2025国产化化合物半导体产业简报

2025国产化合物半导体产业简报 何俊材分析师深芯盟半导体产业研究部 声明 本报告旨在提供技术逻辑→商业逻辑的信息服务，不构成投资建议。 投资有风险，决策需谨慎。 报告内容 •功率半导体应用场景简介 •国内部分化合物半导体/功率器件上市公司量化分析 •SiC•GaN •GaN产业简介•功率GaN潜力及风险分析•国内部分GaN公司简介 •SiC产业简介•SiC产业潜力及风险分析•国内部分SiC公司简介 •化合物半导体产业投资逻辑简介 化合物半导体整体市场预测 功率半导体应用场景简介 功率半导体市场份额-硅、碳化硅、氮化镓 国产化合物半导体/功率器件上市公司2025H1量化评估 半导体上市企业市场表现指数-量化模型简介：本指数是面向中国半导体上市公司的精细化评估工具，通过量化技术创新、财务健康、盈利能 力、市场地位、产能潜力这五个公开报告与报表数据中的关键业务维度，力求全面客观地细分各产品线的年度竞争力。在技术创新维度中，指数使用研发投入强度指标（10%权重），直接反应企业对技术创新的资源倾斜 程度；并使用研发人员占比指标（10%权重）聚焦人力资源配置质量。在财务健康维度中，指数同时考虑短期流动性与长期偿债能故使用此方法转化。力，分别以速动比率 （5%权重）和“1-资产负债率”（5%权重）综合评估企业的抗风险能力。注：由于资产负债率是负向指标， 在盈利能力维度中，指数按产品线营收占比分摊预估公司归母净利润的表现（20%权重），并采用产 品毛利率（10%权重），解释细分市场定价能力与成本控制效率。在市场地位维度中，指数采用分产品的营收规模（30%权重）突显市场份额与业务体量，作为行业话 语权的关键锚点。在产能与潜力维度中，指数使用资产负债表无形资产同比增长率（10%权重）衡量长期发展动能，反 应产研转化效率。最后，我们使用了Z-Score平移标准化后的各维度数据计算得出最终的指数，并直接呈现指数的绝对值。 另外提醒您注意，由于各版块公司数量不同，数据标准化的基数也不同，因此三级行业的数据不具有跨板块可比性。 注：筛选条件为以SiC/GaN化合物半导体为主要业务，或硅基IGBT业务+化合物功率器件转型过程中的国内公司，且公司财报中具有该板块较详细的业务数据披露。 国产化合物半导体/功率器件上市公司2025H1量化评估 国产化合物半导体/功率器件上市公司2025H1量化评估 国产化合物半导体/功率器件上市公司2025H1量化评估 国产化合物半导体/功率器件上市公司2025H1量化评估 国产化合物半导体/功率器件上市公司2025H1量化评估 国产化合物半导体/功率器件上市公司2025H1量化评估 图片来源：泰科天润 SiC产业链简介 衬底45~50%，外延20~25%，器件制造（含设计）约20%，封测约5% SiC产业链各环节代表厂商 SiC主攻高压应用场景，例如新能源车，光伏/储能，智能电网，轨道交通等 IDM模式占主流 2024全球碳化硅衬底和外延片市占分布 图片来源：深企投报告 SiC功率器件市场预测 SiC产业潜力及风险的简要分析 现状：1.产能与需求同步增长，但产能增长更快，供过于求，价格战激烈。 SiC产业潜力及风险的简要分析 现状： 2.电动车市场增速放缓，车企战略摇摆，SiC需求增速放缓。 3.光伏/储能，工业电源，电网等应用领域，需求仍然稳步增长。 SiC产业潜力及风险的简要分析 应对策略： 1.材料：大尺寸晶圆（8英寸及12英寸）技术开发，降低成本 2.器件：向IDM模式转型，缩短交付周期，加快技术迭代，构筑壁垒。 3.寻求对材料缺陷容忍度稍高的应用市场 SiC产业潜力及风险的简要分析 风险分析： 1.野蛮生长->格局洗牌，低端产能出清； 2.地缘政治摩擦，国际贸易壁垒； 4.国内对新能源车企的扶持性政策变动； 3.初期投资规模巨大，沉没成本高，目前价格战期间，容易陷入“亏损生产”-卷死同行-等行业周期上行的套牢状况。 其他的SiC业务相关公司简介 第一类：硅基功率器件业务拓展，扬杰科技，芯联集成等 第二类：上下游或跨界业务拓展，晶盛机电（晶体生长设备->SiC衬底）东尼电子（超微细线材->SiC衬底） 非上市公司（部分）： 衬底：天科合达，重投天科，山西烁科晶体 外延片：天域半导体（港股IPO审核中），瀚天天成（港股IPO审核中），普兴电子 GaN产业链简介 硅基GaNHEMT为例，成本占比： 硅衬底7%，外延50%，设计制造封测约23%，良率损失约20% 图片来源：华峰资本 GaN技术路线与应用场景适配 材料成本：GaN>>SiC>Sapphire（蓝宝石）>Si 材料质量：GaN>>SiC>Sapphire（蓝宝石）>Si 底 GaN产业链各环节代表厂商 GaN功率器件，主攻高频低损耗应用场景，例如消费电子，数据中心，通信基站，汽车电子等。 国际格局： 功率：中美欧日竞争 射频：美主导高端 光电：中日竞争 GaN功率器件市场预测 功率GaN产业的潜力及风险的简要分析 现状： 1.能源效率的提升是核心驱动力，不是依赖于政策扶持驱动，市场需求更为刚性。 2.应用多元化，新兴应用领域潜力巨大，如工业电驱，数据中心，新能源汽车等，发展势头迅猛。 功率GaN产业的潜力及风险的简要分析 风险分析： 1.功率GaN的产业成熟度不如SiC，目前主要面临的是技术研发挑战： ①成本敏感限制GaNon Si技术路线，GaN外延层缺陷密度偏高，导致器件的动态电学性能退化；界面热失配度约57%，缓冲层技术复杂，器件的热管理是巨大挑战； ②P型掺杂困难； 2.国际巨头垄断主导，行业壁垒极高，国内产业面临巨大压力。 国内GaN/功率半导体部分公司简介（上市公司） GaN射频器件市场预测 不够成投资建议，投资有风险，决策责任自负! 国内GaN射频/光电部分公司简介（上市公司） 化合物半导体产业投资逻辑简介 产业特点：技术门槛高，资金开支巨大，盈利等待期长，企业终点是IDM模式，成型后盈利稳定。 2.部分关键设备国产化比例不高，禁运/断供风险，导致生产停摆。 投资策略：1.大资本——IDM模式或全产业链IDM模式 2.中小资本——Fabless设计→Fab-lite（设计+封测）→IDM 总结 1.短期来看，电动车应用市场，仍是化合物半导体的最大的增长驱动力，但增速放缓； 2.长期来看，算力基础设施是刚需，应用市场多元化。