英伟达800V白皮书2.0重点探讨了三种实际落地方式及其节奏:架构A(机架级800V)采用power rack提供机架级800V接入,节奏在2026年下半年;架构B(簇级800V)使用2MW级Power center提供行级直流输出,下一代集中式HVDC架构升级保护和断路器;架构C(大厅级800V)使用4.8MW及以上Power block提供机房级直流配电,终极方案使用变压器整流单元等。
800V高压直流赛道未来发展趋势清晰,分为三个阶段。架构A是近期可见落地的机架级方案,核心环节是高功率PSU和Power rack。架构B是下一代集中式HVDC架构,重点在于SSCB固态断路器的应用潜力。架构C是终极方案,采用TRU、巴拿马电源、SST等过渡技术,预计2029年推出35kV SST。
研报重点分析了三种800V落地架构的核心环节。架构A的核心是18.3kW PSU、660kW Power rack、15kW DCDC PSU等。架构B关注2MW Power center、1250A断路器及下一代SSCB保护。架构C则聚焦4.8MW Power block、TRU、巴拿马电源和SST等过渡方案。
当前800V市场处于多阶段并行发展阶段。架构A相关环节如高功率PSU和Power rack已进入可见落地放量阶段。架构B的下一代集中式HVDC架构尚在发展初期,SSCB应用潜力待挖掘。架构C的终极方案仍处于过渡阶段,TRU、巴拿马电源等技术逐步成熟中。
研报提示的主要风险在于技术路线的快速迭代可能影响投资确定性。架构A的节奏依赖供应链成熟度,架构B的SSCB技术尚未大规模商用存在不确定性,架构C的终极方案技术成熟度仍需时间验证。此外,各环节间的协同配合及标准统一也是潜在风险点,需关注技术路线演变的动态变化。