天风电新 硅电容更新推荐 2 适配超高频去耦 先进封装

市场空间

• 硅电容将在2027年率先在光模块领域产业化，2028年开始在AI服务器领域放量，需求弹性大。
  • 光模块：2027年市场空间预计30亿元（16颗宽频硅电容，70%渗透率），2028年随3.2T放量及用量翻倍增长至120亿元（YoY+235%），国产替代空间广阔。
  • AI服务器：单颗GPU用量30颗（2美元/颗），2028年市场空间预计40亿元，后续容值提升（105/106）将进一步扩大市场。

工艺对比

• DTC（深沟槽）：当前主流工艺，已大规模用于光模块，多层DTC可用于GUP制造但无法内嵌封装基板。
• VIC（垂直集成电容）：下一代工艺，容值密度更高（105/106），更薄且可内嵌基板，适配先进封装，类似存储芯片CMOS工艺，产能紧张，锁定VIC产能的设计厂商更具竞争力。

与MLCC的关系

• 硅电容核心解决GHz以上超高频去耦（纳秒级补偿电流波动），主要应用于GPU/HBM周边，实现近die去耦。
• MLCC主要对应0.1GHz以下频率段，频率过高失效，主要应用于PCB板，两者互补。

投资建议

• 硅电容ESL极低+超薄特性适配超高频去耦+先进封装趋势，光模块/GPU需求接力释放，AI服务器需求弹性大。
• 重点标的：颀中科技、英集芯。