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晶合集成跟踪更新

2026-08-17 未知机构 测试专用号2高级版
报告封面

长鑫扩产逻辑芯片配套存储大产业趋势已明确:国内DRAM将采用4F2+CBA方案,以解决国内无高端光刻机造成制程微缩的限制。该技术把DRAM逻辑和存储电路分别做到两片晶圆上,再通过混合键合方式集成,有望将逻辑晶圆部分进行外包。 晶合战略地位:晶合之于合肥=新芯之于武汉,目前长存NAND所有的逻辑芯片均由新芯代工,晶合第一大股东是合肥国资委且是合肥唯一逻辑代工厂,有望承接长鑫DRAM晶圆部分的代工。与长鑫合作不只是逻辑芯片独供,未来28-30年,不管是流片量,还是合作规模,还是合作产品,超高速增长,10万片新厂规划5-6厂重点配合长鑫逻辑芯片需求。 主业产能满载持续扩产:主业DDIC占比60%,CIS 20%,电源10%,目前稼动率接近满产,且持续扩产,制程28nm已流片,后续有望持续演进。硅光平台,绑定大客户,复制前期Cis成功路径。硅光基于epi能力,大战略客户扶持,明年出产品。Drmos,头部大客户明年量很大,整体测算下来明年几倍于今年增长。 量满价涨估值低估:公司目前开到16-17万片,一季度发了涨价函,6月份开始低毛利提高,机构测算Q2利润较大增长,Q3毛利率有机会25%以上,净利润继续环比大增。晶圆代工进入长约时代,Q2开始陆续签长约(需要提前付款)大小客户都有。 额外超预期催化:根据近期露头社信息,在政府协调下,长鑫把高技术级别的DRAM生产专利授权给晶合集成,武汉新芯,昇维旭三家企业以扩大生产,新产线搭建速度远超预期。晶合集成作为除了中芯华虹之外的晶圆代工产能国内第三名,存在较大预期差与市值弹性。海外先进制程为代表的台积电10.4倍PB,成熟制程的联电4倍PB、力积电3.6倍PB、格罗方德2.7倍PB,国内晶圆代工厂估值水平存在低估。---xz#文字观点#