这份研报的核心内容指出,AI光互联的下一轮瓶颈已从光模块转向高速TIA/Driver及上游12寸SiGe硅锗产能。随着800G向1.6T、3.2T升级,Lane速率提升对高性能SiGe BiCMOS的需求激增,产业瓶颈延伸至高速电芯片与12寸SiGe晶圆制造能力。格芯与Marvell的合作、GFS2027年SiGe产能的完全预定以及卓胜微的产能优势等关键数据与事件进一步佐证了这一观点。
AI光互联赛道的发展趋势显示,随着800G向1.6T、3.2T的升级,Lane速率从100G迈向200G甚至更高,这导致TIA/Driver性能要求全面提高。高速电芯片与12寸SiGe晶圆制造能力成为新的产业瓶颈,12寸SiGe硅锗产能成为稀缺资源。国内1.6T、NPO、CPO对高速TIA/Driver需求快速增长,推动产业链重估方向,市场需重新认识TIA/Driver背后的SiGe晶圆制造平台。
研报重点分析了12寸SiGe产能的稀缺性及其对AI光互联产业的影响。报告指出,GFS2027年SiGe产能已提前超额预订,全球或将向12寸SiGe扩产。国内市场方面,卓胜微作为A股唯一拥有12寸SiGe产能的上市公司,其约9,000片/月量产能力和工艺覆盖SOI、IPD、BCD、SiGe等特点,使其平台战略价值显著提升。此外,报告还分析了海外与国内在AI高速光互联时代的焦点企业。
当前市场对AI光互联产业的现状判断是,产业瓶颈已从光模块转向高速TIA/Driver及上游12寸SiGe硅锗产能。12寸SiGe硅锗产能成为稀缺资源,GFS2027年已提前超额预订,全球或将向12寸SiGe扩产。国内市场方面,1.6T、NPO、CPO对高速TIA/Driver需求快速增长,推动产业链重估方向。卓胜微作为A股唯一拥有12寸SiGe产能的上市公司,其平台战略价值显著提升。
研报中提示的风险主要集中在产能稀缺性和产业链波动方面。12寸SiGe产能的稀缺性可能导致部分企业面临供应不足的问题,进而影响产品交付和市场竞争力。此外,随着800G向1.6T、3.2T的升级,TIA/Driver性能要求全面提高,若企业无法及时提升技术水平和产能,可能面临市场淘汰的风险。同时,国内市场对高速TIA/Driver需求的快速增长也可能带来供应链压力和成本上升等问题。