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这份研报的核心内容是什么？
本报告指出AI光互联产业瓶颈已从传统光模块上移至高速TIA/Driver及上游SiGe制造产能。GFS最新Q2电话会显示SiGe需求持续强劲，2027年全年产能已超额预订，当前SiGe业务规模已超硅光业务，反映高速模拟电芯片正加速放量。800G→1.6T→3.2T，TIA/Driver进入新一轮性能升级，随着Lane速率提升对带宽、线性度、低噪声、功耗及高速模拟性能要求显著提升，高性能SiGe BiCMOS重要性同步上升。进入NPO/CPO及更高速率阶段后，链路更加紧凑，对高速模拟前端要求进一步提高，产业稀缺环节有望从光模块延伸至TIA/Driver设计能力与SiGe晶圆制造能力。
AI光互联赛道的发展趋势如何？
AI光互联赛道正经历产业瓶颈上移，高速TIA/Driver及上游SiGe制造产能成为关键制约因素。随着Lane速率从100G迈向200G甚至更高，TIA/Driver性能要求显著提升，SiGe BiCMOS重要性上升。进入NPO/CPO及更高速率阶段后，链路紧凑化进一步凸显高速模拟前端需求。产业稀缺环节从光模块延伸至TIA/Driver设计能力与SiGe晶圆制造能力，国内1.6T、NPO/CPO以及200G/Lane高速电芯片逐步进入验证和放量阶段，TIA/Driver国产化与上游SiGe制造平台的重要性持续提升。
研报重点分析了哪些方向？
本报告重点分析了AI光互联产业瓶颈上移至高速TIA/Driver及上游SiGe制造产能的现状，指出800G→1.6T→3.2T趋势下TIA/Driver性能升级需求，以及SiGe BiCMOS在高速模拟电芯片中的重要性。报告关注NPO/CPO及更高速率阶段链路紧凑化对高速模拟前端的要求提升，并分析卓胜微在12寸SiGe、SOI及硅光相关工艺平台的布局，强调国产12寸SiGe平台稀缺性及其在高速TIA/Driver国产化中的关键作用。
当前市场对TIA/Driver和SiGe的供需情况如何？
当前市场显示高速TIA/Driver需求爆发，进入新一轮性能升级周期。随着Lane速率提升，对带宽、线性度、低噪声、功耗及高速模拟性能要求显著，SiGe BiCMOS重要性上升。GFS最新Q2电话会指出SiGe需求持续强劲，2027年全年产能已超额预订，当前SiGe业务规模已超硅光业务，反映高速模拟电芯片正加速放量。进入NPO/CPO及更高速率阶段后，链路紧凑化进一步凸显高速模拟前端需求，产业稀缺环节从光模块延伸至TIA/Driver设计能力与SiGe晶圆制造能力，全球SiGe产能趋紧。
研报提示了哪些风险？
本报告提示AI光互联产业瓶颈上移至高速TIA/Driver及上游SiGe制造产能可能带来的风险。全球SiGe供需持续偏紧可能导致成本上升或供应不稳定，同时国内高速TIA/Driver规模化导入仍需时间，国产化进程存在不确定性。此外，卓胜微从传统射频延伸至AI光互联底层特色工艺平台的逻辑实现仍依赖技术突破和市场需求验证，产业链各环节协同发展面临挑战。产业稀缺环节延伸至TIA/Driver设计能力与SiGe晶圆制造能力，对相关企业技术实力和产能布局提出更高要求。