAP板方面的产能相对不足，这也为国内PCB厂商创造了机会。扩产的主要瓶颈在于设备交付。假设在理想情况下，设备交期为6个月，厂商在2027 年初拿到设备，设备调试至可用于量产的状态大约需要2个月。随后，针对1.6T光模块（目前主流为14层板，采用HDI加mSAP的混合结构）的客户认证流程，最快也需要1个月才能提交样品。因此，整体来看，新产线最快也要到2027年3月才能交付样品，并在2027年第二季度获得认证并开始规模化量产。除非有厂商已进行非常早期的资本支出规划并锁定了较短的设备交期，否则普遍的量产时间点将在2027年第二季度。 ##鉴于当前存在的供需缺口，MSAP板的价格水平如何？特别是1.6T光模块用MSAP板与传统应用（如苹果主板）相比，其价值量和毛利水平有何差异？**1.6T光模块用MSAP板的单价和毛利率显著高于传统应用**。作为参考，苹果主板的某个最小单元单价约为8 美金。相比之下，1.6T光模块用MSAP板在一个尺寸为541mmx 618mm的panel上，根据规格不同可生产96至144个单元，其单个 #整理后的完整文档— 单元的价格可达到约200元人民币，折合约25至30美金。这表明两者单价存在一个数量级的差异，因此当前1.6T光模块用MSAP板的毛利水平相对较高。 ## **考虑到1.6T光模块的需求，MSAP板价格的未来变化趋势如何？是否有涨价的可能，其幅度和时间点如何判断？**价格呈现上涨趋势，这由多重因素驱动： 1.**原材料成本持续上升**：铜箔、PP材料、基板（Copper 板）等原材料价格均有不同程度的上涨，且这种上涨可能是阶梯式的，未来仍有继续飙升的可能。 2.**供应格局不稳定，快速交付订单溢价高**：由于市场存在显著的产能缺口，供应商尚未形成稳定的供应格局，因此对于能够快速交付的订单，其定价普遍偏高，报价持续走高。 在原材料方面，以CCL的核心材料和PP为例，从2026年初至今已上涨约30%。在铜箔方面，三井等主流供应商基本垄断了HDI和mSAP用铜箔市场，其高频高速铜箔价格已有约10%的涨幅，且未来可能继续上涨。综合来看，仅原材料成本端未来可能还有约10%的上涨空间。同时，为满足客户紧急的交付和认证需求，产品本身存在约20%的溢价。预计短期内价格将维持在当前水平，未来随着供需紧张和成本推动，价格仍有**10%至20%的浮动提升空间** 。 ## **mSAP工艺对铜箔的具体需求是怎样的？与传统的减成法工艺相比，在铜箔类型和工艺流程上有何区别？**mSAP工艺对铜箔的要求远高于传统的减成法工艺，主要体现在铜箔的粗糙度和厚度上。传统的减成法工艺适用于线宽线距大于40微米的场景，**使用标准铜箔** 。这类铜箔为保证结合力，其粗糙面（铜牙）的峰谷差（Rz值）通常大于4微米。工艺流程上，一般从12微米厚的铜箔开始，通过电镀增厚至约20微米，再通过蚀刻工艺将不需要的铜去除，最终形成例如宽度40-50微米、高度20微米的铜导体线路。 而mSAP工艺需要制作25微米甚至更精细的线宽线距。为实现这一目标，必须从Z向（厚度）和X/Y向（平面）两个维度进行优化：1.**Z向优化**：依赖于低粗糙度的超薄铜箔，例如三井的FL或FX系列铜箔，其粗糙度可低至1.3 微米左右，甚至更小。这种光滑的表面可以显著减少蚀刻量，从而实现更精细的线路。2.**工艺流程差异**：mSAP采用的是半加成法，起始铜箔厚度非常薄，主流为3 微米。线路的形成主要依靠后续的电镀增厚，而非对厚铜层的大量蚀刻，这使得线路的侧蚀更小，形状控制更佳，从而能够制造出更精细的线路。 —## **1.6T光模块采用的改良型半加成法工艺与传统蚀刻工艺在实现更小线宽线距方面有何根本差异？** 在mSAP工艺中，电镀完成后，只需蚀刻掉底部的3微米超薄铜箔即可实现绝缘，从而形成独立的导体性能。由于线路是向上生长而非向下蚀刻，并且只需去除极薄的铜箔层，因此可以实现更精细的线路。这便是mSAP工艺能够制造更小尺寸电路的核心优势。 #心原因。 ## **传统HDI板与采用mSAP工艺的板材在铜箔类型上有何显著区别？未来若采用SAP工艺，铜箔类型是否会进一步演变？** 铜箔类型的选择存在显著差异。以三井为行业标准，普通HDI板或采用减成法工艺的板材多使用标准铜箔。而用于高频高速场景的HDI板，例如1.6T光模块中的HDI层，则必须使用HVLP（High, Very Low Profile）等级的低粗糙度铜箔，这与英伟达AI服务器所用铜箔的要求一致。HVLP铜箔本身也分等级，如三级和四级，其铜牙粗糙度会更小，例如低于0.5微米，表面更光滑，有利于高频高速信号传输。 对于mSAP工艺，铜箔的选择相对有限。三井最早的世代是EX铜箔，适用于800G光模块。对于1.6T光模块，主流选择是EX的下一代产品FL铜箔，其铜牙深度为1.3微米。FL的再下一代是GN铜箔，铜牙深度为0.9微米。因此，当前1.6T光模块的混合结构中，