西安奕材：2025年年度报告

公司简称：西安奕材 西安奕斯伟材料科技股份有限公司2025年年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 √是□否 报告期内，公司实现产量859.02万片，较上年增长33.55%，销量807.37万片，较上年同期增长29.08%，实现营业收入264,922.46万元，较上年同期增长24.88%，主要受新工厂产能爬坡导致转固折旧尚未被充分摊薄、持续高强度研发投入及市场增长传导的滞后性，综合导致公司尚未实现盈利，其中：报告期内，归属于母公司股东的净利润为-73,817.08万元，与上年基本持平，归属于母公司股东的扣除非经常性损益后的净利润为-80,933.75万元，较上年亏损扩大6.14%，截至报告期末，归属于母公司股东的未弥补亏损为266,567.72万元。 外部市场方面，根据SEMI最新发布的硅片行业年终分析报告，2025年全球硅片出货面积同比增长5.8%，销售额同比下降1.2%。虽然数据中心与AI等领域投资维持高位，先进制程细分市场需求旺盛，但下游需求向硅片环节传导存在一定滞后性；另一方面，汽车、工业及消费电子等传统应用仍处于库存调整阶段，整体供需关系尚未显著改善；加之国内硅片厂扩产产能集中释放，12英寸硅片竞争加剧，产品价格阶段性承压。 内部经营方面，受到客户产能释放节奏、半导体硅片产品认证周期等因素影响，公司产品结构尚需进一步优化，报告期内公司正片（不含高端测试片）占主营业务收入比例约为60%，正片占比尤其是应用于逻辑芯片的外延片产品占比尚需进一步提升。此外，公司上市募投项目即第二工厂总投资约125亿元，处于产能爬坡阶段，截至报告期末已具备20万片/月产能，较规划产能尚未完全释放，固定资产折旧等固定成本未能实现有效摊薄，规模效应暂未充分显现；加之公司为保障核心竞争力，报告期研发投入28,515.26万元，占营业收入比例10.76%，持续维持较高强度的研发投入。多重因素共同导致报告期内公司业绩亏损。值得关注的是，公司报告期实现经营性现金流净流入40,469.57万元，持续保持现金流净流入，具备良好的可持续经营能力。 三、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、毕马威华振会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人杨新元、主管会计工作负责人王琛及会计机构负责人（会计主管人员）邵彬声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经审计，2025年度归属于上市公司股东的净利润为-73,817.08万元，母公司净利润为-12,025.59万元。截至报告期末，母公司未分配利润为-61,618.55万元。 鉴于公司母公司报告期末未分配利润为负数，因此公司2025年度不进行利润分配，不派发现金红利，不送红股，不以资本公积金转增股本。 上述利润分配预案已经公司第一届董事会第十七次会议审议通过，尚需提交公司股东会审议。 母公司存在未弥补亏损 √适用□不适用 由于母公司存在未弥补亏损，2025年度拟不进行利润分配。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否十三、其他□适用√不适用 目录 第一节释义......................................................................................................................................5第二节公司简介和主要财务指标................................................................................................10第三节管理层讨论与分析............................................................................................................17第四节公司治理、环境和社会..................................................................................................45第五节重要事项............................................................................................................................67第六节股份变动及股东情况......................................................................................................111第七节债券相关情况..................................................................................................................124第八节财务报告..........................................................................................................................125 第一节释义 一、释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他相关资料 六、近三年主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 (二)主要财务指标 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明：公司报告期内经营活动产生的现金净流入较上年同期减少41,078.25万元，主要由于报告期内收到的税费返还减少所致。 归属于上市公司股东的净资产变动原因说明：公司报告期末归属于上市公司股东的净资产较报告期初增长45.83%，主要系报告期内收到上市募集资金，股本及资本公积增加所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 八、2025年分季度主要财务数据 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 十一、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用□不适用 十二、非企业会计准则财务指标情况 □适用√不适用 十三、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 十四、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 √适用□不适用 根据《上市公司信息披露暂缓与豁免管理规定》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》及公司《信息披露管理办法》等相关规定，公司部分信息因涉及商业秘密等原因已申请豁免披露，并已履行公司内部相应审核程序。 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明 (一)主要业务、主要产品或服务情况 硅片是芯片制造的“地基”，其性能和供应能力直接影响半导体产业链的竞争力，根据SEMI统计，12英寸硅片贡献了2025年全球所有规格硅片出货面积78.8%，系最主流规格的硅片，尤其是AI时代需要更强的数据算力、更快的数据传输、更大的数据存储和更灵敏的人机交互，而用于实现前述功能的市场最主流逻辑和存储芯片（一般90nm工艺制程以下）以及部分高端模拟和传感器芯片均采用12英寸晶圆制造工艺，12英寸晶圆产能是全球晶圆厂扩产的主流方向，未来12英寸硅片全球出货面积占比将持续提升。公司专注于12英寸硅片的研发、制造和生产，产品广泛应用于消费电子、汽车制造、AI等领域所需要的存储芯片、逻辑芯片、图像传感器、显示驱动芯片、电源管理芯片及IGBT、PowerMOSFET等功率器件领域。从下游用途来看，可进一步分为用于芯片制造的正片、用于芯片制造设备调试和检测的测试片。其中，正片分为抛光片、外延片。公司当前主要布局用于存储芯片和逻辑芯片制造的抛光片和外延片，该等产品系市场主流，约占12英寸硅片市场75%份额，正在开拓布局细分市场领域。 1、抛光片 抛光片根据掺杂元素不同，可进一步分为P型轻掺抛光片、N型轻掺抛光片，其中： （1）P型轻掺抛光片采用硼元素轻掺工艺，具有苛刻的晶体缺陷和纳米形貌等参数要求，主要应用于DRAM、NAND Flash等存储芯片的制造。公司系国内头部存储芯片厂商全球12英寸硅片厂商中供货量第一或第二大的供应商，同时持续向海外头部存储芯片厂商量产供应及新品导入。 （2）N型轻掺抛光片采用磷元素轻掺工艺，具备高电阻率、低氧含量、低缺陷密度的核心特性。作为功率IGBT器件的核心衬底材料，该产品可助力芯片实现高效能的电能转换与控制，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、工业变频器等对功率密度和可靠性要求严苛的领域。公司持续优化晶体生长控制系统，成功开发出低氧含量、低晶体原生缺陷密度且电阻率范围可调的N型轻掺抛光片。公司第二工厂新增布局该细分领域，报告期内相关产品开发完成并通过下游客户验证。 2、外延片 外延片根据掺杂元素不同，可进一步分为P型轻掺外延片、P型重掺外延片、N型重掺外延片。其中： （1）P型轻掺外延片是在P型轻掺抛光片基础上采用化学气相沉积技术生长一层外延层，主要应用于CPU\GPU\手机SOC\嵌入式MCU为代表的逻辑芯片制造，以及部分存储芯片、显示驱动芯片等，逻辑芯片对P型轻掺外延片的外延层形貌、平坦度以及外延层厚度和电阻率均匀性有着较高要求。公司系国内头部晶圆代工厂中国大陆12英寸硅片供应商中供货量第一或第二大的供应商，同时持续向海外头部晶圆代工厂量产供应及新品导入。 （2）P型重掺外延片是在P型重掺抛光片基础上生长一层外延层。其衬底的低电阻率等特性能够提升图像传感器芯片的光电转换效率与信号灵敏度，是图像传感器芯片的核心基底材料，公司针对体微缺陷（BMD）精准管控，开发重掺硼晶体生长工艺，实现BMD密度在一定区间范围可调,以满足图像传感器芯片对于BMD吸杂的高要求。同时，公司持续加强各工艺段污染管控技术，降低硅片表金属、层金属和体金属水平。公司相关产品最高已在40nm背照式CIS产品量产应用。 （3）N型重掺外延片是在高掺杂浓度的N型重掺抛光片所需工序基础上生长外延层，具有低导通电阻和高外延晶体质量的双重优势。该产品主要应用于制造Power MOSFET功率芯片。PowerMOSFET功率器件对电阻率和电阻率